TFT

作品数:1307被引量:1178H指数:14
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氧化物TFT源栅极短路缺陷原因解析及抑制措施
《液晶与显示》2025年第4期566-576,共11页刘丹 樊小军 陈威 刘巍 刘川 杜宏伟 杨生 吴旭 闵泰烨 王章涛 张浩雄 谌伟 王念念 熊永 黄中浩 
重庆京东方科技攻关项目(No.306053)。
氧化物TFT(Thin Film Transistor)源漏极短路(Gate Data Short,DGS)缺陷导致显示品质恶化和产品报废,明确DGS原理、识别影响因素并输出解决方案对确保产品良率和品质具有积极意义。本文首先确认了DGS宏观现象和微观形貌,随后探究了栅极...
关键词:铟镓锌氧化物 薄膜晶体管 电迁移 电介质击穿 
高增益MO-TFT心率信号检测前置放大器研究
《华南理工大学学报(自然科学版)》2025年第3期80-87,共8页吴朝晖 陈家琳 赵明剑 李斌 
国家自然科学基金项目(62174058)。
金属氧化物薄膜晶体管(MO-TFT)可以用来实现检测心率信号的柔性可穿戴系统,但MO-TFT缺少高性能互补器件,导致实现的前置放大器增益较小,而且MO-TFT器件的性能较差,给后级模块的设计带来了困难。为提升前置放大器的增益,降低后级电路对...
关键词:金属氧化物薄膜晶体管 心率信号检测 前置放大器 电容自举结构 
基于改进YOLOv5的TFT电极板缺陷检测研究
《科技资讯》2025年第4期32-34,共3页成良 
电极片品质对液晶屏幕的显示效果极为关键。针对薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)电极板中缺陷尺寸微小、缺陷类别繁多、背景干扰因素多等问题,设计了一项基于改进的YOLOv5全新的视觉算法模型,可以实现对TFT电极板上常见缺陷的精...
关键词:TFT电极板 缺陷检测 神经网络 改进的YOLOv5 
基于MO-TFT工艺的8位32 kS/s电流舵DAC
《集成电路与嵌入式系统》2025年第2期16-25,共10页欧逸怡 李斌 吴朝晖 赵明剑 
国家自然科学基金面上项目(62174058)。
设计了一个基于金属氧化物薄膜晶体管工艺的8位电流舵数/模转换器(Digital to Analog Converter,DAC),包括定时刷新模块、同步寄存器电路、分段译码电路、开关驱动电路、开关阵列和电流源阵列、多路选择器网络、随机序列发生器。在数字...
关键词:MO-TFT 电流舵 DAC 非晶铟化镓TFT 
中国内地首条TFT基Micro-LED量产线点亮
《中国玻璃》2025年第1期31-31,共1页
近日,辰显光电中国内地首条TFT基MicroLED量产线点亮仪式举行。在量产线点亮仪式之后,辰显光电还发布了四款Micro-LED产品,其中135英寸P0.7TFT基Micro-LED拼接屏,亮度达到1500nits,色域覆盖98%Da-P3标准,配合10bit色深,呈现生动逼真的...
关键词:辰显光电 量产线 135英寸 P0.7 
FT与CPC分类号在TFT中的检索应用
《中国科技信息》2025年第3期42-46,共5页靳苹苹 张伟兵 
1背景TFT(Thin FilmTransistor,薄膜晶体管)作为电子器件的重要组成部分,在显示技术、集成电路等领域有着广泛应用;在TFT领域美国、日本、韩国等仍居于世界领先地位,如索尼、LG、三星等,因此该领域日本、美国专利是专利检索的重点。IPC...
关键词:关键词检索 文献分类 检索工具 专利检索 专利文献 分类号 薄膜晶体管 美国专利 
Super retina TFT based full color microLED display via laser mass transfer
《Science China(Information Sciences)》2024年第11期1-15,共15页Xu YANG Jinchai LI Xuhui PENG Chunfeng ZHAO Chao CHEN Xiaowei ZHANG Jinliang LIN Donghua LI Yuefen CHEN Zhaoxia BI Feng QIN Cheng LI Kai HUANG Junyong KANG Rong ZHANG 
supported in part by National Key Research and Development Program(Grant No.2022YFF0609504);National Natural Science Foundation of China(Grant Nos.62174141,61874090);Key Scientific and Technological Program of Xiamen(Grant No.3502Z20231048);Natural Science Foundation of Fujian Province of China(Grant No.2021J01008)。
MicroLED display is considered one of the most promising technologies for next-generation displays.However,the high manufacturing cost has been a major obstacle to its accessibility to the general consumer market,and ...
关键词:microLED mass transfer LLO chip on wafer chip on carrier 
基于化学清洗技术的TFT设备表面污染物去除与界面优化研究
《新潮电子》2024年第10期160-162,共3页戎家亮 
本研究聚焦于TFT设备表面污染问题,旨在通过化学清洗技术有效去除表面污染物,并对界面进行优化。我们系统地归纳了TFT设备表面的污染种类,并探究了其产生的原因与影响因素,发现油污、灰尘等都会严重影响设备性能。为此,我们研究了化学...
关键词:TFT设备表面污染 化学清洗技术 界面优化 性能提升 
基于改进TFT的用户网络障碍预测方法
《江苏通信》2024年第5期82-86,共5页卢瑾 王欣刚 陈于锋 
随着互联网的发展,网络已渗透到生活各方面,网络故障对生产和生活的影响日益严重。尽管用户网络故障难以完全避免,但通过预测故障可帮助运营商快速修复,减少对生活的干扰。本文提出改进的TFT深度学习模型,通过多种技术提高预测性能。首...
关键词:TFT 用户网络障碍预测 皮尔逊系数 特征不确定系数 Huber损失函数 
有源层厚度对Li-ZTO TFT电学性能的影响被引量:1
《吉林建筑大学学报》2024年第3期76-82,共7页裘锦春 杨小天 郭亮 杨帆 王超 迟耀丹 
吉林省科技发展计划项目(20220201068GX)。
本研究旨在制备Li-ZTO单有源层薄膜晶体管,并研究有源层厚度对其性能的影响。该研究采用磁控溅射方法,使用Li-ZTO靶材制备出了有源层厚度分别为70 nm,90 nm,110 nm的器件。采用了X射线光电子能谱(XPS)、原子粒显微镜(AFM)、X射线衍射仪(...
关键词:薄膜晶体管 Li掺杂ZTO 溅射时间 电学性能 
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