电流崩塌

作品数：70被引量：88H指数：4
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GaN HEMT器件表面钝化研究进展
《电子与封装》2024年第12期71-79,共9页陈兴 党睿 李永军 陈大正 
国家自然科学基金(62274126)。
作为第三代半导体材料之一,GaN凭借其优异的材料特性,如较高的击穿场强、较高的电子迁移率以及较好的热导率等,在制备高频、高功率及高击穿电压的AlGaN/GaN HEMT器件方面得到广泛应用。然而,目前电流崩塌、栅泄漏电流、频率色散等一系...
关键词：GaN HEMT器件 MIS-HEMT 钝化 电流崩塌 栅泄漏电流 
一种提高氮化镓高压功率器件动态可靠性的快速筛选方法
《微电子学》2024年第3期503-510,共8页沈竞宇 范文琪 邱金朋 
国家自然科学基金资助项目(62174017)。
为了快速筛选出由电流崩塌、阈值漂移导致失效的氮化镓(GaN)器件,提出了一种基于晶圆测试的创新筛选方法,旨在更好地筛选出高可靠性的650 V增强型GaN功率器件,在封装之前消除固有缺陷导致的动态失效,解决实际应用中的动态可靠性问题。...
关键词：ALGAN/GAN 高电子迁移率晶体管 电流崩塌 可靠性 寿命 筛选方法 
GaN HFET加应力后的虚栅和亚稳态能带
《固体电子学研究与进展》2023年第2期108-120,共13页薛舫时 杨乃彬 陈堂胜 
江苏省重点研发计划资助项目(SBE2022020239,BE2020007)。
使用双曲函数拟合描绘出从应力偏置转换到测试偏置后,不同时刻的表面电势、电场强度和电场梯度的动态弛豫过程。计算出这一偏置转换引发的亚稳态能带。亚稳态能带的弛豫过程描绘出沟道夹断后的异质结充电过程。亚稳态能带计算证明外沟...
关键词：虚栅 电流崩塌 能带畸变 局域电子气 涉及异质结能带转换的虚栅模型 陷阱和局域电子气的相互作用 异质结鳍 
一种基于ASM-HEMT模型改进陷阱效应的GaN HEMT器件非线性模型
《半导体技术》2022年第12期972-978,1026,共8页李静强 赵哲言 王生国 付兴中 魏碧华 
GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件受制于陷阱效应,建立准确的非线性模型非常困难。介绍了表面势物理基高电子迁移率高级电路模型(ASM-HEMT),分析了标准ASM-HEMT模型在表征陷阱效应方面的不足,进而建立了新的陷阱模型电路拓扑及模型方程...
关键词：GaN高电子迁移率晶体管(HEMT) 高电子迁移率高级电路模型(ASM-HEMT) 非线性模型 陷阱效应 电流崩塌效应 
GaN器件动态导通电阻精确测试与影响因素分析被引量：5
《电工技术学报》2022年第18期4664-4675,共12页赵方玮 李艳 魏超 张楠 郑妍璇 
国家自然科学基金面上资助项目(51877007)。
GaN器件较传统Si器件具有耐高压、耐高温、导通电阻小和开关损耗小等优势,但其特有的动态导通电阻现象是限制其大规模应用的主要问题。该文基于动态导通电阻影响机理分析,首先提出一种GaN器件动态导通电阻综合测试平台及测试方法;然后...
关键词：GAN器件 电流崩塌效应 动态导通电阻 精确测试 优化应用方法 
氮掺杂对氢终端金刚石射频器件特性的影响
《人工晶体学报》2021年第11期2045-2052,共8页刘晓晨 郁鑫鑫 葛新岗 姜龙 李义锋 安晓明 郭辉 
河北省科技计划(18121015C);河北省自然科学基金(E2019302005)。
采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术,通过改变气源中的氮含量,得到不同结晶质量的单晶金刚石,通过激光切割以及抛光控制样品尺寸为5 mm×5 mm×0.5 mm,然后对样品进行表面氢化处理并研制了金刚石射频器件,系统研究了氮含量对金刚...
关键词：氮含量 微波等离子体化学气相沉积 晶体质量 氢终端金刚石 沟道载流子迁移率 电流崩塌 金刚石射频器件 频率特性 
GaN HEMT器件的电流崩塌效应分析被引量：1
《微电子学》2021年第5期734-738,共5页赵宏美 冯全源 文彦 
国家自然科学基金重点项目(61531016,62031016,61831017);四川省重大科技专项项目(2018GZDZX0038,2018GZDZX0001);四川省重点项目(2019YFG0498,2020YFG0282,2020YFG0028)。
研究了氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)的温度特性,分析了自热效应造成GaN HEMT的电流崩塌现象。提出了一种图形化衬底技术来降低器件温度。在缓冲层与衬底界面设置与缓冲层同材料的梯形微阱,在势垒层与钝化层界面设置无掺杂和低Al...
关键词：GaN HEMT 自热效应 电流崩塌 微阱 
新结构GaN HEMT器件机理及电流崩塌效应研究
《电力电子技术》2020年第10期53-56,共4页刘静 段雯阁 王琳倩 张艳 
陕西省重点研发计划(2019GY-060);西安市科技计划(GXYD14.20)。
提出一种新型氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)结构改善器件的电流崩塌效应,对新结构器件的电流崩塌效应改善机制和有效性进行研究。靠近漏端的电场峰值是引起HEMT电流崩塌的关键因素,新结构中耗尽区扩展,承担了一部分原来集中在漏...
关键词：高电子迁移率晶体管 氮化镓 电流崩塌效应 
GaN HFET偏置转换中的亚稳态能带(续)被引量：1
《固体电子学研究与进展》2020年第4期237-242,257,共7页薛舫时 杨乃彬 陈堂胜 
国家自然科学基金资助项目(61874101)。
从场效应管瞬态电流谱中慢峰展示的异质结慢充电过程出发,提出了研究GaN HFET偏置转换中出现的亚稳态新概念。利用亚稳态随时间的缓变特征,建立了自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程的能带计算方案。选用能带峰和填充能级来描绘亚稳态,...
关键词：亚稳态能带 电流崩塌 能带峰 填充能级 能带谷充电 应力偏置对动态电流的影响 电流崩塌模型 陷阱 
GaN HFET偏置转换中的亚稳态能带被引量：2
《固体电子学研究与进展》2020年第3期159-163,共5页薛舫时 杨乃彬 陈堂胜 
国家自然科学基金资助项目(61874101,61904162)。
从场效应管瞬态电流谱中慢峰展示的异质结慢充电过程出发,提出了研究GaN HFET偏置转换中出现的亚稳态新概念。利用亚稳态随时间的缓变特征,建立了自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程的能带计算方案。选用能带峰和填充能级来描绘亚稳态,...
关键词：亚稳态能带 电流崩塌 能带峰 填充能级 能带谷充电 应力偏置对动态电流的影响 电流崩塌模型 陷阱 
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