杂质浓度分布

作品数：22被引量：27H指数：3
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C-V法测量GaN基蓝光LED的PN结特性被引量：4
《物理实验》2017年第5期1-6,共6页符斯列 王春安 蒋联娇 秦盈星 吴先球 
国家自然科学基金资助(No.10575039);广东省自然科学基金资助(No.S2013010012548)
应用C-V法研究了GaN基蓝光LED的PN结特性.通过变温的C-V曲线、相应的C-2-V曲线和C-3-V曲线判断GaN基PN结的结类型,计算杂质浓度分布和PN结接触电势差,并分析了温度变化对PN结特性的影响.该实验不仅能加深学生对二极管PN结及C-V法应用的...
关键词：C-V法 GaN基蓝光二极管 PN结特性 杂质浓度分布 
Origin软件在“电容-电压法测半导体杂质浓度分布”实验中的应用被引量：3
《大学物理实验》2016年第2期90-93,共4页丁格曼 张军朋 
基于电容-电压法(简称C-V法)来测量半导体杂质浓度分布,简单快速且不破坏样品。为更快速、精确求得半导体杂质浓度分布,利用Origin软件绘出样品的C-V曲线、1/C^2-V曲线的线性拟合,快速求出杂质浓度、自建场及绘制相应的杂质浓度分布曲线。
关键词：C-V测量法 ORIGIN 杂质浓度分布 PN结 
宽温区高热稳定性SiGe HBT的基区优化设计
《北京工业大学学报》2015年第5期686-692,共7页付强 张万荣 金冬月 赵彦晓 张良浩 
国家自然科学基金资助项目(61006059);北京市自然科学基金资助项目(4142007);北京市教委科技发展计划项目(KM200910005001)
为了提高SiGe异质结双极型晶体管(heterojunction bipolar transistors,HBTs)电流增益和特征频率温度热稳定性,首先研究基区杂质浓度分布对基区Ge组分分布为矩形分布的SiGe HBT电流增益和特征频率温度敏感性的影响,基区峰值浓度位置逐...
关键词：SiGe异质结双极型晶体管(HBTs) 温度敏感性 杂质浓度分布 GE组分分布 
磷杂质分布优化方法的研究
《太阳能》2014年第3期31-33,共3页董鹏 屈小勇 张治 宋志成 
以优化磷在硅中杂质分布的工艺方案为研究对象,通过扩散机理分析和实验研究的方法,对影响磷杂质分布型的关键因子进行理论探讨与实验验证。研究结果表明:硅中电子浓度与荷电空位是影响磷杂质分布的主要因子,通过扩散工艺调节实现了低表...
关键词：晶硅电池 磷杂质 扩散 杂质浓度分布 发射极 
快速晶闸管通态特性的改善被引量：2
《半导体技术》2014年第3期188-192,共5页刘国辉 田石 
从协调快速晶闸管主要参数之间矛盾关系、降低功率损耗以及并联均流应用等方面,论述了改善快速晶闸管通态特性的重要意义。在影响晶闸管通态压降的主要因素中,着重分析了提高晶闸管j3结的注入比降低通态压降的机理。为获得比较理想的杂...
关键词：快速晶闸管 通态特性 镓铝双质掺杂 杂质浓度分布 注入比 
采用镓铝双质掺杂制造快速晶闸管被引量：1
《半导体技术》2013年第1期30-34,共5页刘国辉 田石 
介绍了采用镓铝双质掺杂制造快速晶闸管的设计要点和关键工艺。根据器件的特性要求,优化设计了基区结构参数和门极-阴极图形,采用了高级交叉指状辅助门极结构,合理确定了短路发射极的尺寸及分布形式。采用固态源闭管式扩散工艺,镓铝双...
关键词：快速晶闸管 镓铝双质掺杂 杂质浓度分布 图形设计 电子辐照 
一种逻辑门极可控硅的设计
《产业与科技论坛》2009年第3期128-129,共2页邱玉石 陶春 
本文提出了一种适用于集成电路直接驱动的逻辑门极可控硅的设计,该可控硅具有合理的门极结构,精确的长、短基区宽度以及杂质浓度分布。
关键词：逻辑门极 长基区宽度 短基区宽度 杂质浓度分布 
二极管p-n结杂质浓度分布模型改进被引量：3
《中山大学学报（自然科学版）》2008年第3期37-40,46,共5页李潮锐 刘小伟 
国家自然科学基金资助项目(10675175);高等学校博士学科点专项科研基金资助项目(20050558034)
简化的突变结或线性缓变结模型已能很好地近似二极管p-n结杂质浓度分布规律,但从精密的实验测量结果中发现传统模型存在局限性。基于随机选取常用产品的C-V实验数据,利用泊松方程并结合提出的改进模型,可以更准确地描述p-n结杂质浓度分...
关键词：p—n结 杂质浓度 C—V法 泊松方程 
射频低压器件物理和工艺技术的综合分析
《中国集成电路》2007年第5期72-78,共7页鲍荣生 
本文的射频是指手机工作频率fo=0.9GHz和1.8GHz,低电源电压是3～5V;众所周知,工作频率和特征频率fT密切相关,一般希望fo/fT是10%;现代的多晶硅发射区工艺技术可以控制基区宽度小到低于100nm,从器件物理分析可以满足手机要求的fT的期望值...
关键词：发射区 器件物理 特征尺寸 集电结电容 基区 开启电压 杂质浓度分布 沟道区 表面沟道 多晶硅栅 工艺技术 低压 电压 
镓铝双质掺杂在制造快速晶闸管中的应用研究
《物理学报》2007年第8期4823-4828,共6页王公堂 刘秀喜 
山东省自然科学基金(批准号:Y2003A01)资助的课题.~~
采用开管式Al乳胶源涂布与气相Ga相结合的技术,实现了镓铝双质在n型Si中的均匀掺杂,得到了p型半导体.研究了镓铝双质掺杂的方法及其与器件性能的关系,并讨论了机理.利用扩展电阻法、四探针和晶闸管测试仪等手段,测试了镓铝扩散Si片的杂...
关键词：快速晶闸管 镓铝双质掺杂技术 杂质浓度分布 
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