卢盛辉

作品数：10被引量：8H指数：1
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供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
发文主题：电流崩塌场板ALGAN/GAN_HEMT氮化镓表面态更多>>
发文领域：电子电信机械工程更多>>
发文期刊：《半导体技术》《微纳电子技术》《材料导报》《真空科学与技术学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金模拟集成电路国家重点实验室开放基金更多>>
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线性化AlGaN/GaN HEMT费米能级与二维电子气密度关系的解析模型被引量：7
《真空科学与技术学报》2011年第2期225-228,共4页卢盛辉 杜江锋 周伟 夏建新 
国家自科学基金资助项目(60576007)
通过化简复杂非线性的费米能级EF与二维电子气密度ns关系,并利用化简后函数的一阶泰勒多项式建立了线性化AlGaN/GaN HEMT中EF与ns关系的解析模型。该模型可以根据二维电子气密度ns的范围及温度计算EF与ns非线性关系之线性近似的参数斜率...
关键词：铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管 费米能级 线性近似 二维电子气 
适于PMOSFET的局部双轴压应变Si_(0.8)Ge_(0.2)的生长
《材料导报》2010年第16期1-4,共4页卢盛辉 杨洪东 李竞春 谭开州 张静 
模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目(51439010204DZ0219)
通过控制局部双轴压应变SiGe材料的缺陷、组分与厚度,设置了多晶Si侧壁与Si缓冲层的特别几何结构,采用固态源分子束外延MBE设备生长了适于PMOSFET器件的局部双轴压应变Si0.8Ge0.2材料。经SEM、AFM、XRD测试分析,该材料表面粗糙度达0.45n...
关键词：局部双轴应变 应变锗硅 特别几何结构 材料生长 
增强型GaN绝缘栅HEMT线性电荷控制解析模型
《固体电子学研究与进展》2010年第3期323-326,440,共5页卢盛辉 杜江锋 罗谦 于奇 周伟 夏建新 杨谟华 
国家自然科学基金资助项目(60576007)
基于MIS理论和含极化的泊松方程,应用费米能级与二维电子气密度线性近似,并考虑计入了绝缘体/AlGaN界面的陷阱或离子电荷,导出建立了适用于增强型且兼容耗尽型AlGaN/GaN绝缘栅HEMT的线性电荷控制解析模型。研究表明,Insulator/AlGaN界...
关键词：线性电荷控制解析模型 增强型绝缘栅高电子迁移率晶体管 铝镓氮/氮化镓 
微加速度计机械与电学一体化仿真模型
《仪表技术与传感器》2010年第2期4-6,9,共4页戴强 卢盛辉 杨洪东 于奇 
Intel研究基金(29558)
针对目前MEMS微加速度计机械和电路仿真各自脱节的现状,基于PSPICE软件,综合了敏感质量块机械、偏置电压静电力和接口电路3部分,提出了机械与电学一体化仿真模型。模型实现了敏感质量块大位移情形仿真,突破了已有仿真模型对该质量块的...
关键词：微加速度计 机械 电学 一体化仿真模型 
优化场板GaN HEMT沟道电子温度分布抑制电流崩塌
《半导体技术》2008年第S1期105-108,共4页杜江锋 罗大为 罗谦 卢盛辉 于奇 杨谟华 
基于带场板GaN HEMT器件物理模型和电流崩塌效应机理,通过仿真优化场板结构参数调制沟道中二维电子气温度分布,以达到抑制器件电流崩塌目的。研究表明,优化场板长度及绝缘层厚度能有效降低沟道电子峰值温度。对于外加源漏电压为100V,栅...
关键词：GAN高电子迁移率晶体管 沟道电子温度 场板 电流崩塌 
GaN基HEMT电流崩塌现象相关的表面陷阱效应
《固体电子学研究与进展》2008年第1期24-28,37,共6页罗谦 杜江锋 卢盛辉 周伟 夏建新 于奇 杨谟华 
国家自然科学基金(批准号:60072004)
采用脉冲测试方法研究了与GaN基HEMT电流崩塌相关的表面陷阱效应。对特制的无台面器件进行的实验证实了表面陷阱之间存在输运过程。数据表明,当栅应力持续时间足够长时,被充电的表面陷阱会达到某种稳态。该稳态是包含了陷阱俘获与释放...
关键词：氮化镓 表面态 电流崩塌 
AlGaN/GaN HEMT栅阶跃脉冲响应实验研究
《固体电子学研究与进展》2007年第3期335-338,共4页卢盛辉 杜江锋 靳翀 周伟 杨谟华 
国家自然科学基金(60576007)资助
通过对AlGaN/GaN HEMT漏极电流栅阶跃脉冲响应实验测试,发现栅脉冲相同时,HEMT开启时间在线性区随VDS增加而增加,而在饱和区随VDS增加而减小;在VDS一定时,器件开启时间随栅脉冲低电平的降低而增加。基于表面态电子释放过程与ID、VDS和...
关键词：铝镓氮/氮化镓 高电子迁移率晶体管 电流崩塌 表面态 阶跃脉冲 
AlGaN/GaN HEMT击穿特性与受主陷阱相关性研究被引量：1
《半导体技术》2007年第3期226-229,共4页严地 罗谦 卢盛辉 靳翀 罗大为 周伟 杨谟华 
国家自然科学基金资助项目(60576007)
通过计算沟道电场的分布,研究了受主陷阱对AlGaN/GaN HEMT器件击穿特性的影响。研究发现,有受主陷阱的条件下,漏端出现电场峰值,栅端电场峰值被大幅度削减。当Vg=0 V,Vd=60 V,受主陷阱浓度NA=1×1017cm-3时,栅端电场峰值与不加受主陷阱...
关键词：铝镓氮 氮化镓 高电子迁移率晶体管 电场 受主陷阱 
栅脉冲条件下GaN MESFET电子温度分布仿真
《微纳电子技术》2007年第2期66-69,87,共5页罗大为 卢盛辉 罗谦 杜江锋 靳翀 严地 
利用数值模拟仿真对GaNMESFET在栅脉冲条件下的电子温度分布进行了研究。结果表明,在器件的栅下靠近漏端一侧的沟道处电子温度最高,当栅脉冲电压为-18V时可达6223K,并且电子温度从最高点向四周逐渐降低最后与晶格温度(300K)达到一致。...
关键词：GaN金属半导体场效应晶体管 电子温度 仿真 
GaNHEMT栅源与栅漏表面态与电流崩塌相关性探讨
《微纳电子技术》2006年第6期270-272,283,共4页靳翀 卢盛辉 杜江锋 罗谦 周伟 夏建新 杨谟华 
国家自然科学基金(60072004)
基于实验测试数据,综合分析了栅源、栅漏串联电阻增大后电流崩塌I-V曲线变化差异。研究表明:在脉冲测试条件下,RS增大,栅下沟道开启程度减弱,漏电流ID变小;RD增大,栅下沟道漏端等效漏电压减小,膝电压VKNEE变大。该实验结果可望通过RD与R...
关键词：电流崩塌 串联电阻 氮化镓高电子迁移率晶体管 表面态 
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