云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- GE组分分布

GE组分分布: 作品数：11被引量：11H指数：2; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：金冬月付强张瑜洁赵昕陈亮更多>>; 相关机构：北京工业大学中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆邮电大学中国电子科技集团第二十四研究所更多>>; 相关期刊：《半导体技术》《北京工业大学学报》《物理学报》《微电子学》更多>>; 相关基金：北京市教委科技发展计划北京市自然科学基金国家自然科学基金模拟集成电路重点实验室基金更多>>

高性能锗硅异质结器件击穿特性的研究: 《微电子学》2017年第1期118-121,共4页陈繁谭开洲陈振中陈谱望张静崔伟; 模拟集成电路重点实验室基金资助项目(0C09YJTJ1501); 对高频下的SiGe HBT器件击穿特性进行了研究。借助TCAD仿真工具,分析了影响器件击穿特性的基区Ge分布与集电区掺杂浓度超结结构。在3种不同Ge分布下,仿真结果表明,基区Ge的均匀分布有利于提高击穿电压;同时将超结结构引入集电区后,SiGe ...; 关键词：GE组分分布锗硅/锗硅碳击穿电压异质结双极晶体管掺杂特性超结结构

宽温区高热稳定性SiGe HBT的基区优化设计: 《北京工业大学学报》2015年第5期686-692,共7页付强张万荣金冬月赵彦晓张良浩; 国家自然科学基金资助项目(61006059);北京市自然科学基金资助项目(4142007);北京市教委科技发展计划项目(KM200910005001); 为了提高SiGe异质结双极型晶体管(heterojunction bipolar transistors,HBTs)电流增益和特征频率温度热稳定性,首先研究基区杂质浓度分布对基区Ge组分分布为矩形分布的SiGe HBT电流增益和特征频率温度敏感性的影响,基区峰值浓度位置逐...; 关键词：SiGe异质结双极型晶体管(HBTs) 温度敏感性杂质浓度分布 GE组分分布

一种提高SiGe HBT器件电学特性的Ge组分分布被引量：1: 《微电子学》2014年第4期527-530,共4页张志华刘玉奎谭开洲崔伟申均张静; 国家部委基础研究资助项目(Y61398); 介绍了一种提高SiGe HBT器件电学特性的基区Ge组分分布方式。这种优化的Ge分布模型在靠近发射极与集电极处为均匀分布,中间为梯度分布。借助于TCAD仿真工具,在基区Ge组分总量不变的条件下,相比于传统的Ge分布和其他文献中的Ge分布,该Ge...; 关键词：SIGE HBT Ge组分厄尔利电压击穿电压

不同基区Ge组分分布对SiGe HBT特性的影响被引量：3: 《微电子学》2013年第6期859-862,866,共5页张志华刘玉奎谭开洲崔伟申均张静; 国家部委基础研究资助项目(Y61398); 研究了传统基区Ge组分分布(矩形分布、三角形分布、梯形分布)在210K～410K范围内对SiGe HBT特性的影响。借助TCAD工具进行实验,结果表明,在Ge杂质总量相同的情况下,器件的电流增益β,厄尔利电压VA,截止频率fT随着温度升高而降低;靠近基...; 关键词：SIGEHBT Ge组分电流增益厄尔利电压截止频率

新型宽温区高热稳定性微波功率SiGe异质结双极晶体管被引量：2: 《物理学报》2013年第10期270-275,共6页鲁东金冬月张万荣张瑜洁付强胡瑞心高栋张卿远霍文娟周孟龙邵翔鹏; 国家自然科学基金(批准号:61006059;60776051;61006049);北京市自然科学基金(批准号:4082007);北京市优秀跨世纪人才基金(批准号:67002013200301);北京市教委科技发展计划(批准号:KM200710005015;KM200910005001);北京市属市管高等学校人才强教服务北京计划资助的课题~~; 宽温区大电流下的热不稳定性严重制约着功率SiGe异质结双极晶体管(HBT)在射频和微波电路中的应用.为改善器件的热不稳定性,本文利用SILVACO TCAD建立的多指功率SiGe HBT模型,分析了器件纵向结构中基区Ge组分分布对微波功率SiGe HBT电学...; 关键词：SIGE异质结双极晶体管 GE组分分布发射极指间距渐变技术热稳定性

Ge组分分布对基区杂质非均匀分布的SiGe HBT温度特性的影响被引量：2: 《物理学报》2013年第3期192-198,共7页张瑜洁张万荣金冬月陈亮付强郭振杰邢光辉路志义; 国家自然科学基金(批准号:60776051;61006059;61006049);北京市自然科学基金(批准号:4082007);北京市优秀跨世纪人才基金(批准号:67002013200301);北京市教委科技发展计划(批准号:KM200710005015;KM200910005001);北京市属市管高等学校人才强教服务北京计划资助~~; 众所周知,双极型晶体管的设计主要是基区的设计.一般而言,基区的杂质分布是非均匀的.本文首先研究了非均匀的杂质高斯分布对器件温度分布、增益和截止频率的温度特性的影响,发现增益和截止频率具有正温度系数,体内温度较高.随后研究了基...; 关键词：SiGe异质结双极型晶体管温度特性基区杂质分布 GE组分分布

基区Ge组分分布对SiGe HBTs热学特性的影响被引量：4: 《物理学报》2012年第13期259-265,共7页赵昕张万荣金冬月付强陈亮谢红云张瑜洁; 国家自然科学基金(批准号:60776051;61006059;61006049);北京市自然科学基金(批准号:4082007);北京市教委科技发展计划(批准号:KM200710005015;KM200910005001);北京市优秀跨世纪人才基金(批准号:67002013200301);北京市属市管高等学校人才强教服务北京计划资助的课题~~; 基区Ge组分的加入可以改善SiGe HBT的直流特性、频率特性和噪声特性,但Ge组分及其分布对HBT热学特性的影响报道还很少.本文利用SILVACO半导体器件仿真工具,建立了多指SiGe HBT模型,对基区具有不同Ge组分梯度结构的SiGe HBTs的热学特性...; 关键词：SiGe异质结双极晶体管(HBT) 热学特性 GE组分分布 SILVACO

基区不同Ge组分分布的多指SiGe HBT热学特性: 《半导体技术》2012年第6期437-441,共5页张瑜洁张万荣金冬月陈亮付强赵昕; 国家自然科学基金项目(60776051;61006044;61006059);模拟集成电路国家重点实验室基金项目(51439010804QT0101);北京市自然科学基金项目(4082007);北京市教委科技发展计划项目(KM200710005015;KM200910005001);北京市人才强教深化计划-服务北京创新人才培养项目(0020005412A001);北京市优秀跨世纪人才基金项目(67002013200301); 基于半导体器件仿真工具SILVACO TCAD,研究了三种常见的基区Ge组分分布(矩形、梯形和三角形)对多指功率SiGe异质结双极型晶体管(HBT)的热学特性的影响。结果表明,基区Ge组分为梯形分布和三角形分布的多指SiGe HBT的增益随温度变化比较平...; 关键词：多指功率SiGe HBT GE组分分布温度分布热学特性增益特性

基区Ge组分分布对SiGe HBT热学特性的影响: 《微电子学》2012年第2期289-292,296,共5页赵昕张万荣金冬月谢红云付强张东晖; 北京工业大学研究生科技基金(ykj-2011-5108); 建立了SiGe HBT热电反馈模型,对基区Ge组分矩形分布、三角形分布和梯形分布的SiGe HBT的热特性进行研究。结果表明,在Ge总量一定的前提下,Ge组分为三角形和梯形分布结构的SiGe HBT峰值温度较低、温差较小,温度分布的均匀性优于Ge组分矩...; 关键词：SIGE 异质结双极晶体管热学特性 GE组分分布

基区Ge组分分布对SiGe pnp HBT的影响: 《电子器件》2006年第3期635-638,共4页李立戴显英朱永刚胡辉勇; 国家模拟集成电路重点实验室基金资助(JS09.2.1.DZ01.);国家部委预先研究项目资助(41308060108); 采用SiGe异质结结构提高pnp晶体管的性能,重点研究了Ge组分在基区的三角形分布对晶体管电流增益β和特征频率fT的影响。三角形分布,又分为起点为零和不为零两种情况。同时为了消除集电结处SiGe异质结的价带势垒对空穴输运的影响,Ge组分...; 关键词：SIGE PNP HBT Ge分布电流增益β 特征频率fτ

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