董丹

作品数:5被引量:4H指数:1
导出分析报告
供职机构:西安理工大学更多>>
发文主题:自润滑磁控溅射A-SI:H纳米晶氢化非晶硅薄膜更多>>
发文领域:一般工业技术金属学及工艺化学工程电气工程更多>>
发文期刊:《稀有金属材料与工程》《硅酸盐学报》《人工晶体学报》《金属学报》更多>>
所获基金:国家自然科学基金更多>>
-

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
条 记 录,以下是1-5
视图:
排序:
调制脉冲磁控溅射峰值靶功率密度对纯Ti镀层沉积行为的影响(英文)被引量:2
《稀有金属材料与工程》2019年第11期3433-3440,共8页杨超 蒋百灵 王迪 黄蓓 董丹 
调制脉冲磁控溅射可通过改变强、弱离化阶段的脉冲强度和占空比等电场参量,大幅调控镀料粒子的离化率、沉积能量和数量,实现对沉积镀层形核与生长过程的精确把控。在非平衡闭合磁场条件下,采用调制脉冲磁控溅射技术,通过对其强离化脉冲...
关键词:纳米晶 Ti镀层 调制脉冲磁控溅射 峰值靶功率密度 
碳基非晶镀层的纳米晶诱发机理及其摩擦学性能研究
《金属学报》2017年第7期879-887,共9页董丹 蒋百灵 郭萌 杨超 
国家自然科学基金项目No.51271144~~
采用磁控溅射离子镀技术制备了一组不同Cr含量的碳基离子镀层,利用XRD、SEM、TEM、XPS及Raman光谱对镀层的微观结构进行了表征,并分析了微观结构对镀层的力学性能及摩擦学性能的影响。实验结果表明:随着Cr含量的增加,碳基镀层从典型的...
关键词:碳基镀层 CR含量 微观结构 摩擦学性能 
射频功率对Si薄膜微观结构及电学性能的影响
《人工晶体学报》2014年第11期2835-2839,共5页郝娟 蒋百灵 杨超 董丹 张彤晖 
国家自然科学基金(51271144)
采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法制备了不同射频功率的Si薄膜,并对其进行真空退火处理。研究了射频功率和退火处理对薄膜微观结构和电学性能的影响,并总结了不同电场环境对薄膜原子排列有序度的影响规律。结果表明:随射频功率的...
关键词:SI薄膜 射频功率 微观结构 少子寿命 
PH_3/SiH_4气流量比对N型a-Si:H薄膜微观结构与电学性能的影响
《硅酸盐学报》2013年第12期1668-1673,共6页董丹 时惠英 蒋百灵 鲁媛媛 张岩 
国家自然科学基金项目(51271144)资助
采用等离子体增强化学气相沉积法制备了不同PH3/SiH4气流量比条件下的N型a-Si:H系列薄膜,研究了PH3/SiH4气流量比对N型a-Si:H薄膜微结构和电学性能的影响;同时,对最优PH3/SiH4气流量比条件下的N型a-Si:H薄膜进行了真空退火处理,以研究...
关键词:磷掺杂氢化非晶硅薄膜 磷掺杂比 退火 载流子浓度 电阻率 
硼掺杂量对P型a-Si:H膜微结构和光/电学性能的影响被引量:2
《硅酸盐学报》2013年第3期364-369,共6页时惠英 董丹 蒋百灵 鲁媛媛 刘宁 
国家自然科学基金项目(51271144)资助
采用等离子体增强化学气相沉积法制备了不同硼掺杂比的P型a-Si:H系列薄膜。研究了硼掺杂比对P型a-Si:H薄膜微结构和光/电学性能的影响;同时,对最优掺杂比下的P型a-Si:H薄膜进行了真空退火处理,以研究薄膜晶体结构的改变对其光/电学性能...
关键词:硼掺杂氢化非晶硅薄膜 硼掺杂比 真空退火 光学带隙 电阻率 
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部