谭开州

作品数：4被引量：3H指数：1
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供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
发文主题：SIX射线双晶衍射分子束外延热稳定性研究锗硅材料更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《固体电子学研究与进展》《微电子学》《材料导报》更多>>
所获基金：国家重点实验室开放基金模拟集成电路国家重点实验室开放基金更多>>
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适于PMOSFET的局部双轴压应变Si_(0.8)Ge_(0.2)的生长
《材料导报》2010年第16期1-4,共4页卢盛辉 杨洪东 李竞春 谭开州 张静 
模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目(51439010204DZ0219)
通过控制局部双轴压应变SiGe材料的缺陷、组分与厚度,设置了多晶Si侧壁与Si缓冲层的特别几何结构,采用固态源分子束外延MBE设备生长了适于PMOSFET器件的局部双轴压应变Si0.8Ge0.2材料。经SEM、AFM、XRD测试分析,该材料表面粗糙度达0.45n...
关键词：局部双轴应变 应变锗硅 特别几何结构 材料生长 
一种采用BiCMOS工艺的SiGeHBT基区生长方法
《固体电子学研究与进展》2009年第4期589-592,共4页杨洪东 李竞春 于奇 周谦 谭开州 张静 
模拟集成电路国家重点实验室项目(51439010204DZ0219)资助
为抑制SiGeHBT基区生长过程中岛状物生成,降低位错密度,基于渐变温度控制方法和图形外延技术,结合BiCMOS工艺,研发了在Si衬底上制备高质量Si1-xGex基区的外延生长方法。通过原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线双晶衍射(XRD...
关键词：锗硅基区 渐变温度控制 图形外延 锗硅BiCMOS 
Si_(1-x)Ge_x/Si应变材料的生长及热稳定性研究被引量：3
《微电子学》2002年第2期120-123,共4页李竞春 杨沛峰 杨谟华 何林 李开成 谭开州 张静 
模拟集成电路国家重点实验室资助项目 (99Js0 95 .1)
利用分子束外延 ( MBE)技术生长了 Ge组份为 0 .1～ 0 .46的 Si1-x Gex 外延层。X射线衍射测试表明 ,Si Ge/Si异质结材料具有良好的结晶质量和陡峭界面 ,其它参数也可准确控制。通过 X射线双晶衍射摇摆曲线方法 ,研究了经 70 0°C、80 0...
关键词：热稳定性 应变材料 分子束外延 X射线双晶衍射 锗硅材料 
Si-栅MOSFET抗总剂量加固技术
《微电子学》1999年第6期441-444,共4页胡永贵 谭开州 张家斌 张正璠 肖鹏 夏培邦 
MOSFET总剂量加固强烈依赖于工艺技术,对干氧方式下不同条件制备的NMOS、PMOS管,分析其辐照响应,并借用亚阈值I—V技术分离氧化物陷阱电荷和界面陷阱对阈值电压漂移的贡献。
关键词：MOSFET 总剂量辐照 Si-栅 加固 
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