准分子激光晶化

作品数：12被引量：15H指数：3
导出分析报告
相关领域：电子电信理学更多>>
相关作者：杨定宇蒋孟衡杨军廖燕平吴春亚更多>>
相关机构：成都信息工程大学上海交通大学中国科学院长春光学精密机械与物理研究所南开大学更多>>
相关期刊：《稀有金属材料与工程》《材料科学与工程学报》《微电子学》《光电子技术》更多>>
相关基金：国家自然科学基金四川省应用基础研究计划项目更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
非晶硅薄膜厚度及特性对准分子激光晶化的影响
《表面技术》2018年第4期109-114,共6页李小龙 黄鹏 张慧娟 李栋 田雪雁 李良坚 刘政 
目的增加准分子激光晶化最优能量密度的工艺窗口以及提高晶化后多晶硅晶粒尺寸的均匀性,并最终改善低温多晶硅薄膜晶体管(Low Temperature Poly Silicon Thin Film Transistor,LTPS TFT)的特性。方法采用PECVD技术在玻璃基板上沉积不同...
关键词：非晶硅薄膜 准分子激光晶化 折射率 薄膜晶体管器件特性 
非晶硅薄膜和结晶硅薄膜的拉曼光谱被引量：2
《实验室研究与探索》2016年第8期33-36,共4页马希文 杨玉庆 张坤 何佳 张霞 
国家自然科学青年基金资助项目(61404082);上海市市级大学生创新训练资助项目(cs1505010)
以玻璃为衬底,利用等离子体增强化学气相沉积工艺制备了非晶硅(α-Si)薄膜,然后通过准分子激光晶化方式获得结晶硅(nc-Si)薄膜,采用激光显微拉曼光谱仪对非晶硅薄膜、结晶硅薄膜这两类薄膜的拉曼光谱效应和结晶质量等进行了定量分析。...
关键词：非晶硅薄膜 结晶硅薄膜 准分子激光晶化 拉曼光谱 拉曼位移 
非晶硅薄膜的准分子激光晶化研究被引量：3
《红外与激光工程》2015年第3期959-963,共5页秦娟娟 邵景珍 刘凤娟 方晓东 
利用Kr F准分子激光器晶化非晶硅薄膜,研究了不同的激光能量密度和脉冲次数对非晶硅薄膜晶化效果的影响。利用X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对晶化前后的样品的物相结构和表面形貌进行了表征和分析。实验结果表明,在激光频率为1...
关键词：准分子激光退火 非晶硅薄膜 多晶硅 能量密度 脉冲次数 
采用固相晶化和准分子激光晶化制备结晶硅薄膜的对比
《机械工程材料》2014年第11期46-49,108,共5页王志雄 王欣 李霞霞 黄飞武 张霞 
上海市市级大学生创新训练资助项目(cs1305010);上海高校一流学科(培育)基金资助项目(YLJX12-2)
为制备高质量的结晶硅薄膜,以工业玻璃为衬底,利用等离子体增强化学气相沉积工艺制备了非晶硅(α-Si)薄膜,然后分别通过固相晶化和准分子激光晶化两种工艺制备结晶硅(nc-Si)薄膜,采用激光显微拉曼光谱仪、X射线衍射仪和扫描电子显微镜...
关键词：非晶硅薄膜 结晶硅薄膜 固相晶化 准分子激光晶化 结晶率 
MgZnO薄膜的准分子激光晶化(英文)
《稀有金属材料与工程》2012年第S3期313-315,共3页胡居广 李启文 林晓东 罗仲宽 曹慧群 刁雄辉 张一倩 陈展耀 汤华斌 
S&T Research Foundation of Shenzhen(JCYJ20120613112423982,JC201005280419A)
利用KrF准分子激光,在室温下对PLD法制备的MgZnO薄膜进行激光退火处理,研究了激光能量密度为50~167 mJ/cm^2时对薄膜结晶性能的影响,并用XRD、AFM、透射光谱等测试手段对薄膜进行表征。结果表明,在能量密度为125 mJ/cm^2时,薄膜具有最...
关键词：MgZnO薄膜 晶化 激光退火 
低温多晶硅薄膜的制备评述被引量：3
《材料科学与工程学报》2008年第2期298-301,共4页杨定宇 蒋孟衡 杨军 
四川省应用基础研究基金资助项目(04JY029-104)
低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS-TFT)驱动技术是实现大尺寸全彩平板显示的必由之路。然而,传统的低温多晶硅薄膜制作工艺存在着工序复杂、薄膜均匀性差、可能有金属污染且造价昂贵等问题。因此,有必要研发新一代的低温多晶硅薄膜制备工艺以...
关键词：低温多晶硅薄膜 金属诱导横向晶化 准分子激光晶化 电感耦合等离子体化学气相沉积 
低温多晶硅薄膜的制备工艺研究
《真空》2008年第1期41-44,共4页杨定宇 蒋孟衡 杨军 
四川省应用基础研究基金资助项目(04JY029-104)
低温多晶硅薄膜是制备高性能薄膜晶体管的首选材料,由其制成的薄膜晶体管由于在平板显示器件驱动中所展现的优越性能而受到广泛关注。本文系统介绍了低温多晶硅薄膜的三种制备方法—金属诱导横向晶化法、准分子激光晶化法和电感耦合等...
关键词：低温多晶硅薄膜 金属诱导横向晶化 准分子激光晶化 电感耦合等离子体化学气相沉积 
低温多晶硅薄膜制备技术应用进展被引量：1
《电子元件与材料》2007年第8期8-11,共4页杨定宇 蒋孟衡 涂小强 
四川省应用基础研究基金资助项目(04JY029-104)
系统介绍了金属诱导横向晶化法、准分子激光晶化法、触媒化学气相沉积法(Cat-CVD)以及电感耦合等离子体化学气相沉积法(ICP-CVD)制备低温多晶硅薄膜的原理及进展。对不同制备工艺的优势和不足进行了比较,重点讨论了Cat-CVD和ICP-CVD在...
关键词：半导体技术 低温多晶硅薄膜 综述 金属诱导横向晶化 准分子激光晶化 触媒化学气相沉积 电感耦合等离子体化学气相沉积 
准分子激光晶化制备TFT多晶硅薄膜的研究进展被引量：5
《微电子学》2006年第1期70-74,共5页言益军 戴永兵 王俊 孙宝德 
对准分子激光晶化制备TFT用多晶硅薄膜的研究进展进行了综述。介绍了晶化过程中的超级横向生长现象。主要结合各种基于光束调制和光刻技术的人工控制超级横向生长方法,讨论了获得大晶粒尺寸优质多晶硅薄膜的途径。
关键词：TFT 多晶硅薄膜 准分子激光晶化 人工控制超级横向生长 
a-SiGe_x∶H薄膜准分子激光晶化的研究
《光电子技术》1998年第3期192-196,共5页吴春亚 张建军 李洪波 王庆章 王宗畔 赵颖 耿新华 孙钟林 
国家自然科学基金!59572034;南开大学校内基金
用KrF准分子激光、XeCl准分子激光在不同条件下对Ge含量不同的四种a－SiGex∶H样品进行退火。只要激光退火能量密度合适，Ge含量不同的a－siGex∶H薄膜都可以被多晶化；随着Ge含量的增加，激光晶化阈值能量密度降低，耐退火能力也降低...
关键词：薄膜 激光退火 多晶化 准分子激光 
全选清除导出
共2页<12>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部