氢化非晶硅薄膜

作品数：45被引量：86H指数：6
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相关作者：陈光华胡跃辉朱秀红宋雪梅阴生毅更多>>
相关机构：北京工业大学电子科技大学中国科学院武汉理工大学更多>>
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本征氢化非晶硅薄膜厚度对其钝化性能和HIT太阳电池电性能的影响
《太阳能》2023年第11期25-32,共8页杜敬良 张会学 姜利凯 勾宪芳 刘海涛 王丽婷 
以异质结(HIT)太阳电池的本征氢化非晶硅薄膜为研究对象,该HIT太阳电池采用n型硅片作为晶硅衬底,其n型电子传输层(下文简称为“n面”)为入光侧,p型空穴传输层(下文简称为“p面”)为背光侧。首先研究了n面和p面本征氢化非晶硅薄膜的厚度...
关键词：异质结太阳电池 板式PECVD设备 本征氢化非晶硅薄膜 钝化 少子寿命 光透过率 电性能 
a-Si∶H薄膜中SiyHx结构组态的原子模拟研究
《物理学报》2020年第7期195-200,共6页翟世铭 廖黄盛 周耐根 黄海宾 周浪 
国家自然科学基金(批准号:51561022,51861023);江西省自然科学基金(批准号:20181BAB206013)资助的课题.
氢化非晶硅薄膜(a-Si∶H)中SiyHx结构组态对薄膜应用性能有重要影响,然而现有的分析测试手段难以对其进行深入细致的研究.本文运用分子动力学方法模拟分析了a-Si∶H/c-Si薄膜中SiyHx结构组态,以及衬底温度对其含量的影响;并进一步运用...
关键词：SiyHx结构 键能 氢化非晶硅薄膜 分子动力学 
仿真环境下探究氢化非晶硅薄膜晶体管原理的教学实践
《电气电子教学学报》2017年第5期138-141,共4页陈文彬 
电子科技大学本科教学改革研究项目(Y02012023701215)
氢化非晶硅薄膜晶体管(α-Si:H TFT)是平板显示领域的主流技术,其原理是传统教学模式中的难点,相反却为探究式教学呈现出了广阔空间。将α-Si:H TFT的工作状态分为四个区域,详细分析了这四个区域的电流-电压特性,结合RPI SPICE参数规划...
关键词：探究 SPICE α-Si:H 薄膜晶体管 
氢化非晶硅薄膜的制备与工艺参数优化被引量：1
《微电子学》2016年第5期706-710,共5页朱永航 刘一剑 黄霞 黄惠良 
国家高技术研究发展(863)计划基金资助项目((BC3400026)
采用间接型射频等离子体增强化学气相沉积方法,通过改变H_2/SiH_4气流量比、工艺功率和工艺压强,制备出了氢化非晶硅薄膜。研究了H_2/SiH_4气流量比、工艺功率以及工艺压强对非晶硅薄膜光学特性的影响。实验结果表明,该方法可以制备出...
关键词：氢化非晶硅薄膜 间接型射频等离子体 微观结构 H含量 H2/SiH4气流量比 工艺功率 工艺压强 
射频功率和沉积气压对非晶硅薄膜材料性能的影响被引量：1
《内蒙古师范大学学报（自然科学汉文版）》2015年第3期347-351,共5页张娜 李海泉 周炳卿 张林睿 张丽丽 
国家自然科学基金资助项目(51262022);内蒙古师范大学2013年度研究生科研创新基金项目(CXJJS13043)
采用等离子体增强化学气相沉积技术,通过改变射频功率与沉积气压两个参数来沉积非晶硅薄膜材料,并研究了变化参数对薄膜沉积速率、晶化情况、氢含量、光电学性质以及材料表面形貌等的影响.结果表明:射频功率在较低的范围内变化时,对薄...
关键词：氢化非晶硅薄膜 射频功率 沉积气压 光电特性 
异质结太阳电池中非晶钝化层的分光椭偏分析被引量：4
《光学学报》2015年第6期374-381,共8页郭万武 张丽平 包健 孟凡英 陈奕峰 冯志强 刘正新 
国家自然科学基金(61204005);国家863计划(2011AA050501);中国科学院知识创新重要方向性项目(KGCX2-YW-399+11)
采用分光椭偏(SE)测试技术研究晶体硅(c-Si)异质结太阳电池用氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜钝化层的性能。采用有效媒介理论为基础进行分层多相拟合,研究了a-Si:H/c-Si界面层内部的缺陷散射周期(St)、a-Si:H体内孔隙率以及薄膜介电函数峰值随...
关键词：薄膜 氢化非晶硅薄膜 分光椭偏测量 介电函数 光电特性 异质结太阳电池 
PH_3/SiH_4气流量比对N型a-Si:H薄膜微观结构与电学性能的影响
《硅酸盐学报》2013年第12期1668-1673,共6页董丹 时惠英 蒋百灵 鲁媛媛 张岩 
国家自然科学基金项目(51271144)资助
采用等离子体增强化学气相沉积法制备了不同PH3/SiH4气流量比条件下的N型a-Si:H系列薄膜,研究了PH3/SiH4气流量比对N型a-Si:H薄膜微结构和电学性能的影响;同时,对最优PH3/SiH4气流量比条件下的N型a-Si:H薄膜进行了真空退火处理,以研究...
关键词：磷掺杂氢化非晶硅薄膜 磷掺杂比 退火 载流子浓度 电阻率 
分子动力学模拟H原子与Si的表面相互作用
《物理学报》2013年第16期273-278,共6页柯川 赵成利 苟富均 赵勇 
国际热核聚变实验堆(ITER)计划专项(批准号:2009GB104006);贵州省优秀青年科技人才培养计划(批准号:700968101)资助的课题~~
通过分子动力学模拟了入射能量对H原子与晶Si表面相互作用的影响.通过模拟数据与实验数据的比较,得到H原子吸附率随入射量的增加呈先增加后趋于平衡的趋势.沉积的H原子在Si表面形成一层氢化非晶硅薄膜,刻蚀产物(H2,SiH2,SiH3和SiH4)对H...
关键词：分子动力学 吸附率 表面粗糙度 氢化非晶硅薄膜 
氢化非晶硅薄膜的光谱椭偏研究被引量：3
《光学学报》2013年第10期293-300,共8页何剑 李伟 徐睿 郭安然 祁康成 蒋亚东 
中央高校基本科研业务费项目(ZYGX2012YB024)
氢化非晶硅(a-Si…H)薄膜在微电子和光电子工业中有着重要的应用,而椭偏分析技术是一种重要的薄膜表征手段。利用椭偏测量技术并采用Tauc-Lorentz(TL)模型和Forouhi-Bloomer(FB)模型,从不同角度对比研究了a-Si…H薄膜的结构和光学特性...
关键词：薄膜 椭偏分析 Tauc—Lorentz模型 Forouhi—Bloomer模型 
硼掺杂量对P型a-Si:H膜微结构和光/电学性能的影响被引量：2
《硅酸盐学报》2013年第3期364-369,共6页时惠英 董丹 蒋百灵 鲁媛媛 刘宁 
国家自然科学基金项目(51271144)资助
采用等离子体增强化学气相沉积法制备了不同硼掺杂比的P型a-Si:H系列薄膜。研究了硼掺杂比对P型a-Si:H薄膜微结构和光/电学性能的影响;同时,对最优掺杂比下的P型a-Si:H薄膜进行了真空退火处理,以研究薄膜晶体结构的改变对其光/电学性能...
关键词：硼掺杂氢化非晶硅薄膜 硼掺杂比 真空退火 光学带隙 电阻率 
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