大功率微波器件

作品数：14被引量：42H指数：3
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相关作者：丁耀根崔万照杨倩杨阳李天明更多>>
相关机构：中国科学院电子学研究所电子科技大学成都赛纳微波科技有限公司中国空间技术研究院更多>>
相关期刊：《新材料产业》《电子世界》《无损检测》《固体电子学研究与进展》更多>>
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空间大功率微波器件无源互调最新研究进展被引量：17
《空间电子技术》2020年第5期1-10,共10页王小丽 陈翔 崔万照 
国家自然科学基金(NO.61901359);空间微波重点实验室稳定支持基金项目(NO.HTKJ2019KL504009)。
针对目前限制大功率微波器件及系统性能的无源互调(Passive intermodulation,PIM)问题,系统梳理了近几年来国内外无源互调最新研究进展,介绍了无源互调产生机理的研究历史及现状,总结了无源互调分析预测方法及检测定位技术的最新研究进...
关键词：无源互调 大功率 接触非线性 无源互调抑制 非接触 
粒子模拟在空间大功率微波器件微放电效应研究中的应用
《真空电子技术》2019年第6期55-61,共7页林舒 翟永贵 张磊 王洪广 王瑞 李永东 刘纯亮 
国家自然科学基金（批准号：61801370）;中国博士后科学基金（批准号：2018M633509）资助的课题
作为空间大功率微波器件的主要失效模式,微放电严重威胁着空间微波通信系统的安全与稳定,而微放电的研究与预防已经成为地面器件设计阶段亟需解决的关键问题。粒子模拟方法由于其适用范围广、分析功能强与模拟精度高等优点而广泛应用于...
关键词：微放电 微波器件 粒子模拟 阈值预测 机制分析 
多注速调管维修方案
《科学技术创新》2018年第2期190-191,共2页郭家诚 
多注速调管是一种大功率微波器件,它是由单注速调管发展而来的,运用了多电子注技术。在相同功率的情况下,多注速调管和单注速调管相比,具有工作频带宽、电压低、重量轻、体积小、效率高、增益高的优势,广泛应用于雷达、粒子加速器、微...
关键词：多注速调管 大功率微波器件 维护与保养 维修方案 
金刚石微波功率场效应晶体管被引量：1
《固体电子学研究与进展》2017年第6期F0003-F0003,共1页郁鑫鑫 周建军 齐成军 曹正义 孔月婵 陈堂胜 
金刚石材料具有高热导率、高击穿场强、高硬度等众多的优异特性，在机械加工、光学系统、核探测器、声表器件、电力电子器件及大功率微波器件等众多领域具有重要的应用价值。由于现实及潜在的巨大军事、经济和技术价值，金刚石材料已经...
关键词：大功率微波器件 金刚石材料 功率场效应晶体管 电力电子器件 高热导率 击穿场强 机械加工 光学系统 
大尺寸低阻ZnO单晶衬底
《中国科技信息》2015年第24期3-3,共1页
ZnO单晶作为一种宽带半导体材料具有许多应用潜力，如制作高效率兰色、紫外发光和探测器、新型大功率微波器件等。本成果提供一种氧化锌体单晶生长技术。作为第三代半导体的核心基础材料之一的ZnO晶体既是一种宽禁带半导体，又是一种具...
关键词：ZNO单晶 宽带半导体材料 大尺寸 大功率微波器件 衬底 低阻 单晶生长技术 宽禁带半导体 
大尺寸低阻ZnO单晶衬底
《中国科技信息》2015年第23期2-2,共1页
ZnO单晶作为一种宽带半导体材料具有许多应用潜力，如制作高效率兰色、紫外发光和探测器、新型大功率微波器件等。本成果提供一种氧化锌体单晶生长技术。作为第三代半导体的核心基础材料之一的ZnO晶体既是一种宽禁带半导体，又是一种具...
关键词：ZNO单晶 大尺寸 单晶生长技术 宽带半导体材料 大功率微波器件 化学气相传输法 衬底 低阻 
一种宽带雷达发射机大功率微波器件驻波保护电路
《电子世界》2014年第14期188-189,共2页蒋千 
反射功率过大会造成功率放大器件的损坏,解决该问题的最佳方法是采用低损耗的保护电路。本文提出了一种适用于轻小型宽带雷达发射机的驻波保护电路,该保护电路使用了双向定耦,具有电路简单、体积小、可靠性高、稳定性强等优点。
关键词：雷达发射机 驻波保护 双向定向耦合器 插入损耗 
第3代半导体材料GaN基微波功率器件研究和应用进展被引量：5
《新材料产业》2014年第3期13-17,共5页王丽 王翠梅 
微波功率器件是指工作频段在300M～300GHz这个微波波段内的电子器件，主要用以实现微波功率的发射和放大、控制和接收等功能，是现代相控阵雷达、移动通讯基站等的核心部件。目前微波功率器件的主流产品主要基于第l代半导体材料硅（Si...
关键词：宽禁带半导体材料 微波功率器件 GAN材料 第3代 高电子迁移率晶体管 大功率微波器件 应用 GAAS器件 
宽禁带半导体技术的研究与开发在欧美快速展开
《电子与封装》2006年第7期43-43,共1页云振新 
宽禁带半导体是指禁带宽度Eg〉2．0～6．0eV的一类半导体，如GaN、A1N、A1GaN、SiC、4H-SiC、6H-SiC等。它是继以Si、GaAs为代表的第一代、第二代半导体之后发展起来的第三代半导体。宽禁带半导体技术是一项战略性的高新技术，具有极其...
关键词：宽禁带半导体 半导体技术 研究与开发 4H-SiC 大功率微波器件 欧美 6H-SIC 军用价值 禁带宽度 GaAs 
微焦点工业CT在大功率微波器件阴极检测中的应用
《无损检测》2004年第12期599-601,604,共4页张红卫 丁耀根 白振纲 
介绍计算机断层扫描(CT)的成像基本原理和设备基本组成,并用微焦点工业CT系统分析大功率微波器件阴极的内部微细结构以及它与支撑筒的焊接情况,结果证明微焦点工业CT系统在大功率微波器件阴极检测中有着良好的应用前景。
关键词：计算机断层扫描 阴极 图像分析 焊缝 
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