杨乃彬

作品数：35被引量：29H指数：3
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发文领域：电子电信电气工程自动化与计算机技术天文地球更多>>
发文期刊：《微波学报》《微电子学与计算机》《电子元器件应用》《功能材料与器件学报》更多>>
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GaN HFET加应力后的虚栅和亚稳态能带
《固体电子学研究与进展》2023年第2期108-120,共13页薛舫时 杨乃彬 陈堂胜 
江苏省重点研发计划资助项目(SBE2022020239,BE2020007)。
使用双曲函数拟合描绘出从应力偏置转换到测试偏置后,不同时刻的表面电势、电场强度和电场梯度的动态弛豫过程。计算出这一偏置转换引发的亚稳态能带。亚稳态能带的弛豫过程描绘出沟道夹断后的异质结充电过程。亚稳态能带计算证明外沟...
关键词：虚栅 电流崩塌 能带畸变 局域电子气 涉及异质结能带转换的虚栅模型 陷阱和局域电子气的相互作用 异质结鳍 
GaN HFET中的能带峰势垒和跨导崩塌(续)
《固体电子学研究与进展》2022年第4期251-257,262,共8页薛舫时 杨乃彬 陈堂胜 
国家自然科学基金资助项目(61874101);江苏省重点研发计划资助项目(BE2020007)。
考虑大沟道电流下外沟道局域电子气慢输运行为破坏沟道电中性,诱生空间电荷导致的能带峰势垒,提出了新的跨导崩塌模型。详细计算了不同栅压和不同沟道电流密度、即不同空间电荷密度下的场效应管能带。引入新的能带峰势垒和沟道电子跨越...
关键词：跨导崩塌 能带峰势垒 能带畸变 局域电子气 陷阱和局域电子气的相互作用 沟道电子的速-场特性 钟形跨导曲线 异质结鳍 
GaN HFET中的能带峰势垒和跨导崩塌
《固体电子学研究与进展》2022年第3期163-169,共7页薛舫时 杨乃彬 陈堂胜 
国家自然科学基金资助项目(61874101);江苏省重点研发计划资助项目(BE2020007)。
考虑大沟道电流下外沟道局域电子气慢输运行为破坏沟道电中性,诱生空间电荷导致的能带峰势垒,提出了新的跨导崩塌模型。详细计算了不同栅压和不同沟道电流密度、即不同空间电荷密度下的场效应管能带。引入新的能带峰势垒和沟道电子跨越...
关键词：跨导崩塌 能带峰势垒 能带畸变 局域电子气 陷阱和局域电子气的相互作用 沟道电子的速-场特性 钟形跨导曲线 异质结鳍 
GaN异质结场效应管中栅、漏电压对电子气的控制(续)
《固体电子学研究与进展》2021年第6期425-431,共7页薛舫时 杨乃彬 陈堂胜 孔月婵 
国家自然科学基金资助项目(61874101,61904162)。
从自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程出发,编制出计算GaN HFET内不同栅、漏电压下沟道能带、电子气密度及量子电容的软件,研究场效应管的电荷控制和DIBL。在异质结沟道阱研究中,改变栅电压算出的电子气密度及量子电容同C-V实验测试结果...
关键词：电荷控制模型 漏电压引起的势垒下降 类MESFET模拟 电荷控制中的量子行为 量子电容 三角阱近似 漏电压引起的阈值电压移动 漏电压引起的能带下弯 
GaN异质结场效应管中栅、漏电压对电子气的控制被引量：2
《固体电子学研究与进展》2021年第5期337-342,共6页薛舫时 杨乃彬 陈堂胜 孔月婵 
国家自然科学基金资助项目(61874101,61904162)。
从自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程出发,编制出计算GaN HFET内不同栅、漏电压下沟道能带、电子气密度及量子电容的软件,研究场效应管的电荷控制和DIBL。在异质结沟道阱研究中,改变栅电压算出的电子气密度及量子电容同C-V实验测试结果...
关键词：电荷控制模型 漏电压引起的势垒下降 类MESFET模拟 电荷控制中的量子行为 量子电容 三角阱近似 漏电压引起的阈值电压移动 漏电压引起的能带下弯 
GaN HFET偏置转换中的亚稳态能带(续)被引量：1
《固体电子学研究与进展》2020年第4期237-242,257,共7页薛舫时 杨乃彬 陈堂胜 
国家自然科学基金资助项目(61874101)。
从场效应管瞬态电流谱中慢峰展示的异质结慢充电过程出发,提出了研究GaN HFET偏置转换中出现的亚稳态新概念。利用亚稳态随时间的缓变特征,建立了自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程的能带计算方案。选用能带峰和填充能级来描绘亚稳态,...
关键词：亚稳态能带 电流崩塌 能带峰 填充能级 能带谷充电 应力偏置对动态电流的影响 电流崩塌模型 陷阱 
GaN HFET偏置转换中的亚稳态能带被引量：2
《固体电子学研究与进展》2020年第3期159-163,共5页薛舫时 杨乃彬 陈堂胜 
国家自然科学基金资助项目(61874101,61904162)。
从场效应管瞬态电流谱中慢峰展示的异质结慢充电过程出发,提出了研究GaN HFET偏置转换中出现的亚稳态新概念。利用亚稳态随时间的缓变特征,建立了自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程的能带计算方案。选用能带峰和填充能级来描绘亚稳态,...
关键词：亚稳态能带 电流崩塌 能带峰 填充能级 能带谷充电 应力偏置对动态电流的影响 电流崩塌模型 陷阱 
GaN HFET中的实时能带和电流崩塌(续)被引量：1
《固体电子学研究与进展》2019年第6期391-399,共9页薛舫时 杨乃彬 郁鑫鑫 
国家自然科学基金资助项目(61874101)
从场效应管能带和能带峰耗尽的新概念出发,提出了研究GaN HFET射频工作中实时能带的新课题。运用自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程的能带计算软件详细计算了不同栅压和漏压下的实时稳态能带,由此求出各种实时能带下的局域电子气密度和...
关键词：实时能带 非稳态能带 电流崩塌 能带峰耗尽 局域电子气势垒 电流崩塌能带模型 陷阱 
GaN HFET中的实时能带和电流崩塌被引量：4
《固体电子学研究与进展》2019年第5期313-323,389,共12页薛舫时 杨乃彬 郁鑫鑫 
国家自然科学基金资助项目(61874101)
从场效应管能带和能带峰耗尽的新概念出发,提出了研究GaN HFET射频工作中实时能带的新课题。运用自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程的能带计算软件详细计算了不同栅压和漏压下的实时稳态能带,由此求出各种实时能带下的局域电子气密度和...
关键词：实时能带 非稳态能带 电流崩塌 能带峰耗尽 局域电子气势垒 电流崩塌能带模型 陷阱 
基于InP HBT工艺的超高速静态及动态分频器被引量：1
《固体电子学研究与进展》2014年第6期F0003-F0003,共1页程伟 张有涛 王元 陆海燕 赵岩 杨乃彬 
磷化铟异质结双极型晶体管（InP HBT）具有超高速、高器件一致性、高击穿等优点，在超高速数模混合电路应用方面具有独特优势。南京电子器件研究所基于76．2mm InP HBT圆片工艺，研制出60GHz静态分频器以及92GHz动态分频器。图1为静态...
关键词：动态分频器 HBT工艺 静态分频器 超高速 INP 南京电子器件研究所 异质结双极型晶体管 电路应用 
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