a-SiGe_x∶H薄膜准分子激光晶化的研究  

Investigation on Excimer Laser Annealing to a-SiGe_x:H Film

作　　者：吴春亚[1,2] 张建军[1,2] 李洪波[1,2] 王庆章 王宗畔[1,2] 赵颖 耿新华[1,2] 孙钟林 

机构地区：[1]南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津300071 [2]国家教委光学信息技术科学开放研究实验室

出　　处：《光电子技术》1998年第3期192-196,共5页Optoelectronic Technology

基　　金：国家自然科学基金!59572034;南开大学校内基金

摘　　要：用KrF准分子激光、XeCl准分子激光在不同条件下对Ge含量不同的四种a－SiGex∶H样品进行退火。只要激光退火能量密度合适，Ge含量不同的a－siGex∶H薄膜都可以被多晶化；随着Ge含量的增加，激光晶化阈值能量密度降低，耐退火能力也降低；在相同的激光晶化能量密度下，Ge含量越高的薄膜，激光晶化的效果越好，晶粒尺寸长得越大。a-SiGex: H films with different Ge content were annealed by KrF and XeCl excimer laser. All SiGe films can be poly-crystallized if laser energy density goes beyond threshold. The film with more Ge content has lower energy density threshold and larger grain size.

关 键 词：薄膜 激光退火 多晶化 准分子激光 

分 类 号：O484[理学—固体物理] TN24[理学—物理]