势垒电容

作品数：20被引量：39H指数：3
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N型硅外延片表面状态对肖特基接触的影响被引量：1
《甘肃科技》2017年第12期32-33,共2页薛兵 陈涛 
本文采用化学气相沉积(CVD)方法,利用平板式外延炉,在5英寸<111>晶向,2×10-3Ω·cm重掺As衬底上,生长N/N+型硅外延;试验中采用电容-电压方法,利用汞探针CV测试仪,通过金属汞与硅外延片表面接触形成肖特基势垒,测试势垒电容并转换为外...
关键词：硅外延片 电阻率 电容-电压法 势垒电容 
CV法测试电阻率的稳定性研究被引量：1
《科技创新与应用》2017年第6期45-46,共2页居斌 陈涛 
本文采用化学气相沉积(CVD)方法,利用平板式外延炉,在5英寸<111>晶向,2×10-3Ω·cm重掺As衬底上,生长N/N+型硅外延片;试验中采用电容-电压方法,利用汞探针CV测试仪,通过金属汞与硅外延片表面接触形成肖特基势垒,测试势垒电容并转换为...
关键词：硅外延片 电容-电压法 势垒电容 
CV法测试电阻率的稳定性研究
《科技创新与应用》2016年第33期12-12,共1页陈涛 李明达 李杨 边娜 
文章采用化学气相沉积（CVD）方法,生长N/N＋型硅外延片;试验中采用电容-电压方法,通过金属汞与硅外延片表面接触形成肖特基势垒,测试势垒电容并转换为外延层载流子浓度和电阻率,实现对外延层电阻率的测量。在此过程中,我们采用H2O2水...
关键词：硅外延片 电容-电压法 势垒电容 
小巧长寿的变容二极管
《无线电》2012年第5期88-91,共4页张晓东 
变容二极管又称“可变电抗二极管”．它利用半导体PN结电容或金属一半导体接触势垒电容随外加反向偏压变化而变化的原理制成，是一种专门作为“压控可变电容器”的特殊晶体二极管。变容二极管通常可替代可变电容器，在现代通信设备及家...
关键词：变容二极管 可变电容器 长寿 晶体二极管 势垒电容 家用电器 通信设备 自动微调 
中子和电子辐照诱发硅NPN晶体管负电容现象的机理分析被引量：1
《强激光与粒子束》2011年第10期2763-2766,共4页王靳君 田野 石瑞英 龚敏 温景超 巫晓燕 
研究了硅NPN双极型晶体管(C2060)的中子和电子辐照效应。实验结果显示:经中子和电子辐照后,晶体管扩散电容出现退化,甚至出现负电容(NC)现象;电子辐照后晶体管势垒电容出现明显退化,而中子辐照后并无此现象。对中子和电子辐照后晶体管...
关键词：NPN晶体管 负电容 中子辐照 电子辐照 扩散电容 势垒电容 
PN结电容与正向直流偏压的关系被引量：5
《物理与工程》2009年第1期13-16,共4页樊启勇 侯清润 
半导体PN结具有电容的性质.在正向直流偏压下,理论计算表明,PN结扩散电容的对数与正向偏压成正比.实验发现,当正向偏压小于30mV时,这种线性关系是成立的;当正向偏压大于30mV时,会偏离这种线性关系.由于PN结还具有电阻特性,对交流信号的...
关键词：PN结电容 正向直流偏压 扩散电容 势垒电容 交流信号相位 
C-V法测量pn结杂质浓度分布的基本原理及应用被引量：14
《红外》2006年第10期5-10,共6页何波 史衍丽 徐静 
全面地介绍了pn结C-V测量法的基本原理、测试设备及条件。利用pn结反向偏压时的电容特性推导了有效杂质浓度随深度分布的计算公式及突变结和线性缓变结的1/(C2)-V和1/(C3)-V关系图。应用该原理计算、分析了IN5401整流二极管pn结的特性...
关键词：C—V测量法 杂质浓度分布 PN结 势垒电容 离子注入 
SiGe HBT发射极延迟时间模型
《Journal of Semiconductors》2005年第7期1384-1389,共6页胡辉勇 张鹤鸣 戴显英 朱永刚 王顺祥 王伟 崔晓英 王青 王喜媛 
国家部委预研基金资助项目(批准号:41308060108;51408010301DZ0131)~~
在对SiGeHBT(异质结双极晶体管)载流子输运的研究基础上,建立了包括基区扩展效应SiGeHBT发射极延迟时间τe模型.发射极延迟时间与发射结势垒电容和集电结势垒电容密切相关.在正偏情况下,通常采用的势垒区耗尽层近似不再适用,此时需要考...
关键词：SIGE HBT 势垒电容 发射极延迟时间 
用开路电压法测晶体硅太阳电池少子寿命的研究
《海南大学学报（自然科学版）》2005年第2期133-139,共7页彭银生 陈庭金 
根据太阳电池的工作原理,详细论述了用脉冲光源照射n/p结太阳电池瞬间时,由于光电压,即开路电压的建立,将有电子从n区通过n/p结向p区边界注入,这些注入p区的过剩电子(少子)在运动中复合所需的时间,我们定义为少子寿命.理论上给出了注入...
关键词：少子寿命 晶体硅太阳电池 开路电压法 n/p 工作原理 脉冲光源 势垒电容 关系式 光电压 注入 P区 电子 复合带 时间 电对 
基于可动电荷的SiGe HBT势垒电容被引量：1
《西安电子科技大学学报》2004年第6期837-840,共4页吕懿 张鹤鸣 戴显英 胡辉勇 舒斌 
国家部委预研基金资助项目(51408010301DZ0131)
当SiGeHBT处于交流放大状态时,发射结空间电荷区和集电结空间电荷区存在可动电荷,因此,在考虑它们的势垒电容时,应采用微分电容.另外,集电结势垒区宽度与电流密度密切相关,依据电流密度该电容有3种情况.在SiGeHBT载流子输运基础上,建立...
关键词：SIGE HBT 势垒电容 微分电容 可动电荷 
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