张芳

作品数：8被引量：43H指数：2
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发文主题：多晶硅薄膜晶体管MIC微腔有机电致发光器件更多>>
发文领域：电子电信理学经济管理更多>>
发文期刊：《中国有色金属学报》《新材料产业》《物理学报》《固体电子学研究与进展》更多>>
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基于MIC多晶硅薄膜阳极的微腔有机发光器件
《固体电子学研究与进展》2008年第2期241-244,275,共5页李阳 孟志国 吴春亚 王文 郭海成 张芳 熊绍珍 
国家高技术研究发展计划“863”平板显示专项(批准号:2004AA303570);国家自然科学基金重点基金(批准号:60437030)支持
通过对溶液法金属诱导晶化多晶硅薄膜制备工艺的优化,制备出性能良好的P型掺杂多晶硅薄膜。厚度为50nm的MICP+-Poly-Si薄膜的方块电阻可降低至400Ω左右,其光学特性表现为在红光区域具有比较高的反射率和很小的吸收率,因此用它替代ITO...
关键词：金属诱导多晶硅 有机电致发光器件 微腔 
多晶硅薄膜阳极微腔有机发光器件及其简化制备流程的研究被引量：2
《Journal of Semiconductors》2008年第1期144-148,共5页李阳 孟志国 吴春亚 王文 郭海成 张芳 熊绍珍 
国家高技术研究发展计划(批准号:2004AA303570);国家自然科学基金重点基金(批准号:60437030)资助项目~~
介绍了溶液法金属诱导晶化的p型掺杂多晶硅薄膜(p+-poly-Si)的制备,并研究了它的电学特性和光学特性.由于p+-MICpoly-Si薄膜具有比较好的电学特性,且在红光区域具有比较高的反射率与透射率和很小的吸收率,因此我们将它用作红光OLED的阳...
关键词：金属诱导多晶硅 有机电致发光器件 微腔 简化流程 
TFT-LCD产业链状况分析及发展建议被引量：2
《新材料产业》2007年第9期56-62,共7页张芳 
薄膜晶体管液晶（以下简称TFT-LCD）是当今世界上发展最快的显示技术，代表了一个国家显示技术的整体发展水平。日、韩及我国台湾地区的大型显示企业纷纷投巨资发展TFT-LCD产业。据国际权威机构DisplaySearch公司预测（以下的预测数据...
关键词：LCD产业 TFT 链状 显示技术 预测数据 薄膜晶体管 半导体产业 台湾地区 
MIC薄膜多晶硅材料的动态镍吸除技术基本机理及其应用被引量：2
《Journal of Semiconductors》2007年第10期1574-1579,共6页李阳 孟志国 吴春亚 王文 郭海成 张芳 熊绍珍 
国家高技术研究发展计划(批准号:2004AA303570);国家自然科学基金(批准号:60437030)资助项目~~
首先阐述了MIC薄膜多晶硅材料动态镍吸杂技术的基本机理和主要工艺过程,然后以多晶硅薄膜晶体管(poly-Si TFT)为例研究了动态吸杂技术的应用.在研究金属诱导晶化多晶硅材料(MIC poly-Si)和以之为有源层的poly-Si TFT的过程中,发现在MIC...
关键词：金属诱导晶化多晶硅 磷硅玻璃 动态镍吸除 固溶度 
金属单向诱导横向晶化激光修饰多晶硅薄膜晶体管
《Journal of Semiconductors》2006年第10期1794-1799,共6页孟志国 王文 吴春亚 李娟 郭海成 熊绍珍 张芳 
国家高技术研究发展计划(批准号:2004AA303570);国家自然科学基金(批准号:660437030);天津市自然科学基金(批准号:05YFJMJC01400)资助项目~~
对采用金属诱导单一方向横向晶化(metalinducedunilaterallycrystallization,MIUC)并结合激光后退火技术,以提高多晶硅薄膜晶体管的性能,进行了深入研究.MIUC薄膜晶体管已具有良好的器件性能和均匀性,再加以三倍频YAG激光退火后的MIUC...
关键词：金属单向诱导横向晶化 多晶硅薄膜晶体管 三倍频YAG固体激光器 激光修饰 
底栅微晶硅薄膜晶体管被引量：1
《Journal of Semiconductors》2006年第7期1246-1250,共5页李娟 张晓丹 刘建平 赵淑云 吴春亚 孟志国 张芳 熊绍珍 
国家高技术研究发展计划(批准号:2004AA303570);国家自然科学基金(批准号:660437030);天津市自然科学基金(批准号:05YFJMJC01400)资助项目~~
对底栅微晶硅TFT的微晶硅材料生长孵化层问题进行了详细讨论,发现低硅烷浓度是减薄该层厚度的有效途径.同时又发现,以SiNx为栅绝缘层的底栅TFT,对随后生长的硅基薄膜有促进晶化的作用(约20%).沉积底栅TFT的微晶硅有源层时,必须计入该影...
关键词：微晶硅 底栅薄膜晶体管 起始层 硅烷浓度 晶化体积比 
大尺寸化学Ni源金属诱导晶化多晶硅的研究被引量：7
《物理学报》2006年第11期6095-6100,共6页赵淑云 吴春亚 刘召军 李学冬 王中 孟志国 熊绍珍 张芳 
国家高技术研究发展计划(863)(批准号:2004AA303570);国家自然科学基金重点项目(批准号:60437030);天津市自然科学基金(批准号:05YFJMJC01400);国家出国留学人员回国基金资助的课题.~~
用无电电镀的化学方法,在VHF-PECVD沉积获得的非晶硅薄膜表面形成镍诱导源,在550℃下退火若干小时,可以诱导产生微米量级的多晶硅晶粒.用此法形成的镍源可以均匀地分布在非晶硅薄膜的表面.非晶硅薄膜上形成晶核的数量取决于镍溶液的浓度...
关键词：金属诱导晶化 化学源 多晶硅 薄膜晶体管 
新型可印刷FED场致发射显示器的研制被引量：30
《中国有色金属学报》2004年第F01期404-408,共5页郭太良 林志贤 吴新坤 林建光 黄振武 林燕飞 郭明勇 林金堂 赵博选 林君坦 周小红 胡利勤 何国金 廖志君 张芳 朱佳 
国家"八六三"计划资助项目(2002AA303310)
介绍了国内外平板显示器,特别是场致发射显示器(FED)的市场预测和主要研究单位以及FED显示器的基本制作工艺流程,包括阴极激活和真空镀膜技术,论述了阴极激活技术及其对提高FED阴极发射能力的作用。采用丝网印刷、真空镀膜和阴极激活技...
关键词：场致发射显示器 阴极激活 电子发射 真空镀膜 丝网印刷 
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