Δ掺杂

作品数：64被引量：43H指数：3
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基于InAs/GaAs异质结的δ掺杂磁半导体纳米结构的电子自旋输运
《宜春学院学报》2023年第6期36-40,101,共6页李健文 梁文斯钰 朱昊天 赖伊倩 吴子明 吴琦 
江西省教育厅科学技术研究项目(编号:GJJ190962);江西省大学生创新创业训练计划项目(编号:S202011319009)。
本文研究了基于InAs/GaAs异质结的δ掺杂磁纳米结构的电子自旋输运性质。计算了透射系数、电导和自旋极化。主要分析和讨论了δ掺杂的权重和位置对电子自旋极化输运的影响。结果表明,δ掺杂权重的增加可以显著抑制电子的透射系数和电导...
关键词：磁纳米结构 Δ掺杂 自旋极化 自旋电子器件 
阱内δ掺杂GaSbBi单量子阱红外发光效率的光致发光光谱研究
《红外与毫米波学报》2022年第1期317-322,共6页马楠 窦程 王嫚 朱亮清 陈熙仁 刘锋 邵军 
国家自然科学基金项目(11974368,61675224);上海市自然科学基金和科学仪器领域项目(18ZR1446100,20142201000);中国科学院上海技术物理研究所创新项目(CX-289)。
采用变激发功率红外光致发光(Photoluminescence,PL)光谱方法研究四个不同阱内δ掺杂面密度的GaSb_(0.93)Bi_(0.07)/GaSb单量子阱(Single Quantum Well,SQW)及其非掺杂SQW参考样品。通过分析GaSbBi SQW和GaSb势垒/衬底成分的PL强度演化...
关键词：红外光致发光 GaSbBi 发光效率 阱内δ掺杂 
掺杂维度和浓度调控的δ掺杂的La:SrTiO_(3)超晶格结构金属-绝缘体转变被引量：1
《物理学报》2021年第22期270-274,共5页李云 鲁文建 
教育部留学回国人员科研启动基金(批准号:[2015]-1098)资助的课题.
利用密度泛函理论计算,本文系统研究了δ掺杂的La:SrTiO_(3)超晶格结构的电子性质随掺杂维度和掺杂浓度改变而变化的规律性.该结构通过在SrTiO_(3)等间距的单元层中掺入一定浓度的La来实现.在25%La掺杂浓度下,随着相邻掺杂层间距从1个...
关键词：二维掺杂 强关联 金属-绝缘体转变 
高灵敏度Sb基量子阱2DEG的霍尔器件（英文）
《发光学报》2018年第5期687-691,共5页武利翻 苗瑞霞 商世广 
Supported by National Natural Science Foundation of China(51302215);Scientific Research Program Funded by Shaanxi Provincial Education Department(17JK0698);The Science and Technology Project of Shaanxi Province(2016KRM029)~~
用分子束外延技术将高灵敏度的In As/Al Sb量子阱结构的Hall器件赝配生长在Ga As衬底上。设计了由双δ掺杂构成的Hall器件的新结构,有效地提高了器件的面电子浓度。与传统的没有掺杂的In As/Al Sb量子阱结构的Hall器件相比,室温下器件...
关键词：霍尔器件 量子阱 双δ掺杂 分子束外延 
δ掺杂对磁纳米结构中电子输运性质的影响
《武汉科技大学学报》2018年第1期20-23,共4页赵猛 卢建夺 刘宏玉 熊祖钊 
国家自然科学基金资助项目(11304236);湖北省自然科学基金资助项目(2014CFA121);武汉科技大学冶金工业过程系统科学湖北省重点实验室资助项目(Y201701)
建立铁磁条调制下含有δ掺杂的磁纳米结构模型,计算不同δ掺杂位置及高度时电子的透射几率及自旋极化率,重点研究了该纳米结构中电子的自旋输运性质。结果表明,该磁纳米结构中可实现较显著的自旋极化效应,且δ掺杂的位置及高度均会对其...
关键词：Δ掺杂 磁纳米结构 电子输运 自旋极化 
氮δ掺杂Cu_2O薄膜的生长及物性研究被引量：2
《中国激光》2018年第1期135-139,共5页李微 潘景薪 王登魁 方铉 房丹 王新伟 唐吉龙 王晓华 孙秀平 
国家自然科学基金(61404009);吉林省科技发展计划(20170520118JH);长春理工大学科技创新基金(XJJLG-2016-14)
采用等离子体增强原子层沉积(PEALD)技术,以NH3为掺杂源,制备了氮δ掺杂Cu_2O薄膜,研究了N掺杂对Cu_2O薄膜表面形貌、光学及电学性质的影响。研究结果表明,N掺杂引起了晶格畸变,Cu_2O薄膜的表面粗糙度增大;掺杂后Cu_2O薄膜的带隙宽度从2...
关键词：材料 等离子体增强原子层沉积 氮δ掺杂 Cu2O薄膜 NH3掺杂源 
高灵敏度InAs/AlSb量子阱的霍尔器件(英文)
《发光学报》2017年第12期1650-1653,共4页武利翻 苗瑞霞 李永峰 杨小峰 
国家自然科学基金青年基金(51302215);陕西省教育厅科研计划(17JK0698)资助项目~~
用分子束外延在Ga As(001)衬底上生长了两个量子阱结构的霍尔器件,一个是没有掺杂的量子阱结构,一个是Si-δ掺杂的量子阱结构。研究了霍尔器件的面电子浓度和电子迁移率与温度的关系。结果表明,在300 K下,Si-δ掺杂的量子阱结构的电子...
关键词：霍尔器件 量子阱 Δ掺杂 分子束外延 
掺杂浓度和温度对δ掺杂的AlxGa1-xAs/GaAs双量子阱系统电子态结构和子带间光学吸收系数的影响
《南京师大学报（自然科学版）》2015年第2期23-29,共7页杨双波 赵恒飞 
在有效质量近似下,通过自洽求解薛定谔方程和泊松方程,计算了在温度不为零时δ掺杂的AlxGa1-x As/Ga As双量子阱系统的电子态结构.研究了温度和掺杂浓度对双量子阱系统子带能级、费米能量、及子带间线性光学吸收系数的影响.研究发现,系...
关键词：AlxGa1-xAs/Ga As双量子阱 掺杂浓度 子带间线性光学吸收系数 
δ掺杂Si对InAs/GaAs量子点太阳电池的影响
《人工晶体学报》2014年第12期3151-3156,共6页王科范 王珊 谷城 
中国博士后面上项目(20100470529);国家自然科学基金(61204002)
在In As/Ga As量子点的自组装生长阶段,采用δ掺杂技术对量子点进行不同浓度的Si掺杂,可以使得量子点的室温光致发光峰强度大幅提高,其原因是掺杂的Si原子释放电子钝化了周围的非辐射复合中心。这种掺杂也应用到了量子点太阳电池中,结...
关键词：INAS/GAAS量子点 太阳电池 δ掺杂Si 分子束外延 
δ掺杂Be受主GaAs/AlAs多量子阱的拉曼光谱被引量：1
《红外与毫米波学报》2014年第3期278-282,共5页黄海北 郑卫民 丛伟艳 孟祥艳 翟剑波 
山东省自然科学基金(ZR2012FM028)~~
通过显微拉曼(Raman)光谱仪,对一系列δ掺杂GaAs/AlAs量子阱中浅受主铍(Be)原子能级间跃迁进行了研究.实验样品是利用分子束外延技术生长在GaAs衬底(100)面上的GaAs/AlAs多量子阱,阱宽范围从30到200 A,并在阱中央进行了受主Be原子的δ掺...
关键词：拉曼光谱 多量子阱 打靶法 受主能级 
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