激光退火

作品数：131被引量：119H指数：5
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：田雪雁严利人王治罗军周卫更多>>
相关机构：京东方科技集团股份有限公司上海微电子装备(集团)股份有限公司深圳市华星光电技术有限公司中国科学院更多>>
相关期刊：更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家科技重大专项国家重点基础研究发展计划河北省自然科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
激光退火技术在分立器件中应用的研究
《功能材料与器件学报》2024年第5期281-286,共6页王雷 
激光退火是一种激活效率高,热预算小,激活深度可控的激活工艺,对具有垂直结构的分立器件进行背面注入退火激活时,可以大大降低热预算,避免背面工艺对正面器件的影响,进一步降低超薄片在加工中因形变导致的翘曲和碎裂。本文以FS-IGBT背...
关键词：激光退火 分立器件 FS-IGBT 多光束激光退火 超薄片 
4H-SiC界面飞秒激光退火及其电学性能优化
《光学精密工程》2024年第19期2889-2898,共10页任瑜启 岳云帆 李盛 柴年垚 陈襄玉 曾终乐 赵峰毅 王欢 王学文 
海南省科技计划三亚崖州湾科技城联合项目(No.2021JJLH0058);国家重点研发计划资助项目(No.2020YFA0715000);广东省基础与应用基础研究基金资助项目(No.2021B1515120041)。
改善SiC与金属界面间的电接触性质有助于推动SiC材料在高频高功率器件领域的发展。采用波长为1030 nm近红外飞秒激光退火处理4H-SiC表面,研究了不同激光参数对退火效果的影响。通过扫描电镜、X射线光电子能谱仪、共聚焦拉曼光谱仪等分...
关键词：飞秒激光 碳化硅 接触界面 肖特基势垒 
28nm HKMG技术中镍硅化物异常生长引发的失效
《半导体技术》2024年第9期838-843,共6页方精训 姜兰 
针对28nm高介电常数金属栅(HKMG)技术研发初期出现的镍硅化物异常导致的失效进行了深入探究。发现第二道镍硅化物激光退火工艺对产品良率有重要影响。对裸晶内失效位置进行透射电子显微镜(TEM)检测,结果表明失效区域均为PMOS器件的SiGe...
关键词：镍硅化物 良率 激光退火 热预算 高介电常数金属栅(HKMG) 
基于ESP32的激光器控制系统设计被引量：1
《集成电路应用》2024年第6期1-3,共3页苏海业 
阐述针对激光退火设备中对多种类型激光器控制需求及安全保护,设计一套激光器控制系统。设计基于ESP32主控芯片,集成2.4GHz Wi-Fi和蓝牙双模的单芯片方案,采用台积电超低功耗的40nm工艺,具有超高的射频性能、稳定性、通用性和可靠性。Wi...
关键词：激光退火 激光器控制 ESP32 PWM脉宽调制 
基于激光位移传感器的预对准方法分析
《集成电路应用》2024年第5期48-51,共4页苏海业 
阐述设计的一种基于高精度激光位移传感器实现预对准的方法,并分析晶圆边缘扫描特征对晶圆圆心定位精度误差的主要影响因素。为进一步探究原因,同时测试工件台水平度、采样频率和扫描路径对晶圆扫描结果的影响,验证了使用激光位移传感...
关键词：预对准 激光位移传感器 圆心 激光退火 特征曲线 晶圆加工 
CO_(2)激光退火不同外径锗芯光纤的扫描速度研究
《光子学报》2024年第4期84-94,共11页杜亦凡 赵子文 钟双栖 马泽成 王少业 
国家自然科学基金(No.61975114)。
对内径为41~43μm,外径约为188μm、251μm和270μm的锗芯光纤进行激光退火实验,研究CO_(2)激光沿光纤轴向扫描速度对锗芯拉曼峰频率和光传输损耗特性的影响。研究发现,激光扫描速度是决定退火后光纤特性的重要参数。对不同外径的光纤,...
关键词：锗芯光纤 CO_(2)激光退火 激光扫描速度 COMSOL仿真 温度变化模拟 
SiC激光退火欧姆接触模拟分析及实验研究
《光电技术应用》2024年第1期39-45,共7页邹东阳 李果 李延锋 夏金宝 聂鸿坤 张百涛 
实现高可靠性、低电阻欧姆接触是获得高性能SiC功率半导体器件的前提,其直接决定功率器件的能耗水平。激光退火凭借局域化、温升快、控制灵活、精度高、连续能量输出稳定等优点,成为SiC功率器件的新一代主流退火技术。总结了近年来国内...
关键词：碳化硅(SiC) 半导体功率器件 欧姆接触 激光退火 
半导体集成电路制造中的准分子激光退火研究进展被引量：2
《红外与激光工程》2023年第12期69-90,共22页喻学昊 方晓东 游利兵 王怡哲 刘墨林 王豪 
国家自然科学基金项目(62175167);广东省重点建设学科科研能力提升项目(2021ZDJS112);广东省科技计划项目(2021QN02Z552);深圳市科技计划资助项目(JCYJ20210324120207021,JSGG20220831094202005,KQTD20170331115422184);中国科学院核心关键技术攻关项目(ZKYXG-2018-04)。
随着半导体集成电路芯片的尺寸越来越小、结构越来越复杂,芯片制造过程中的退火工艺技术也在不断进步。激光退火以其在芯片制造过程中热预算控制的优势,在芯片制造退火工艺中的重要性正在显现。而准分子激光的特点是波长短、峰值功率高...
关键词：半导体制造工艺 热预算 激光退火 准分子激光 
基于有限元分析法的激光退火铜基铌薄膜温度场模拟
《原子核物理评论》2023年第4期541-546,共6页王长霖 谭腾 熊平然 罗迪迪 朱同同 初青伟 
甘肃省科技计划项目(20JR5RA553);中国科学院青年创新促进会。
铜基铌薄膜腔是一种基于纯铌腔发展而来的射频超导腔。新型铜基铌薄膜腔具有与纯铌腔相似的射频超导性能,同时具备经济性、机械稳定性和热稳定性等方面的优势,因此在射频超导领域具有广泛的应用前景。然而,铜基铌薄膜腔的表面缺陷会引...
关键词：铜基铌薄膜 激光退火 射频超导 有限元分析 光纤激光器 
CO_(2)激光退火锗芯光纤COMSOL仿真研究
《激光与光电子学进展》2023年第15期144-151,共8页王少业 张剑波 赵子文 杜亦凡 钟双栖 
国家自然科学基金(61975114)。
采用COMSOL Multiphysics有限元仿真软件模拟不同功率、不同扫描速度的CO_(2)激光退火锗芯光纤过程中的温度场分布。通过分析激光退火过程中光纤温度场的分布和变化,得到较为适合的激光退火条件。结合退火后锗芯光纤的拉曼光谱测试,发...
关键词：光纤光学 锗芯光纤 COMSOL仿真 CO_(2)激光 温度场分布 
全选清除导出
共14页<12345678910>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部