云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- SIGEHBT

SIGEHBT: 作品数：12被引量：14H指数：3; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：金冬月谢红云张鹤鸣胡辉勇张静更多>>; 相关机构：北京工业大学中国电子科技集团第二十四研究所西安电子科技大学中国电子科技集团公司第二十四研究所更多>>; 相关期刊：《微电子学》《物理学报》《通信技术》《微纳电子技术》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金北京市教委科技发展计划北京市自然科学基金国家部委资助项目更多>>

不同基区Ge组分分布对SiGe HBT特性的影响被引量：3: 《微电子学》2013年第6期859-862,866,共5页张志华刘玉奎谭开洲崔伟申均张静; 国家部委基础研究资助项目(Y61398); 研究了传统基区Ge组分分布(矩形分布、三角形分布、梯形分布)在210K～410K范围内对SiGe HBT特性的影响。借助TCAD工具进行实验,结果表明,在Ge杂质总量相同的情况下,器件的电流增益β,厄尔利电压VA,截止频率fT随着温度升高而降低;靠近基...; 关键词：SIGEHBT Ge组分电流增益厄尔利电压截止频率

能带工程对射频功率SiGe异质结双极晶体管热性能的改善被引量：5: 《物理学报》2011年第4期310-315,共6页肖盈张万荣金冬月陈亮王任卿谢红云; 国家自然科学基金(批准号:60776051);北京市自然科学基金(批准号:4082007);北京市教委科技发展计划(批准号:KM200710005015;KM200910005001)资助的课题~~; 众所周知,基区"能带工程"可以改善Si1-xGex基区异质结双极晶体管(HBT)的直流、频率和噪声等特性,但"能带工程"对HBT热学特性的影响的研究还很少。本文基于三维热电反馈模型,分析了"能带工程"对射频功率SiGeHBT热性能的影响。考虑到电流...; 关键词：SIGEHBT Ge组分热电反馈镇流电阻

含有本征SiGe层的SiGe异质结双极晶体管集电结耗尽层宽度模型被引量：1: 《物理学报》2011年第1期604-610,共7页胡辉勇舒钰张鹤鸣宋建军宣荣喜秦珊珊屈江涛; 国家部委基金(批准号:51308040203,6139801,72104089)资助的课题~~; 本文分别建立了含有本征SiGe层的SiGeHBT(异质结双极晶体管)集电结耗尽层各区域的电势、电场分布模型,并在此基础上,建立了集电结耗尽层宽度和延迟时间模型,对该模型进行了模拟仿真,定量地分析了SiGeHBT物理、电学参数对集电结耗尽层宽...; 关键词：SIGEHBT 集电结耗尽层延迟时间

SiGe HBT高频噪声等效模型研究被引量：1: 《通信技术》2010年第12期180-183,共4页钮维王军; 对硅锗异质结双极型晶体管(SiGe HBT)等效高频噪声模型进行了研究,在建模过程中,SiGe HBT的等效电路为小信号准静态等效电路,使用二端口网络噪声相关矩阵技术从实测噪声参数提取基极和发射极的散粒噪声,提取结果与几种散粒噪声模型进行...; 关键词：SIGEHBT 高频噪声等效模型

一种采用BiCMOS工艺的SiGeHBT基区生长方法: 《固体电子学研究与进展》2009年第4期589-592,共4页杨洪东李竞春于奇周谦谭开州张静; 模拟集成电路国家重点实验室项目(51439010204DZ0219)资助; 为抑制SiGeHBT基区生长过程中岛状物生成,降低位错密度,基于渐变温度控制方法和图形外延技术,结合BiCMOS工艺,研发了在Si衬底上制备高质量Si1-xGex基区的外延生长方法。通过原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线双晶衍射(XRD...; 关键词：锗硅基区渐变温度控制图形外延锗硅BiCMOS

一款适用于WCDMA标准的大动态范围SiGe HBT可变增益放大器设计被引量：1: 《电子器件》2009年第1期45-48,共4页甘军宁张万荣谢红云金冬月沈珮李佳; 国家自然科学基金项目资助(60776051;60376033);北京市自然科学基金项目资助(4082007);北京市教委科技发展计划项目资助(KM200710005015);北京工业大学青年科研基金资助(97002013200701);北京工业大学研究生科技基金重点资助项目(YKJ-2007-3005);北京市属市管高校中青年骨干教师培养计划项目资助(102(KB)-00856);北京市优秀跨世纪人才基金项目资助(67002013200301); 第三代移动通信标准WCDMA要求放大器增益可调,并且增益动态范围较大。根据这一要求给出了一种基于SiGeHBT具有高动态范围的可变增益放大器（VGA）设计。放大器为三级级联结构,第一级为输入缓冲级,第二级为增益控制级,最后为放大级。VGA...; 关键词：射频放大器可变增益电路设计 WCDMA SIGEHBT ADS

γ辐照对SiGe HBT特性的影响被引量：2: 《四川大学学报（自然科学版）》2007年第3期587-590,共4页杨晨刘轮才龚敏蒲林程兴华谭开州王健安石瑞英; 模拟集成电路国家重点实验室基金项目(51439040105SC02); 对室温下γ射线辐照对SiGe异质双极晶体管(HBT)直流特性的影响进行了研究.结果表明,γ辐照后SiGe HBT的集电极电流和基极电流都有不同程度的增加,直流电流增益减少.并对γ辐照后引起SiGe HBT集电极电流净增加的原因进行了探讨.这可能有...; 关键词：SIGEHBT 基极电流集电极电流 Γ辐照

用于1.5μmBiCMOS技术的SiGeHBT结构及工艺研究: 《微纳电子技术》2006年第7期329-332,共4页李文杰王生荣戴广豪; 基于非选择性外延,基极/发射极自对准和集电区选择性注入,提出了一种可用于1.5μmSiGeBiCMOS集成的HBT器件结构及其制作流程。并利用TSuprem4,Medici进行了工艺模拟和电学特性仿真。模拟结果表明,所设计的SiGeHBT具有良好的电学特性。当...; 关键词：BICMOS SIGE HBT 非选择性外延选择离子注入集电区

针对高频宽带应用的SiGeHBT: 《今日电子》2004年第6期51-52,64,共3页; 关键词：高频宽带 SIGEHBT 移动电话无线局城网数字无绳电话高频放大器 GAAS器件 SIGE器件日本NEC公司

SiGeHBT的二维数值模拟分析设计: 《固体电子学研究与进展》2001年第3期313-319,共7页杨廉峰吴金刘其贵夏君魏同立; 九五攻关项目 97-773 -0 5 -0 1;国家自然科学基金 6980 60 0 2;江苏省自然科学基金 BK970 0 6资助项目; 采用适合于亚微米器件模拟的流体动力学模型 (HDM) ,对 Si Ge HBT的亚微米器件模拟软件进行了设计。在 SMDS1.0模拟软件 [1]的基础之上 ,软件的设计仍采用面向对象技术 ,因而该软件仍将保持良好的可扩展性等特点。; 关键词：异质结双极晶体管器件模拟锗化硅面向对象

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