云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 氢化非晶硅

氢化非晶硅: 作品数：166被引量：241H指数：8; 导出分析报告; 相关领域：电子电信理学更多>>; 相关作者：陈光华胡跃辉朱秀红宋雪梅阴生毅更多>>; 相关机构：北京工业大学电子科技大学中国科学院南昌大学更多>>; 相关期刊：更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划中央高校基本科研业务费专项资金更多>>

Silvaco TCAD模拟应用三层氢化纳晶硅薄膜改善IBC-SHJ太阳电池的电学性能并扩大其工艺窗口: 《Science China Materials》2023年第12期4891-4896,共6页姜铠张洪华张丽平孟凡英高彦峰虞祥瑞赵东明李睿黄海威郝志丹刘正新刘文柱; supported by the National Natural Science Foundation of China(T2322028,62004208,and 62074153);the Science and Technology Commission of Shanghai Municipality(22ZR1473200);China National Key R&D Program(2022YFC2807104);the Research on the Key Technologies of High Efficiency Ultra-thin Heterojunction Solar Cell and Module(HNKJ22-H154).; 叉指式背接触硅异质结(IBC-SHJ)太阳电池由于其优异的光学性能备受关注,但是较低的填充因子(FF)限制了其转换效率.本文中,我们用Silvaco TCAD软件模拟了IBC-SHJ太阳电池,发现p-n结和高低结收集载流子的能力有很大差异.高低结内建电场较...; 关键词：太阳电池填充因子转换效率氢化非晶硅载流子传输工艺窗口硅薄膜电学性能

本征氢化非晶硅薄膜厚度对其钝化性能和HIT太阳电池电性能的影响: 《太阳能》2023年第11期25-32,共8页杜敬良张会学姜利凯勾宪芳刘海涛王丽婷; 以异质结(HIT)太阳电池的本征氢化非晶硅薄膜为研究对象,该HIT太阳电池采用n型硅片作为晶硅衬底,其n型电子传输层(下文简称为“n面”)为入光侧,p型空穴传输层(下文简称为“p面”)为背光侧。首先研究了n面和p面本征氢化非晶硅薄膜的厚度...; 关键词：异质结太阳电池板式PECVD设备本征氢化非晶硅薄膜钝化少子寿命光透过率电性能

In-cell触控屏用两级预充电栅极驱动电路: 《中国科学：信息科学》2021年第6期1030-1040,共11页沈帅廖聪维杨激文张盛东; 国家自然科学基金(批准号:61774010);深圳市科技计划(批准号:GGFW2017072816344703)资助项目。; 由于触控侦测阶段的保持电荷损失和驱动晶体管的阈值电压漂移,传统的栅极驱动电路用于高触控侦测率的内嵌式(in-cell)电容触控屏时存在稳定性不佳的问题.本文提出了一种具有两级预充电结构的栅极驱动电路,可有效地减少触控侦测阶段的保...; 关键词：内嵌式电容触控屏栅极驱动电路稳定性氢化非晶硅薄膜晶体管时分驱动

氢化非晶硅叠层薄膜对单晶硅表面钝化研究被引量：4: 《光子学报》2021年第3期194-200,共7页丁月珂黄仕华; 国家重点研究发展计划(No.2018YFB1500102);浙江省重点研发计划(No.2021C01006)。; 采用等离子体增强化学气相沉积法生长的单层本征氢化非晶硅薄膜对单晶硅片进行钝化,结果表明增加氢稀释比有利于减少薄膜中的缺陷,增强钝化效果,过量的氢稀释比会导致非晶硅在硅片表面的外延晶化生长,降低钝化效果。退火导致非晶硅晶化...; 关键词：太阳能电池钝化等离子体增强化学沉积单晶硅非晶硅叠层氢稀释少子寿命

荷兰科学家发现用可编程光子新材料: 《传感器世界》2020年第4期39-39,共1页; 2020年3月31日,荷兰埃因霍芬理工大学(Eindhoven University of Technology)的研究人员宣布发现了一种可转换的光学材料——氢化非晶硅,能够加快光子集成电路的研发和生产。研究项目负责人Oded Raz表示,这是第一个可编程的光子电路,研...; 关键词：氢化非晶硅光子材料加速开发光子器件光学材料项目负责人研发人员

a-Si∶H薄膜中SiyHx结构组态的原子模拟研究: 《物理学报》2020年第7期195-200,共6页翟世铭廖黄盛周耐根黄海宾周浪; 国家自然科学基金(批准号:51561022,51861023);江西省自然科学基金(批准号:20181BAB206013)资助的课题.; 氢化非晶硅薄膜(a-Si∶H)中SiyHx结构组态对薄膜应用性能有重要影响,然而现有的分析测试手段难以对其进行深入细致的研究.本文运用分子动力学方法模拟分析了a-Si∶H/c-Si薄膜中SiyHx结构组态,以及衬底温度对其含量的影响;并进一步运用...; 关键词：SiyHx结构键能氢化非晶硅薄膜分子动力学

铝层厚度对铝诱导氢化非晶硅晶化的影响被引量：1: 《当代化工研究》2020年第6期40-41,共2页王丽云; 本文依据马普金属研究所对铝诱导晶化机制的理论基础,通过制备不同Al层厚度的Al/a-Si:H叠层样品的晶化结果来探究铝诱导氢化非晶硅的晶化机制。结果表明:随着Al层厚度增加,Al/a-Si:H叠层样品晶化得到的多晶硅晶粒尺寸增加,进一步实验验...; 关键词：铝诱导晶化氢化非晶硅拉曼光谱

基于沉积温度优化和后退火工艺改善a-Si∶H/c-Si界面钝化质量的研究: 《人工晶体学报》2019年第7期1287-1292,1313,共7页王楠梁芮周玉琴; 国家重点基础研究发展计划(973)项目(2011CBA00705);天津市自然科学基金(18JCYBJC41800); a-Si∶H薄膜作为钝化层,在提高硅异质结太阳能电池效率方面发挥关键作用,工业化生产中通常采用PECVD法制备制备a-Si∶H薄膜。在本文中,首先对关键工艺参数如沉积温度进行了优化,并在160℃下获得了最佳的钝化效果。接着,通过傅里叶变换...; 关键词：氢化非晶硅 a-Si∶H/c-Si界面钝化后退火处理钝化机理

HWCVD法掺氧氢化非晶硅(a-SiO_x:H)钝化n-Cz-Si研究被引量：1: 《真空科学与技术学报》2019年第6期519-523,共5页何玉平袁贤刘宇刘宁黄海宾; 江西省教育厅科学技术研究项目(GJJ171010);江西省青年科学基金项目(20171BAB216014); HIT电池高效率核心技术之一为本征非晶硅薄膜钝化硅片。本文采用热丝化学气相沉积(HWCVD)法制备a-SiOx:H,采用SintonWCT-120少子寿命测试仪、光谱型椭偏仪及傅里叶红外光谱测试仪分析样品性能,以期获得高质量a-SiOx:H的工艺参数并分析...; 关键词：a-SiOx:H 热丝化学气相沉积少子寿命 SiH键 SiH2键

模拟研究p型a-Si∶H对HIT太阳电池性能的影响: 《光学技术》2018年第4期495-499,共5页张喜生晏春愉李霖峰吴体辉郭俊华姚陈忠; 使用AFORS-HET软件模拟研究HIT太阳电池能带结构,讨论了发射区p型反转层的形成及影响因素,及其对电池性能的影响。结果表明：在n型单晶硅内,与p型非晶硅异质结界面处,形成p型反转层;p-Si∶H的掺杂浓度可调节费米能级位置,进而影响反转...; 关键词：AFORS-HET 模拟 HIT 氢化非晶硅反转

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