严炳辉

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供职机构:华南理工大学电子与信息学院更多>>
发文主题:表面势多晶硅薄膜晶体管多晶硅晶界漏电流更多>>
发文领域:自动化与计算机技术电子电信更多>>
发文期刊:《华南理工大学学报(自然科学版)》更多>>
所获基金:国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
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基于晶界离散分布的多晶硅薄膜晶体管直流模型
《华南理工大学学报(自然科学版)》2012年第3期64-68,125,共6页严炳辉 李斌 姚若河 吴为敬 
国家自然科学基金资助项目(60776020);国际合作项目(B14D8061610);华南理工大学中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(x2clD2104790)
基于表面势的多晶硅薄膜晶体管(poly-Si TFT)漏电流模型无法体现晶界的离散分布特性,而基于阈值电压模型的各工作分区电流表达式存在不连续性.为克服此缺点,根据基于表面势模型的建模思想,考虑晶界势垒在沟道中离散分布的特点,提出了多...
关键词:多晶硅 薄膜晶体管 电流模型 离散晶界 表面势 有效迁移率 
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