准分子激光晶化制备TFT多晶硅薄膜的研究进展  

Progress in the Research of Poly-Si Film for TFT Prepared by Excimer-Laser Crystallization

作　　者：言益军[1] 戴永兵[1] 王俊[1] 孙宝德[1] 

机构地区：[1]上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室,上海200030

出　　处：《微电子学》2006年第1期70-74,共5页Microelectronics

摘　　要：对准分子激光晶化制备TFT用多晶硅薄膜的研究进展进行了综述。介绍了晶化过程中的超级横向生长现象。主要结合各种基于光束调制和光刻技术的人工控制超级横向生长方法,讨论了获得大晶粒尺寸优质多晶硅薄膜的途径。The latest development of poly-Si film for TFT prepared by exeimer-laser crystallization （ELC） method is reviewed. The super lateral growth （SLG） phenomenon in the crystalllzation process is introduced. Approaches to enlarging poly-Si film grain size are discussed, with emphasis on existing optics-based and lithography-based artificial controlled super lateral growth （AC-SLG） methods.

关 键 词：TFT 多晶硅薄膜 准分子激光晶化 人工控制超级横向生长 

分 类 号：TN305[电子电信—物理电子学]