刘召军

作品数:7被引量:24H指数:3
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供职机构:香港科技大学更多>>
发文主题:无缝拼接NI多晶硅缓释多晶硅薄膜更多>>
发文领域:电子电信理学一般工业技术更多>>
发文期刊:《物理学报》《真空》《Journal of Semiconductors》《液晶与显示》更多>>
所获基金:教育部留学回国人员科研启动基金国家自然科学基金天津市自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
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用镍硅氧化物源横向诱导晶化的多晶硅薄膜被引量:2
《物理学报》2010年第4期2775-2782,共8页刘召军 孟志国 赵淑云 郭海成 吴春亚 熊绍珍 
国家自然科学基金重点项目(批准号:60437030);天津市自然科学基金(批准号:05YFJMJC01400)资助的课题~~
采用磁控溅射法,以镍硅合金为靶,制备了一种适用于金属诱导横向晶化的氧化物镍源——自缓释镍源.该镍源在内部构成和晶化现象上都不同于纯金属镍源.采用该镍源制备低温多晶硅材料,晶化速率不明显依赖于镍源薄膜的厚度,且晶化多晶硅膜内...
关键词:自缓释 金属诱导横向晶化 多晶硅薄膜 低温制备与退火 
自缓释镍源的横向诱导晶化多晶硅薄膜晶体管被引量:3
《Journal of Semiconductors》2008年第10期2009-2013,共5页刘召军 孟志国 赵淑云 王文 郭海成 吴春亚 熊绍珍 
国家自然科学基金资助项目(批准号:60437030)~~
以镍硅合金靶作为溅射源,采用磁控溅射方法制备了一种自缓释镍源.控制合适的自缓释镍源的准备条件,以单一方向横向晶化条件对非晶硅薄膜进行再晶化,可以获得低残余镍含量、大晶粒、高薄膜质量的多晶硅.以此多晶硅为有源层进行了薄膜晶...
关键词:金属诱导横向晶化 多晶硅薄膜 低温制备 退火处理 
大屏幕投影拼接系统的设计被引量:6
《液晶与显示》2007年第3期336-341,共6页柴海峰 高国保 郝大收 李学东 王中 杭力 刘召军 孙鹏飞 吴春亚 孟志国 熊绍珍 
国家重点基金(No.60437030);天津市基金(No.05YFJMJC01400);国家出国留学人员回国基金资助
设计了一个可实现无缝拼接系统的研究示例:将一个高分辨率的图像分为两个分图像,按两部分在边缘交叠的方式分别投影。在投影之前,选用简单的线性函数关系,对待重叠部分进行了淡入淡出的处理,经这样叠加后重叠部分的重叠痕迹可适当消除...
关键词:数字光处理 无缝拼接 边缘融合 GAMMA校正 
拼接投影的边缘融合处理问题被引量:6
《现代显示》2007年第3期49-53,共5页高国保 柴海峰 郝大收 李学东 杭力 刘召军 吴春亚 孟志国 熊绍珍 
国家重点基金(No.60437030);天津市基金(No.05YFJMJC01400);国家出国留学人员回国基金资助
介绍了投影拼接显示系统中的关键技术——边缘融合处理技术。设计了一个为实现拼接的显示控制电路的示例:将一个高分辨率的图像分为两个分图像,按两部分在边缘交叠的方式分别投影。在投影之前,先对相重叠部分的图像信号按线性函数关系...
关键词:无缝拼接 DLP 边缘融合 投影显示 
电子束低温蒸发ITO膜增透、增反特性研究被引量:1
《真空》2006年第6期8-10,共3页齐龙茵 张德贤 何俊峰 崔光龙 赵飞 刘召军 李胜林 
本实验是在低温条件下,采用电子束蒸发制备ITO透明导电薄膜,通过监测电阻来控制薄膜的厚度,通过控制薄膜厚度研究了增透和增反两种效果的ITO膜的制备及膜的光学特性。当膜厚达170 nm和83 nm时透过率和反射率可达95%和6%。
关键词:ITO 增透 增反 柔性衬底 电子束蒸发 
大尺寸化学Ni源金属诱导晶化多晶硅的研究被引量:7
《物理学报》2006年第11期6095-6100,共6页赵淑云 吴春亚 刘召军 李学冬 王中 孟志国 熊绍珍 张芳 
国家高技术研究发展计划(863)(批准号:2004AA303570);国家自然科学基金重点项目(批准号:60437030);天津市自然科学基金(批准号:05YFJMJC01400);国家出国留学人员回国基金资助的课题.~~
用无电电镀的化学方法,在VHF-PECVD沉积获得的非晶硅薄膜表面形成镍诱导源,在550℃下退火若干小时,可以诱导产生微米量级的多晶硅晶粒.用此法形成的镍源可以均匀地分布在非晶硅薄膜的表面.非晶硅薄膜上形成晶核的数量取决于镍溶液的浓度...
关键词:金属诱导晶化 化学源 多晶硅 薄膜晶体管 
柔性晶体管阵列
《现代显示》2005年第9期27-31,共5页Peter Smith David Allee Curt Moyer Douglas Loy 刘召军 
现在市场上出现了柔性晶体管阵列并且前景诱人,但是在柔性阵列技术进入主流市场之前还要克服不少困难。
关键词:柔性晶体管阵列 有源矩阵 非晶硅TFT 
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