大尺寸低阻ZnO单晶衬底  

机构地区：[1]中国科学院北京国家技术转移中心

出　　处：《中国科技信息》2015年第23期2-2,共1页China Science and Technology Information

摘　　要：ZnO单晶作为一种宽带半导体材料具有许多应用潜力，如制作高效率兰色、紫外发光和探测器、新型大功率微波器件等。本成果提供一种氧化锌体单晶生长技术。作为第三代半导体的核心基础材料之一的ZnO晶体既是一种宽禁带半导体，又是一种具有优异光电性能和压电性能的多功能晶体。中国科学院所属单位的科研人员研究掌握了一种生长高质量、大尺寸Zn0单晶材料的新型技术方法一化学气相传输法（CVT法），而且采用CVT法已生长出了直径32毫米和直径45毫米，4毫米厚的ZnO单晶。

关 键 词：ZNO单晶 大尺寸 单晶生长技术 宽带半导体材料 大功率微波器件 化学气相传输法 衬底 低阻 

分 类 号：TN304.21[电子电信—物理电子学]