李学冬

作品数:1被引量:7H指数:1
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发文主题:多晶硅金属诱导晶化大尺寸NI薄膜晶体管更多>>
发文领域:理学电子电信更多>>
发文期刊:《物理学报》更多>>
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大尺寸化学Ni源金属诱导晶化多晶硅的研究被引量:7
《物理学报》2006年第11期6095-6100,共6页赵淑云 吴春亚 刘召军 李学冬 王中 孟志国 熊绍珍 张芳 
国家高技术研究发展计划(863)(批准号:2004AA303570);国家自然科学基金重点项目(批准号:60437030);天津市自然科学基金(批准号:05YFJMJC01400);国家出国留学人员回国基金资助的课题.~~
用无电电镀的化学方法,在VHF-PECVD沉积获得的非晶硅薄膜表面形成镍诱导源,在550℃下退火若干小时,可以诱导产生微米量级的多晶硅晶粒.用此法形成的镍源可以均匀地分布在非晶硅薄膜的表面.非晶硅薄膜上形成晶核的数量取决于镍溶液的浓度...
关键词:金属诱导晶化 化学源 多晶硅 薄膜晶体管 
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