孟志国

作品数：68被引量：154H指数：6
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多晶硅薄膜的氢等离子体钝化机理研究
《功能材料》2014年第3期88-91,共4页李娟 刘政鹏 罗翀 孟志国 熊绍珍 
国家自然科学基金资助项目(61076006);国家高技术研究发展计划(863计划)专项资助项目(2008AA03A335)
研究了氢等离子体钝化多晶硅(poly-Si)薄膜中缺陷态的详细物理机制。结果表明,多晶硅中不同的缺陷态需要不同的氢等离子体基团予以钝化。Hα具有较低的能量,主要钝化悬挂键类缺陷态;H*具有较高的能量,对钝化晶界附近与镍杂质相关的缺陷...
关键词：多晶硅(polyGSi) 氢等离子体 缺陷态 钝化机理 
晶化多晶硅氢等离子钝化处理的优化研究被引量：3
《光电子技术》2010年第3期172-178,共7页罗翀 李娟 李鹤 孟志国 熊绍珍 郭海成 张志林 
以衬底温度和射频(RF)功率为调控晶化多晶硅薄膜的氢等离子钝化处理工艺的参数,借助发射光谱(OES)全程实时探测以及对氢化处理后薄膜的傅里叶变换红外吸收谱(FTIR)的分析,通过钝化前后薄膜电性能相对照,探讨工艺优化的微观机理。对于LP...
关键词：氢钝化处理 多晶硅薄膜 机制 
基于溶液法的规则排列连续晶畴的金属诱导多晶硅薄膜及薄膜晶体管(英文)被引量：1
《液晶与显示》2010年第3期333-338,共6页赵淑云 孟志国 王文 郭海成 
香港SAR研究基金会资助项目(No.614807)
介绍了一种新的金属诱导多晶硅技术。该技术的核心是预设规则化晶核定位孔和镍源补充孔与溶液浸蘸技术的结合。以定位孔为晶化的起始点,晶化过程中消耗的镍可通过分布在周边的镍源补充孔中的镍给予补充。这样可以大大降低晶核定位孔中...
关键词：金属诱导晶化 规则排列连续晶畴 薄膜晶体管 低温多晶硅 
用镍硅氧化物源横向诱导晶化的多晶硅薄膜被引量：2
《物理学报》2010年第4期2775-2782,共8页刘召军 孟志国 赵淑云 郭海成 吴春亚 熊绍珍 
国家自然科学基金重点项目(批准号:60437030);天津市自然科学基金(批准号:05YFJMJC01400)资助的课题~~
采用磁控溅射法,以镍硅合金为靶,制备了一种适用于金属诱导横向晶化的氧化物镍源——自缓释镍源.该镍源在内部构成和晶化现象上都不同于纯金属镍源.采用该镍源制备低温多晶硅材料,晶化速率不明显依赖于镍源薄膜的厚度,且晶化多晶硅膜内...
关键词：自缓释 金属诱导横向晶化 多晶硅薄膜 低温制备与退火 
基于溶液法的金属诱导碟型晶畴多晶硅薄膜和薄膜晶体管的研究(英文)被引量：1
《液晶与显示》2009年第6期812-817,共6页赵淑云 孟志国 吴春亚 王文 郭海成 
Supported by Hong Kong SAR Research Grants Council Grants(No.614807)
以非晶硅为晶化前驱物,采用镍盐溶液浸沾的方法可以得到超大尺寸碟型晶畴结构的低温多晶硅薄膜。所得多晶硅薄膜的平均晶畴尺寸大约为50μm,空穴的最高霍尔迁移率为30 .8 cm2/V.s ,电子的最高霍尔迁移率为45 .6 cm2/V.s。用这种多晶硅...
关键词：碟型晶畴多晶硅薄膜 多晶硅TFTs TFT稳定性 
基于FPGA的TFT显示屏控制系统的设计与实现被引量：6
《光电子技术》2009年第2期130-134,共5页赵二刚 孙鹏飞 赵立晴 姚颖 孟志国 熊绍珍 
国家科技部十一五“863”平板显示重大专项项目资助(2008AA03A335)
提出一套以大规模现场可编程门阵列(FPGA)-EP1C 12Q 240C 8为控制核心,对静态存储器实行乒乓操作,实时处理解码后来自显卡数字视频接口(DV I)的信号及产生相应控制信号,以实现驱动薄膜晶体管(TFT)显示屏的实时动态图像显示的方案,并成...
关键词：大规模现场可编程门阵列 乒乓操作 薄膜晶体管显示屏 可复用 
溶液法铝诱导晶化制备多晶硅薄膜被引量：1
《物理学报》2009年第9期6560-6565,共6页罗翀 孟志国 王烁 熊绍珍 
国家高技术研究发展计划(批准号:2004AA303570);国家自然科学基金(批准号:60437030)资助的课题~~
采用铝(Al)盐溶液作为诱导源进行了非晶硅晶化成多晶硅的研究.光学显微镜观测与Raman光谱分析表明,合适配比的铝盐溶液能够将非晶硅予以诱导晶化.采用剥层XPS测试分析,探究了Al盐溶液与硅表面可能的化学反应以及随之发生的硅-铝层交换...
关键词：铝诱导晶化 多晶硅薄膜 溶液法 
纳米硅薄膜复合阳极的绿色微腔式OLED的研究被引量：2
《光子学报》2009年第4期813-817,共5页李阳 刘星元 吴春亚 孟志国 王忆 熊绍珍 
国家高技术研究发展计划"863"平板显示专项(2004AA303570);国家自然科学基金重点基金(60437030)资助
采用甚高频增强型等离子体化学气相沉积技术,通过优化薄膜的沉积条件制备出高性能的P-nc-Si∶H薄膜材料(σ=5.86S/cm、Eopt>2.0eV).通过XRD测量计算出薄膜<111>、<220>和<311>三个晶向上的晶粒大小分别为15nm、17nm和21nm;通过Raman测量...
关键词：P型掺杂纳米硅薄膜 聚合物有机电致发光器件 微腔 
基于AM-OLED基板的拓展多晶硅薄膜功能层的研究
《Journal of Semiconductors》2008年第12期2393-2397,共5页李阳 赵淑云 吴春亚 孟志国 王忆 熊绍珍 
国家高技术研究发展计划(批准号:2004AA303570);国家自然科学基金(批准号:60437030)资助项目~~
在有源寻址有机发光二极管(active matrix organic light emitting diode,AM-OLED)显示基板中,将电学功能层——薄膜晶体管(thin fil mtransistor,TFT)有源层材料p型掺杂金属诱导晶化(metal induced crystallized,MIC)多晶硅(p+-MIC pol...
关键词：P型掺杂多晶硅薄膜 微腔 多晶硅薄膜功能层 AM-OLED基板 
自缓释镍源的横向诱导晶化多晶硅薄膜晶体管被引量：3
《Journal of Semiconductors》2008年第10期2009-2013,共5页刘召军 孟志国 赵淑云 王文 郭海成 吴春亚 熊绍珍 
国家自然科学基金资助项目(批准号:60437030)~~
以镍硅合金靶作为溅射源,采用磁控溅射方法制备了一种自缓释镍源.控制合适的自缓释镍源的准备条件,以单一方向横向晶化条件对非晶硅薄膜进行再晶化,可以获得低残余镍含量、大晶粒、高薄膜质量的多晶硅.以此多晶硅为有源层进行了薄膜晶...
关键词：金属诱导横向晶化 多晶硅薄膜 低温制备 退火处理 
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