宽禁带半导体技术的研究与开发在欧美快速展开  

作　　者：云振新 

出　　处：《电子与封装》2006年第7期43-43,共1页Electronics & Packaging

摘　　要：宽禁带半导体是指禁带宽度Eg〉2．0～6．0eV的一类半导体，如GaN、A1N、A1GaN、SiC、4H-SiC、6H-SiC等。它是继以Si、GaAs为代表的第一代、第二代半导体之后发展起来的第三代半导体。宽禁带半导体技术是一项战略性的高新技术，具有极其重要的军用价值和民用价值。用宽禁带半导体制成的高温、高频、大功率微波器件，其功率密度可提高一个数量级、工作温度将提高到300％。

关 键 词：宽禁带半导体 半导体技术 研究与开发 4H-SiC 大功率微波器件 欧美 6H-SIC 军用价值 禁带宽度 GaAs 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学] TN3