杨谟华

作品数：91被引量：135H指数：5
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供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
发文主题：SIGE电流崩塌表面态CMOSGAN更多>>
发文领域：电子电信理学核科学技术机械工程更多>>
发文期刊：《核电子学与探测技术》《物理学报》《激光技术》《云南大学学报（自然科学版）》更多>>
所获基金：国家自然科学基金模拟集成电路国家重点实验室开放基金国防科技技术预先研究基金国家重点实验室开放基金更多>>
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一种带有极化掺杂电流阻挡层的垂直AlGaN/GaN HFET被引量：1
《微电子学》2014年第5期692-695,700,共5页赵子奇 杜江锋 杨谟华 
针对传统垂直GaN基异质结场效应晶体管中,由于GaN电流阻挡层内p型杂质激活率低而导致的漏电问题,提出了一种使用AlGaN极化掺杂电流阻挡层的垂直GaN基异质结场效应晶体管结构。在AlGaN极化掺杂电流阻挡层中,通过Al组分渐变而产生的极化...
关键词：ALGAN/GAN VHFET 极化掺杂电流阻挡层 击穿电压 导通电阻 
一种带有背电极的高耐压AlGaN/GaN RESURF HEMT被引量：4
《微电子学》2013年第6期855-858,共4页赵子奇 杜江锋 杨谟华 
针对常规AlGaN/GaN RESURF高电子迁移率晶体管(HEMT)中由于沟道电场分布不均匀而导致击穿电压过低的问题,提出一种带背电极的新型AlGaN/GaN RESURF HEMT结构。该背电极通过感应诱生负电荷调制器件沟道处的电力线分布,使栅漏之间的沟道...
关键词：A1GaN GaN 高电子迁移率晶体管 RESURF背电极 
一种基于准分子激光退火的GeSn合金生长新技术
《微电子学》2013年第2期274-277,共4页周谦 杨谟华 王向展 李竞春 罗谦 
针对源漏诱生应变Ge沟道MOSFET的应用前景,开发了一种基于离子注入与准分子激光退火的GeSn合金生长技术。X射线衍射与透射电镜测试结果表明,采用该技术可得到质量优良的GeSn单晶。材料表面平整,无位错缺陷产生,与快速热退火方式相比,晶...
关键词：GeSn 应变Ge MOSFET 准分子激光 离子注入 
基于离子注入与快速热退火的GeSn合金生长技术被引量：1
《微电子学》2013年第1期125-129,共5页周谦 杨谟华 王向展 李竞春 罗谦 
针对源漏诱生应变Ge沟道p-MOSFET的发展趋势,开发了一种基于离子注入与快速热退火的GeSn合金生长新技术,并进行了二次离子质谱、X射线衍射、透射电子显微镜和方块电阻等测试。结果表明,采用快速热退火,可将单晶Ge衬底中的Sn原子激发至...
关键词：锗锡合金 应变锗沟道 金属-氧化物-半导体场效应晶体管 离子注入 快速热退火 
增强型GaN绝缘栅HEMT线性电荷控制解析模型
《固体电子学研究与进展》2010年第3期323-326,440,共5页卢盛辉 杜江锋 罗谦 于奇 周伟 夏建新 杨谟华 
国家自然科学基金资助项目(60576007)
基于MIS理论和含极化的泊松方程,应用费米能级与二维电子气密度线性近似,并考虑计入了绝缘体/AlGaN界面的陷阱或离子电荷,导出建立了适用于增强型且兼容耗尽型AlGaN/GaN绝缘栅HEMT的线性电荷控制解析模型。研究表明,Insulator/AlGaN界...
关键词：线性电荷控制解析模型 增强型绝缘栅高电子迁移率晶体管 铝镓氮/氮化镓 
蓝宝石上GaN基多层膜结构椭偏研究
《功能材料》2010年第5期878-880,共3页杜江锋 赵金霞 罗谦 于奇 夏建新 杨谟华 
国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(513270408);国家自然科学基金资助项目(60576007)
对InN/GaN/Al2O3和Ga2O3/GaN/Al2O3多层膜结构进行了椭圆偏振光谱研究。所有GaN样品均采用MOCVD工艺在蓝宝石(Al2O3)衬底上生长所得。应用多层介质膜模型,在300～800nm测试波长范围内拟合得到了样品各层厚度和折射率色散关系,并与GaN单...
关键词：GAN 椭圆偏振光谱 INN GA2O3 
基于低温硅技术的赝晶SiGe应变弛豫机理被引量：1
《物理学报》2010年第8期5743-5748,共6页杨洪东 于奇 王向展 李竞春 宁宁 杨谟华 
国家部委61398基金资助的课题~~
基于能量平衡条件,结合低温硅(LT-Si)剪切模量小于SiGe的实验结果,从螺位错形成模型出发,给出了基于LT-Si技术的赝晶SiGe应变弛豫机理.该机理指出,赝晶SiGe薄膜厚度小于位错形成临界厚度,可通过LT-Si缓冲层中形成位错释放应变;等于与大...
关键词：低温硅 赝晶锗硅 弛豫机理 位错理论 
微波MEMS滤波器的研究进展被引量：6
《空间电子技术》2010年第1期90-95,共6页李文明 李骁骅 杨月寒 刘海文 杨谟华 于奇 
文章介绍了应用于射频微波系统的MEMS滤波器,结合最近几年国内外的MEMS滤波器研究成果,从MEMS滤波器的设计方法和滤波器性能等方面阐述了各种MEMS滤波器的技术发展状态。
关键词：微机电系统 微波滤波器 单片微波集成电路 
GaN基热氧化物的XPS和椭偏光谱研究
《材料导报》2009年第22期12-14,共3页杜江锋 赵金霞 于奇 杨谟华 
国家重大基础研究发展计划(973)(513270408);国家自然科学基金(60576007)
采用X射线光谱仪(XPS)和椭偏测试仪(SE)对GaN材料干氧氧化所得氧化物薄膜的组分、厚度、光学常数等物理特性进行了研究。当氧化温度为900℃、氧化时间为15～240min时,XPS测试结果表明,所得氧化物类型为Ga2O3,且由于大量O空位的存在,其表...
关键词：GAN 热氧化 GA2O3 XPS SE 
一种流水线A/D转换器Multi-bit级增益误差校正方法被引量：1
《微电子学》2009年第3期302-305,310,共5页王妍 于奇 宁宁 杨谟华 
国防科技重点实验室基金资助课题(9140c0901030701)
提出了一种用于流水线A/D转换器multi-bit级增益误差校正的方法及其实现方案。该方法应用改进冗余位结构,通过在其子DAC输出端引入伪随机信号测量级间增益;利用此估计值在后台进行增益误差补偿。为了验证设计,对12位流水线ADC进行系统模...
关键词：A/D转换器 Multi-bit级 增益误差校正 
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