吕懿

作品数：18被引量：43H指数：3
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单轴应变Si n型金属氧化物半导体场效应晶体管源漏电流特性模型被引量：1
《物理学报》2015年第19期272-277,共6页吕懿 张鹤鸣 胡辉勇 杨晋勇 殷树娟 周春宇 
教育部博士点基金(批准号:JY0300122503);中央高校基本业务费(批准号:K5051225014;K5051225004)资助的课题~~
本文在建立单轴应变Si n型金属氧化物半导体场效应晶体管迁移率模型和阈值电压模型的基础上,基于器件不同的工作区域,从基本的漂移扩散方程出发,分别建立了单轴应变Si NMOSFET源漏电流模型.其中将应力的影响显式地体现在迁移率和阈值电...
关键词：单轴应变Si n型金属氧化物半导体场效应晶体管 迁移率 阈值电压 
单轴应变硅N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管电容特性模型
《物理学报》2015年第6期345-350,共6页吕懿 张鹤鸣 胡辉勇 杨晋勇 殷树娟 周春宇 
教育部博士点基金(批准号:JY0300122503);中央高校基本业务费(批准号:K5051225014;K5051225004)资助的课题~~
电容特性模型是单轴应变硅金属氧化物半导体场效应晶体管(Si MOSFET)和电路进行瞬态分析、交流小信号分析、噪声分析等的重要基础.本文首先建立了单轴应变Si NMOSFET的16个微分电容模型,并将微分电容的仿真结果与实验结果进行了比较,验...
关键词：单轴应变Si 微分电容 栅电容 
单轴应变Si NMOSFET热载流子栅电流模型被引量：1
《物理学报》2014年第19期296-302,共7页吕懿 张鹤鸣 胡辉勇 杨晋勇 
教育部博士点基金(批准号:JY0300122503);中央高校基本业务费(批准号:K5051225014;K5051225004)资助的课题~~
热载流子效应产生的栅电流是影响器件功耗及可靠性的重要因素之一,本文基于热载流子形成的物理过程,建立了单轴应变硅NMOSFET热载流子栅电流模型,并对热载流子栅电流与应力强度、沟道掺杂浓度、栅源电压、漏源电压等的关系,以及TDDB(经...
关键词：单轴应变Si 热载流子 栅电流模型 
应变Si n型金属氧化物半导体场效应晶体管电荷模型被引量：1
《物理学报》2014年第1期294-299,共6页周春宇 张鹤鸣 胡辉勇 庄奕琪 吕懿 王斌 王冠宇 
教育部博士点基金(批准号:JY0300122503);中央高校基本业务费(批准号:K5051225014;K5051225004);陕西省自然科学基金(批准号:2010JQ8008)资助的课题~~
基于应变Si/SiGe器件结构,本文建立了统一的应变Si NMOSFET电荷模型.该模型采用电荷作为状态变量,解决了电荷守恒问题.同时采用平滑函数,实现了应变Si NMOSFET端口电荷及其电容,从亚阈值区到强反型区以及从线性区到饱和区的平滑性,解决...
关键词：应变Sin型金属氧化物半导体场效应晶体管 电荷模型 平滑函数 
应变Si NMOSFET漏电流解析模型被引量：2
《物理学报》2013年第23期300-307,共8页周春宇 张鹤鸣 胡辉勇 庄奕琪 吕懿 王斌 李妤晨 
教育部博士点基金(批准号:JY0300122503);中央高校基本业务费(批准号:K5051225014;K5051225004);陕西省自然科学基金(批准号:2010JQ8008)资助的课题~~
基于应变Si/SiGe器件结构,本文建立了统一的应变Si NMOSFET漏电流解析模型.该模型采用平滑函数,实现了应变Si NMOSFET漏电流及其导数,从亚阈值区到强反型区以及从线性区到饱和区的平滑性,解决了模型的连续性问题.同时考虑了载流子速度...
关键词：应变SI NMOSFET 漏电流 解析模型 
应变Si NMOS积累区电容特性研究
《物理学报》2013年第5期369-374,共6页王斌 张鹤鸣 胡辉勇 张玉明 舒斌 周春宇 李妤晨 吕懿 
国家部委项目(批准号:51308040203;6139801);中央高校基本科研业务费(批准号:72105499;72104089);陕西省自然科学基础研究计划(批准号:2010JQ8008)资助的课题~~
积累区MOS电容线性度高且不受频率限制,具有反型区MOS电容不可比拟的优势.本文在研究应变Si NMOS电容C-V特性中台阶效应形成机理的基础上,通过求解电荷分布,建立了应变Si/SiGe NMOS积累区电容模型,并与实验结果进行了对比,验证了模型的...
关键词：应变SI NMOS 积累区电容 台阶效应 电荷分布 
SiGe HBT大信号等效电路模型被引量：6
《物理学报》2006年第1期403-408,共6页胡辉勇 张鹤鸣 吕懿 戴显英 侯慧 区健锋 王伟 王喜嫒 
国家部委预研基金(批准号:41308060108);模拟集成电路国家重点实验室基金(批准号:51408010301DZ01);西安电子科技大学青年科研工作站基金(批准号:03011#)资助的课题~~
基于SiGeHBT(异质结双极晶体管)的物理模型,建立了描述SiGeHBT的大信号等效电路模型.该等效电路模型考虑了准饱和效应和自热效应等,模型分为本征和非本征两部分,物理意义清晰,拓扑结构相对简单.该模型嵌入了PSPICE软件的DEVEO(器件方程...
关键词：SIGE HBT 等效电路模型 PSPICE 
基于可动电荷的SiGe HBT势垒电容被引量：1
《西安电子科技大学学报》2004年第6期837-840,共4页吕懿 张鹤鸣 戴显英 胡辉勇 舒斌 
国家部委预研基金资助项目(51408010301DZ0131)
当SiGeHBT处于交流放大状态时,发射结空间电荷区和集电结空间电荷区存在可动电荷,因此,在考虑它们的势垒电容时,应采用微分电容.另外,集电结势垒区宽度与电流密度密切相关,依据电流密度该电容有3种情况.在SiGeHBT载流子输运基础上,建立...
关键词：SIGE HBT 势垒电容 微分电容 可动电荷 
宽禁带半导体金刚石被引量：9
《电子科技》2004年第7期43-49,共7页李发宁 张鹤鸣 戴显英 朱国良 吕懿 
较详细地叙述了当前国内外正处在研究热潮中的金刚石半导体的优越性质、发展状况及其应用和潜在的应用前景。同时分析和比较了金刚石薄膜的各种制备方法,可以看出微波等离子体化学汽相沉积法是较好的制备金刚石薄膜的生长技术,并且分析...
关键词：宽禁带 金刚石 MPCVD 大功率 
含有δ掺杂层的SiGe pMOS量子阱沟道空穴面密度研究被引量：7
《物理学报》2004年第12期4314-4318,共5页胡辉勇 张鹤鸣 戴显英 吕懿 舒斌 王伟 姜涛 王喜媛 
西安电子科技大学青年科研工作站(批准号 :0 3 0 11)资助的课题~~
建立了含有δ掺杂层的SiGepMOS器件量子阱沟道中空穴面密度的静态与准静态物理模型 ,并对该模型进行了数值分析 .讨论了静态时器件量子阱空穴面密度与δ掺杂层杂质浓度和本征层厚度的关系 ,阈值电压VT 与δ掺杂层杂质浓度NA、量子阱沟...
关键词：Δ掺杂 量子阱 MOS器件 本征 沟道 杂质浓度 阈值电压 空穴 准静态 载流子 
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