H_2对航天用GaAs器件可靠性的影响  

作　　者：刘文宝[1] 陈文卿[2] 

机构地区：[1]中国航天标准化研究所,北京100071 [2]中国运载火箭技术研究院,北京100076

出　　处：《质量与可靠性》2010年第5期30-33,共4页Quality and Reliability

摘　　要：分析了H2对GaAs器件可靠性的影响,在此基础上通过理论计算提出为满足航天及其它特殊应用领域,密封GaAs器件长期贮存和长寿命工作不失效对H2含量的控制要求,最后给出了控制H2含量可行的方法和工艺。

关 键 词：GAAS器件 H2含量 可靠性 长期贮存 长寿命工作 

分 类 号：TN303[电子电信—物理电子学]