GAAS器件

作品数：37被引量：44H指数：3
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基于InGaAs器件的空间高速捕跟探测组件设计与实现
《空间电子技术》2021年第5期20-29,共10页欧民 边晶莹 兰逸君 李剑桥 张敬一 
国家重点实验室基金(编号:2020-WD-key-SYS-DN-11,Y20-JTKJCX-02)。
提出一种基于InGaAs焦平面器件的空间高速捕跟成像组件设计方法,阐述了系统工作原理及主要模块实现方式,分析了测试方法和验证结果。方案以InGaAs焦平面器件为核心,采用主控FPGA控制工作模式及交互通信、4路图像信号经前置单端电流驱动...
关键词：INGAAS 焦平面 空间捕跟探测 非均匀性校正 
GaAs器件镀层应力问题分析及解决
《河南科技》2021年第10期33-35,共3页王敬松 周国 
传统的GaAs电镀布线工艺,镀层金属与种子层呈锐角,导致氮化硅表面出现变色脱落等现象,影响器件稳定性和可靠性。本文改进了传统的电镀布线工艺,在电镀布线后,表面先涂覆薄层聚合物(0.5μm以内)以消除锐角,消除应力集中点,之后再淀积氮化...
关键词：电镀布线 应力集中 氮化硅 
美国StratEdge公司将展示高频高速高效GaN和GaAs封装
《半导体信息》2018年第5期22-23,共2页
美国StratEdge公司将在2018年10月举办的三个行业研讨会上展示其高频、高速、高效的氮化镓（GaN）和砷化镓（GaAs）封装。公司简介美国StratEdge公司是微波、毫米波和高速数字器件的高性能半导体封装制造商,其封装满足GaN和GaAs器件的...
关键词：半导体封装 GAAS器件 ge公司 GAN 高速高效 美国 高频 公司简介 
2018年GaAs射频器件收入将飙升至80亿美元
《中国集成电路》2015年第11期11-11,共1页
根据Strategy Analytics高端半导体应用（ASA）电子数据表模型和GaAs器件预测与前景展望报告显示，手机终端中砷化镓的应用仍然是GaAs器件增长的主要驱动力，GaAs器件市场继2014年创下射频器件收入记录后，有望在今年突破70亿美元大关...
关键词：GAAS器件 射频器件 收入 Strategy 电子数据表 手机终端 半导体 驱动力 
第3代半导体材料GaN基微波功率器件研究和应用进展被引量：5
《新材料产业》2014年第3期13-17,共5页王丽 王翠梅 
微波功率器件是指工作频段在300M～300GHz这个微波波段内的电子器件，主要用以实现微波功率的发射和放大、控制和接收等功能，是现代相控阵雷达、移动通讯基站等的核心部件。目前微波功率器件的主流产品主要基于第l代半导体材料硅（Si...
关键词：宽禁带半导体材料 微波功率器件 GAN材料 第3代 高电子迁移率晶体管 大功率微波器件 应用 GAAS器件 
110 GHz以上固态功率放大器的发展现状被引量：4
《太赫兹科学与电子信息学报》2013年第6期836-841,共6页刘杰 张健 
基于近几年的文献报道,综述了110 GHz以上固态功率放大器的现状和电路结构。归纳了每个固态放大器的工作频率、制作工艺、最大输出功率(Psat)、最大输出的压缩增益、小信号增益、1 dB压缩点增益(P-1),功率附加效率(PAE)、带宽等指标。...
关键词：太赫兹 功率放大器 集成电路 InP器件 SIGE器件 GAAS器件 CMOS器件 GAN器件 
GaAs器件寿命试验结温测试方法研究
《电子产品可靠性与环境试验》2012年第B05期118-121,共4页洪潇 芦忠 来萍 
在GaAs器件寿命试验中,器件的性能参数退化与结温密切相关。对于如何确定结温问题进行了研究,介绍了热阻的定义以及目前热阻测试中常用的方法。针对GaAs器件长期使用中出现的参数漂移、输出功率下降等问题,试验设计了4种相关的单机理评...
关键词：砷化镓器件 热阻测试 结温 
H_2对航天用GaAs器件可靠性的影响被引量：6
《质量与可靠性》2010年第5期30-33,共4页刘文宝 陈文卿 
分析了H2对GaAs器件可靠性的影响,在此基础上通过理论计算提出为满足航天及其它特殊应用领域,密封GaAs器件长期贮存和长寿命工作不失效对H2含量的控制要求,最后给出了控制H2含量可行的方法和工艺。
关键词：GAAS器件 H2含量 可靠性 长期贮存 长寿命工作 
GaAs器件电磁脉冲效应实验与毁伤机理研究被引量：3
《半导体技术》2010年第7期695-698,共4页李用兵 田国强 王长河 江西元 
重大基础研究项目973(5130102)
介绍了GaAs低噪声器件电磁脉冲效应实验响应的易损敏感端,对所确定的敏感端注入电磁脉冲方波,研究了器件在静态时的损伤阈值。根据GaAs器件易损性薄弱环节,从GaAs器件的结构、内部缺陷等出发,探索电磁脉冲对GaAs器件易损性薄弱环节的损...
关键词：砷化镓 电磁脉冲 毁伤机理 低噪声器件 阈值 
GaAs器件和MMIC的失效分析被引量：17
《失效分析与预防》2010年第3期187-192,共6页崔晓英 黄云 恩云飞 
国防科技重点实验室基金项目(JS0926270)
从可靠性物理的角度,分析引起砷化镓(GaAs)器件和单片微波集成电路(MMIC)退化或失效的主要失效模式及其失效机理,明确了GaAsMMIC的可靠性问题主要表现为有源器件、无源器件和环境因素等引入了损伤退化,并针对几种常见的失效原因:过电烧...
关键词：砷化镓器件 单片微波集成电路 失效模式和机理 失效分析 
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