孟凡英

作品数：15被引量：38H指数：4
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供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文主题：异质结太阳电池硅太阳电池晶体硅透明导电氧化物薄膜更多>>
发文领域：电气工程动力工程及工程热物理理学电子电信更多>>
发文期刊：《光学学报》《电源技术》《光子学报》《太阳能学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划中国科学院知识创新工程重要方向项目中国科学院院地合作项目更多>>
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银粉对硅异质结太阳电池用低温银浆的影响综述被引量：1
《太阳能学报》2024年第2期489-498,共10页王光远 韩安军 刘文柱 赵文婕 王栋良 敖毅伟 冈本珍范 孟凡英 刘正新 
上海市科技创新行动计划社会发展科技攻关项目(20dz1207103);国防重点实验室开放基金(61428040202);国家自然科学基金青年项目(62004208);上海市科技创新行动项目(22ZR1473200)。
银浆是硅异质结太阳电池的重要材料,更低的体积电阻率和接触电阻、良好的附着力、优良的细线印刷性能及组件栅线抗腐蚀老化是其不断改进的方向。作为导电相,银粉的性能和含量对银浆有着至关重要的影响。该文基于低温固化银浆导电机理以...
关键词：硅异质结太阳电池 低温银浆 银粉 表面处理 振实密度 银包铜 
晶硅异质结太阳电池nc-Si:H/nc-SiOx:H叠层窗口层研究被引量：1
《太阳能学报》2023年第8期203-207,共5页杨煜豪 刘文柱 张丽平 孟凡英 高彦峰 刘正新 
国家自然科学基金(62004208);国家自然科学基金(62074153);中国科学院“鸿鹄专项”(XDA17020403);上海市科技创新行动(22ZR1473200)。
该研究制备高电导、高透明的磷掺杂氢化纳米晶硅氧(nc-Si Ox:H)薄膜,应用于晶硅异质结(SHJ)太阳电池的窗口层以替代传统的氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜。与以a-Si:H薄膜为窗口层的电池相比,短路电流密度提高0.5 m A/cm^(2),达到38.5 m A/cm^(...
关键词：纳米晶材料 太阳电池 薄膜生长 晶硅异质结太阳电池 纳米晶硅氧(nc-SiOx:H) 界面处理 
不同背反射结构在硅异质结太阳电池中的应用研究被引量：1
《太阳能学报》2022年第10期37-42,共6页姚宇波 张丽平 刘文柱 石建华 孟凡英 刘正新 
国家自然科学基金(62074153);国家自然科学基金(62004208);上海市科创行动计划(20DZ1207103;19DZ1207602);中科院先导A类专项(XDA17020403)。
该文旨在利用银纳米颗粒(Ag NPs)和SiO_(x)/Ag背反射结构提升硅异质结(SHJ)太阳电池在900~1200nm波段红外光谱响应。研究在SHJ太阳电池背光侧分别制备Ag、SiO_(x)/Ag和嵌入Ag NPs的SiO_(x)/Ag几种背反射结构,以最大限度提升SHJ太阳电池...
关键词：硅异质结太阳电池 背反射结构 银纳米颗粒 局域表面等离激元共振 光谱响应 
单晶硅片表面微纳复合结构制备及光特性研究被引量：1
《太阳能学报》2021年第11期1-4,共4页刘勇武 杜俊霖 吴卓鹏 孟凡英 
中科院先导专项A(XDA17020403);上海张江创新发展基金(ZJ2018-ZD-010);上海市科委项目(17AZ1201100)。
采用金属辅助化学刻蚀方法(MACE),在常规碱溶液制备的金字塔表面制备表面形貌良好、反射率低的硅纳米线微结构。详细探究Ag辅助刻蚀的反应过程和反应机理,基于FDTD Solutions仿真软件模拟分析,微米金字塔-纳米线复合结构在减少宽波段和...
关键词：太阳电池 单晶硅片 湿法刻蚀 纳米线 金属催化刻蚀 反射率 
基于自适应粒子群算法的MPPT控制策略被引量：15
《电源技术》2021年第8期1036-1039,共4页雷茂杰 许坦奇 孟凡英 
战略重点研究计划项目(XDA17020403);上海市科委双面太阳能电池项目(17DZ1201100);南极项目(19DZ1207602)。
最大功率点追踪(MPPT)技术的使用使得光伏组件的转换效率大幅提升,在有遮挡的情况下,光伏阵列会呈现多峰的输出曲线,传统的MPPT方法容易陷入局部最大功率点,无法追踪到全局的最大功率点。全局算法中,传统粒子群算法存在收敛速度慢、种...
关键词：MPPT APSO 电导增量法 
氢注入在硅异质结太阳电池a-Si:H窗口层中的研究被引量：1
《太阳能学报》2021年第6期103-108,共6页陈仁芳 张丽平 吴卓鹏 李振飞 孟凡英 刘正新 
中科院先导专项A(XDA17020403);国家自然科学基金面上项目(62074153);上海市科技创新行动计划项目(20dz1207103,19DZ1207602)。
基于热丝化学气相沉积(Cat-CVD)系统开展氢注入对超薄(<10 nm)氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜特性改善的研究,发现适当的氢注入可提高薄膜内的氢含量、降低其微结构因子并展宽其光学带隙。将该方法用于处理硅异质结(SHJ)太阳电池入光侧的本征...
关键词：氢注入 硅异质结太阳电池 非晶硅薄膜 钝化 缺陷态 
CIGSeS薄膜太阳电池的H2S硫化研究
《太阳能学报》2020年第4期37-43,共7页王宪 韩安军 韦小庆 孟凡英 刘正新 
国家自然科学基金(61204005);上海张江国家自主创新示范区专项发展资金(ZJ2015-ZD-001)。
采用H2S硫化的方法制备铜铟镓硒硫(Cu(In1-xGax)(Se1-ySy)2,CIGSeS)吸收层,研究硫化温度和时间对CIGSeS吸收层和电池性能的影响。结果表明,550~580℃硫化处理时,电池的开路电压得到有效提升,但硫化温度为600℃时,薄膜表面出现局部开裂现...
关键词：CIGSeS H2S 硫化 薄膜 太阳电池 开路电压 
H2Se气态硒化后退火温度对CIGS薄膜中Ga再分布的影响
《太阳能学报》2018年第9期2585-2590,共6页黄勇亮 孟凡英 沈文忠 吴敏 刘正新 
航天先进技术联合研究中心技术创新项目(13GFZ-JJ08-034)
采用H2Se气体在400℃下对溅射的Cu-In-Ga金属预制层进行硒化处理制备CIGS薄膜，然后采用原位退火的方法改善Ga元素在CIGS薄膜内的纵向分布和薄膜内的晶粒尺寸，研究退火温度对CIGS薄膜表面Ga元素含量和结晶性的影响。CIGS薄膜中Ga元素...
关键词：H2Se硒化 退火温度 Ga再分布 晶粒生长 CIGS薄膜 
高迁移率IWO薄膜特性及其在薄膜硅/晶体硅异质结太阳电池中的应用研究被引量：3
《太阳能学报》2018年第5期1329-1334,共6页沈磊磊 孟凡英 石建华 刘正新 
国家高技术研究发展(863)计划(2011AA050501);中国科学院知识创新工程重要方向性项目(KGCX2-Y-YW-399+11);上海张江国家自主创新示范区专项发展基金(ZJ2015-ZD-001)
采用反应等离子沉积（RPD）技术在玻璃衬底上制备掺W的In2O3（IWO）薄膜,实验发现氧偏压对薄膜特性影响较大。研究氧偏压对IWO薄膜光电特性的影响,低温条件下制备的薄膜结晶性较好,IWO迁移率达到60.0cm2/（V·s）。经过退火处理后,IWO...
关键词：透明导电薄膜 IWO 迁移率 异质结太阳电池 
金属与超薄非晶硅薄膜的接触特性研究被引量：5
《太阳能学报》2016年第11期2952-2957,共6页刘美玲 俞健 卞剑涛 张丽平 孟凡英 刘正新 
国家高技术研究发展(863)计划(2011AA050501)
研究金属与非晶硅薄膜(a-Si:H)的接触特性,用于晶体硅异质结太阳电池新型电极技术开发。采用等离子体增强的化学气相沉积(PECVD)技术制备超薄(~10 nm)a-Si:H薄膜,利用真空镀膜技术制作金属电极,采用圆点传输线模型(CDTLM)研究a-Si:H与...
关键词：超薄非晶硅薄膜 欧姆接触 低温退火 比接触电阻 
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