激光晶化能量对多晶硅薄膜晶体管特性影响的研究  

作　　者：江朝庆 

机构地区：[1]苏州大学电子信息学院,江苏省苏州市215006

出　　处：《电子技术与软件工程》2016年第13期125-127,共3页ELECTRONIC TECHNOLOGY & SOFTWARE ENGINEERING

摘　　要：本文利用准分子激光晶化技术制备了低温多晶硅薄膜晶体管,研究了不同激光晶化能量密度对多晶硅薄膜晶粒尺寸以及器件电学特性的影响。为了进一步阐释激光晶化能量密度对多晶硅薄膜晶体管特性产生影响的原因,通过二维器件仿真拟合了多晶硅薄膜晶体管特性并提取了缺陷态密度等参数。通过比较得到态密度随着能量密度变化规律,最终得到最优工艺条件。

关 键 词：激光晶化 能量密度 多晶硅薄膜晶体管 缺陷态 器件仿真 

分 类 号：TN321.5[电子电信—物理电子学]