云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- INAS/GAAS量子点

INAS/GAAS量子点: 作品数：45被引量：37H指数：3; 导出分析报告; 相关领域：电子电信理学更多>>; 相关作者：王占国陈效双汤乃云陈涌海牛智川更多>>; 相关机构：中国科学院中国科学院大学云南师范大学北京邮电大学更多>>; 相关期刊：《功能材料》《红外与毫米波学报》《半导体技术》《中山大学学报（自然科学版）（中英文）》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划中国博士后科学基金更多>>

中山大学光电材料与技术国家重点实验室在鲁棒性拓扑角态微腔中的半导体量子点单光子发射方面取得重大进展: 《中山大学学报（自然科学版）（中英文）》2024年第2期F0003-F0003,共1页喻颖; 中山大学电子与信息学院喻颖、余思远教授团队联合中山大学物理学院陈晓东、董建文教授团队设计实现了与单个InAs/GaAs量子点的确定性耦合、单量子点的Purcell增强以及偏振的单光子发射,克服了量子拓扑光子学领域中拓扑角态与单个量子...; 关键词：INAS/GAAS量子点单光子发射半导体量子点国家重点实验室陈晓东光子学

(113)B和(100)面InAs/GaAs量子点光致发光光谱特性研究: 《半导体光电》2023年第2期222-227,共6页莫才平张靖李睿骁卢翔孟; 利用分子束外延技术在(100)和(113)B GaAs衬底上进行了有/无AlAs盖帽层量子点的生长,测量了其在4~100 K温度区间的PL光谱。通过对PL光谱的积分强度、峰值能量和半高宽进行分析进而研究载流子的热传输特性。无AlAs盖帽层的(113)B面量子点...; 关键词：分子束外延 INAS量子点光致发光 AlAs盖帽层

能级构型对InAs/GaAs量子点电磁感应透明介质中光孤子存储的影响被引量：1: 《物理学报》2023年第8期157-168,共12页王胤周驷杰陈桥邓永和; 国家自然科学基金(批准号:11832016);湖南省自然科学基金(批准号:2020JJ4240,2022JJ50115);湖南工程学院博士启动基金(批准号:22RC018)资助的课题.; 基于现有的实验,利用不同频率的光脉冲耦合到InAs/GaAs量子点的不同能级之间可形成梯形、Λ形和V形等3类量子点电磁诱导透明介质.继而研究这三类能级构型InAs/GaAs量子点电磁诱导透明介质中的光孤子形成和存储性质,结果表明,梯形和Λ形I...; 关键词：电磁诱导透明光孤子的存储与读取半导体量子点

静水压力调谐Ag纳米颗粒散射场下量子点激子寿命: 《物理学报》2022年第24期350-357,共8页黄君辉李元和王健李叔伦倪海桥牛智川窦秀明孙宝权; 国家自然科学基金(批准号:61827823,11974342)资助的课题。; 将InAs/GaAs量子点薄膜样品转移到Ag纳米颗粒覆盖的Si衬底上,然后将样品放到金刚石对顶砧压力腔室内.在1.09—1.98 GPa的压力范围内,测量了量子点激子的荧光光谱和时间分辨光谱.实验结果显示,随着静水压力的增大,激子的发光波长蓝移,激...; 关键词：INAS/GAAS量子点自发辐射速率 AG纳米颗粒长寿命激子静水压力

GaAsSb覆盖层对InAs/GaAs量子点性能影响的模拟研究: 《中国设备工程》2022年第18期135-137,共3页张同康王建平王玉强季莲; 本文采用八带k·p模型计算了覆盖有GaAsSb的InAs/GaAs量子点的载流子能量、跃迁能量和载流子概率密度。模拟结果表明,Sb组分增加主要影响了量子点的空穴能量,并最终导致量子跃迁能量下降。当Sb组分大于0.14,由I型量子点转变为II型量子点...; 关键词：II型量子点中间带太阳电池 GaAsSb覆盖层

形变对InAs/GaAs量子点光学性质的影响: 《山西大学学报（自然科学版）》2021年第2期269-274,共6页宿星亮张耕; 山西省自然科学基金(201901D111023)。; 在有效质量近似下,结合外场对材料性质的改变,并考虑压电电子学相关观点,从计算上研究了外场对闪锌矿InAs/GaAs量子点光学性质的影响,并与实验结果进行了比对。结果表明:形变会导致量子点光吸收谱线强度降低,但吸收峰峰位向高频方向移...; 关键词：INAS/GAAS量子点形变温度光吸收

基于量子点可饱和吸收镜的锁模激光器被引量：1: 《半导体技术》2021年第6期456-460,473,共6页王洪培王旭王顺刘健蒋成张子旸; 国家自然科学基金资助项目(61875222);中国博士后科学基金资助项目(2020M681729)。; 锁模光纤激光器在工业加工、光通信、光学传感等领域有广泛的应用。由于在GaAs基板上制备的InAs量子点(QD)半导体可饱和吸收镜(QD-SESAM)增益谱较宽、成本较低,将其应用于锁模光纤激光器具有非常大的潜力。然而,生长发光中心波长(λ)为1...; 关键词：被动锁模光纤激光器 InAs/GaAs量子点(QD) 量子点半导体可饱和吸收镜(QD-SESAM) SiO_(2) 环形腔

1550nm InAs/GaAs量子点调Q光纤激光器被引量：1: 《半导体技术》2020年第2期133-137,168,共6页秦亮王旭刘健蒋成陈红梅张子旸; 国家自然科学基金资助项目(61875222);重点基础研究发展计划资助项目(2016YFB0402303);中国博士后科学基金资助项目(2017M621858);江西省应用研究培育计划资助项目(20181BBE58020).; 调Q光纤激光器在光纤传感、激光雷达、激光加工和光纤通信等众多方面有着广泛的应用。半导体量子点(QD)由于具有较高的损伤阈值和宽光谱特性,是一种优良的可饱和吸收体(SA),但是目前制备发光中心波长为1550 nm的QD SA依然是一个巨大的...; 关键词：INAS/GAAS量子点被动调Q光纤激光器近红外(NIR) 量子点半导体可饱和吸收镜(QD-SESAM) 直线腔

利用大周期光子晶体结构增强InAs/GaAs量子点的激发态发光（英文）被引量：2: 《红外与毫米波学报》2019年第5期559-565,共7页秦璐徐波许兴胜; Supported by National Key Research and Development Program of China(2016YFA0301200);the Beijing Science and Technology Project no.D171100004817002;the National Natural Science Foundation of China(61575191,61627820,61875252); 在该研究中,通过激光全息和湿法腐蚀的方法在InAs/GaAs量子点材料上制备光子晶体,研究了由激光二极管激发制备了光子晶体的InAs / GaAs量子点材料的光致发光光谱.发现具有光子晶体的量子点材料的光谱显示出多峰结构,光子晶体对短波长部...; 关键词：量子点光子晶体激光全息曝光光致发光光谱

1.3μm InAs/GaAs量子点侧向耦合浅刻蚀分布反馈激光器: 《上海大学学报（自然科学版）》2019年第4期472-483,共12页李齐柱伏霞张子旸王旭陈红梅侯春彩黄源清郭春扬闵嘉华; 国家自然科学基金资助项目(61575215);科技部重点研究与发展计划资助项目(2016YFB0402303); 为了简化工艺流程和减轻制备难度,提出了1.3μm分布反馈(distributed feedback,DFB)激光器的新型制作方法.该方法采用纯折射率侧向耦合(laterally coupled,LC)结构,将一阶光栅浅刻蚀在脊形波导两侧,避免了激光器材料的二次外延和光栅深...; 关键词：分布反馈激光器侧向耦合浅刻蚀光栅边模抑制比

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