第3代半导体材料GaN基微波功率器件研究和应用进展  

作　　者：王丽[1] 王翠梅[2] 

机构地区：[1]总装科技信息研究中心 [2]中国科学院半导体研究所

出　　处：《新材料产业》2014年第3期13-17,共5页Advanced Materials Industry

摘　　要：微波功率器件是指工作频段在300M～300GHz这个微波波段内的电子器件，主要用以实现微波功率的发射和放大、控制和接收等功能，是现代相控阵雷达、移动通讯基站等的核心部件。目前微波功率器件的主流产品主要基于第l代半导体材料硅（Si）、锗（Ge）和第2代半导体材料砷化镓（GaAS）、磷化铟（InP）。20世纪90年代，基于第3代宽禁带半导体材料氮化镓（GaN）的高频、大功率微波器件开始引起人们的关注，并在近十几年快速发展，尤其是基于GaN材料的高电子迁移率晶体管（HEMT）器件和电路，已经开始在某些领域取代GaAs器件。

关 键 词：宽禁带半导体材料 微波功率器件 GAN材料 第3代 高电子迁移率晶体管 大功率微波器件 应用 GAAS器件 

分 类 号：TN61[电子电信—电路与系统]