一种提高SiGe HBT器件电学特性的Ge组分分布  

A Novel Ge Profile for Improving the Electrical Charateristics of SiGe HBT

作　　者：张志华[1,2] 刘玉奎[3] 谭开洲[2] 崔伟[2] 申均 张静[2] 

机构地区：[1]重庆邮电大学光电工程学院,重庆400065 [2]模拟集成电路重点实验室,重庆400060 [3]中国电子科技集团公司第二十四研究所,重庆400060

出　　处：《微电子学》2014年第4期527-530,共4页Microelectronics

基　　金：国家部委基础研究资助项目(Y61398)

摘　　要：介绍了一种提高SiGe HBT器件电学特性的基区Ge组分分布方式。这种优化的Ge分布模型在靠近发射极与集电极处为均匀分布,中间为梯度分布。借助于TCAD仿真工具,在基区Ge组分总量不变的条件下,相比于传统的Ge分布和其他文献中的Ge分布,该Ge分布极大地增加了器件厄尔利电压VA以及击穿电压BVCEO。同时,厄尔利电压增益积βVA分别提高了53%和91%,品质因子fT*BVCEO分别提高了10.3%和14.1%。A novel Ge profile for improving the electrical characteristics of SiGe HBT was proposed. The optimized Ge profile model has uniform profile near EB and CB, and has grade profile in the middle of base. With the TCAD tool, compared with the traditional and other referenced paper, the proposed Ge profile enhanced greatly the Early voltage（VA） and the breakdown voltage（BVCEO） under the same total Ge amount condition. The Early voltage product（βVA） is improved by 5 3% and 91% respectively, and the fτ＊BVcEo product is improved by 10.3% and 14.1% respectively.

关 键 词：SIGE HBT Ge组分 厄尔利电压 击穿电压 

分 类 号：TN305[电子电信—物理电子学]