金属诱导横向晶化

作品数：11被引量：29H指数：3
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金属诱导横向晶化非晶硅薄膜技术及新发展
《微纳电子技术》2013年第9期592-598,共7页李冬雪 汪浩 夏委委 刘超然 李天昊 段智勇 
国家自然科学基金资助项目(51175479)
金属诱导横向晶化技术(MILC)由于具有晶化温度低、晶化颗粒大等优点而获得了快速发展。阐述了金属诱导横向晶化非晶硅薄膜的晶化机理、晶化效果及影响晶化效果的主要参数,并介绍了基于多种辅助措施,如离子掺杂、电磁场辅助、微波退火、...
关键词：金属诱导 横向晶化 低温 活化能 多晶硅薄膜 
镍硅化物诱导横向晶化制备高性能多晶硅薄膜晶体管
《液晶与显示》2012年第3期303-307,共5页彭尚龙 胡多凯 贺德衍 
国家自然科学基金青年项目(No.61106006);中央高校基本科研业务费专项基金
提出一种新的采用镍硅化物作为种子诱导横向晶化制备低温多晶硅薄膜晶体管的方法。分别采用微区Raman、原子力显微镜和俄歇电子能谱对制备的多晶硅薄膜进行结构和性能表征,并以此多晶硅薄膜为有源层制备了薄膜晶体管,测试其I-V转移特性...
关键词：镍硅化物 金属诱导横向晶化 多晶硅薄膜晶体管 
用镍硅氧化物源横向诱导晶化的多晶硅薄膜被引量：2
《物理学报》2010年第4期2775-2782,共8页刘召军 孟志国 赵淑云 郭海成 吴春亚 熊绍珍 
国家自然科学基金重点项目(批准号:60437030);天津市自然科学基金(批准号:05YFJMJC01400)资助的课题~~
采用磁控溅射法,以镍硅合金为靶,制备了一种适用于金属诱导横向晶化的氧化物镍源——自缓释镍源.该镍源在内部构成和晶化现象上都不同于纯金属镍源.采用该镍源制备低温多晶硅材料,晶化速率不明显依赖于镍源薄膜的厚度,且晶化多晶硅膜内...
关键词：自缓释 金属诱导横向晶化 多晶硅薄膜 低温制备与退火 
自缓释镍源的横向诱导晶化多晶硅薄膜晶体管被引量：3
《Journal of Semiconductors》2008年第10期2009-2013,共5页刘召军 孟志国 赵淑云 王文 郭海成 吴春亚 熊绍珍 
国家自然科学基金资助项目(批准号:60437030)~~
以镍硅合金靶作为溅射源,采用磁控溅射方法制备了一种自缓释镍源.控制合适的自缓释镍源的准备条件,以单一方向横向晶化条件对非晶硅薄膜进行再晶化,可以获得低残余镍含量、大晶粒、高薄膜质量的多晶硅.以此多晶硅为有源层进行了薄膜晶...
关键词：金属诱导横向晶化 多晶硅薄膜 低温制备 退火处理 
低温多晶硅薄膜的制备评述被引量：3
《材料科学与工程学报》2008年第2期298-301,共4页杨定宇 蒋孟衡 杨军 
四川省应用基础研究基金资助项目(04JY029-104)
低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS-TFT)驱动技术是实现大尺寸全彩平板显示的必由之路。然而,传统的低温多晶硅薄膜制作工艺存在着工序复杂、薄膜均匀性差、可能有金属污染且造价昂贵等问题。因此,有必要研发新一代的低温多晶硅薄膜制备工艺以...
关键词：低温多晶硅薄膜 金属诱导横向晶化 准分子激光晶化 电感耦合等离子体化学气相沉积 
低温多晶硅薄膜的制备工艺研究
《真空》2008年第1期41-44,共4页杨定宇 蒋孟衡 杨军 
四川省应用基础研究基金资助项目(04JY029-104)
低温多晶硅薄膜是制备高性能薄膜晶体管的首选材料,由其制成的薄膜晶体管由于在平板显示器件驱动中所展现的优越性能而受到广泛关注。本文系统介绍了低温多晶硅薄膜的三种制备方法—金属诱导横向晶化法、准分子激光晶化法和电感耦合等...
关键词：低温多晶硅薄膜 金属诱导横向晶化 准分子激光晶化 电感耦合等离子体化学气相沉积 
低温多晶硅薄膜制备技术应用进展被引量：1
《电子元件与材料》2007年第8期8-11,共4页杨定宇 蒋孟衡 涂小强 
四川省应用基础研究基金资助项目(04JY029-104)
系统介绍了金属诱导横向晶化法、准分子激光晶化法、触媒化学气相沉积法(Cat-CVD)以及电感耦合等离子体化学气相沉积法(ICP-CVD)制备低温多晶硅薄膜的原理及进展。对不同制备工艺的优势和不足进行了比较,重点讨论了Cat-CVD和ICP-CVD在...
关键词：半导体技术 低温多晶硅薄膜 综述 金属诱导横向晶化 准分子激光晶化 触媒化学气相沉积 电感耦合等离子体化学气相沉积 
Ni金属诱导晶化非晶硅(a-Si∶H)薄膜被引量：7
《液晶与显示》2005年第5期397-400,共4页黄金英 赵玉环 张志伟 荆海 凌志华 
国家高技术研究发展计划("863"计划)资助项目(No.2002AA3250);吉林省科技发展计划资助项目(No.20030304)
对在氢化非晶硅薄膜(a-Si∶H)上溅射金属Ni的样品进行金属诱导晶化(MIC)/金属诱导横向晶化(MILC),制备多晶硅薄膜(p-Si)的工艺及薄膜特性进行了研究。XRD测量结果表明非晶硅在500℃退火1 h后就已经全部晶化。金属诱导晶化的优选晶向为(2...
关键词：氢化非晶硅 多晶硅 金属诱导晶化 金属诱导横向晶化 
低温金属诱导横向晶化多晶硅材料和器件技术被引量：11
《电子学报》2003年第5期662-666,共5页王文 孟志国 
使用金属镍诱导非晶硅晶化 (MIC :metal inducedcrystallization)技术 ,获得了低温 (<5 5 0℃ )多晶硅 .通常在镍覆盖区以外的晶化硅更加有用 ,这一技术被称为金属诱导横向晶化 (MILC :metal inducedlateralcrystallization)技术 .通过...
关键词：镍 金属诱导晶化 多晶硅 薄膜晶体管 显示器 低温电子技术 
金属诱导非晶硅横向晶化形成的多晶硅的生长研究被引量：4
《固体电子学研究与进展》2001年第3期345-349,共5页秦明 Yuen C Y Poon Vincent M C 黄庆安 
详细研究了金属诱导非晶硅横向晶化时间、温度对晶化生长的影响。结果显示 ,晶化生长速度受温度影响较大 ,其最大生长速度在 6 2 5℃附近。在较高的温度下 ,非晶自发成核和晶化 ,从而限制了金属诱导晶体生长速度。镍诱导源的长度和厚度...
关键词：金属诱导横向晶化 晶化速度 镍诱导源 晶化波 多晶硅生长 
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