HBT工艺

作品数：27被引量：17H指数：2
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相关机构：南京电子器件研究所上海华虹宏力半导体制造有限公司南京邮电大学中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
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基于0.7μm InP HBT工艺的宽带差分行波放大器
《微波学报》2024年第6期6-9,共4页余芹 潘晓枫 于伟华 潘碑 毕博 葛振霆 
文中设计了一款基于0.7μm InP HBT的宽带差分行波放大器。该行波放大器拥有三个增益单元,为了得到更高的增益,采用了差分共射共基极放大结构;为了得到更高的带宽,每级都采用了射级退化电阻。集电极偏置低于最大电流增益的值,这使得放...
关键词：InP HBT 宽带 行波放大器 差分放大器 
基于硅基埋置异构集成工艺的V波段收发芯片
《固体电子学研究与进展》2023年第6期F0003-F0003,共1页张洪泽 焦宗磊 袁克强 刘尧 潘晓枫 郁元卫 黄旼 朱健 
南京电子器件研究所结合自主的硅基埋置异构集成工艺和InP HBT工艺,设计制造了国内首款基于硅基埋置异构集成工艺的V波段收发芯片(如图1所示)。该芯片内部集成六倍频器、混频器、滤波器、放大器、伪码调制器等,采用球栅阵列封装(Ball gr...
关键词：球栅阵列封装 收发芯片 V波段 倍频器 混频器 HBT工艺 异构集成 伪码调制 
基于HBT工艺的低三阶交调失真射频放大器优化设计被引量：1
《微电子学》2023年第2期255-260,共6页熊翼通 喻阳 蒲颜 张峪铭 王国强 
针对宽带大信号容量无线系统对低三阶交调失真射频放大器的迫切需求,从放大器偏置点优化和片上散热优化两个方面研究了基于HBT工艺的低三阶交调失真射频放大器优化设计方法。分析了达林顿复合结构射频放大器交调特性与直流偏置点的关系...
关键词：HBT 射频放大器 三阶交调 
基于0.7μm InP HBT工艺的10GS/s宽带Σ-Δ模数转换器设计被引量：1
《中北大学学报（自然科学版）》2022年第6期554-559,共6页张翼 刘坤 韩春林 王洋 张有涛 李晓鹏 杨磊 郭宇锋 
微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室基金资助项目(614280304012101);东南大学毫米波国家重点实验室开放课题(K202220);射频集成与微组装技术国家地方联合工程实验室开放课题(KFJJ20210206)。
基于0.7μm InP HBT工艺,设计了连续时间超高速宽带Σ-Δ模数转换器,其时钟采样率为10 GS/s.该模数转换器系统包括两级环路滤波器,一个2 bit ADC和一个2 bit DAC.为了方便测试,电路中还增加了2 bit DAC和输出缓冲电路.设计完成后的Σ-Δ...
关键词：Σ-Δ模数转换器 InP HBT工艺 超高速宽带 2 bit数模转换器 
基于InP HBT工艺的C波段高谐波抑制有源三倍频器MMIC
《固体电子学研究与进展》2022年第3期196-200,共5页姚露露 刘尧 潘晓枫 程伟 王学鹏 
基于0.7μm InP HBT工艺,设计了一款C波段高谐波抑制有源三倍频器MMIC。三倍频核心电路采用AB类差分级联三极管(cascode)结构,可产生丰富的奇次谐波信号,通过输出匹配网络滤出三次谐波信号并抑制其他谐波信号。输入端利用有源巴伦实现...
关键词：磷化铟 差分 高谐波抑制 三倍频器MMIC 
基于InPHBT工艺的宽带非线性传输线梳谱发生器MMIC设计被引量：1
《固体电子学研究与进展》2022年第1期16-21,共6页曹军 刘尧 潘晓枫 程伟 
基于NEDI 0.7μm InP HBT工艺,设计了一种宽带非线性传输线梳谱发生器MMIC,输出频率范围覆盖DC-100 GHz,最大倍频次数高达60。梳谱发生器由40级非线性传输线单元级联构成,每个非线性单元由高阻微带线以及基极-集电极短接的晶体管组成。...
关键词：磷化铟 非线性传输线 梳谱发生器MMIC 脉冲信号 
基于InP HBT工艺的高功率高谐波抑制W波段宽带八倍频器MMIC
《固体电子学研究与进展》2021年第1期24-28,34,共6页刘尧 潘晓枫 程伟 王学鹏 姚靖懿 陶洪琪 
基于0.7μm InP HBT工艺,设计实现了一种高功率高谐波抑制比的W波段倍频器MMIC。电路二倍频单元采用有源推推结构,通过3个二倍频器单元级联形成八倍频链,并在链路的输出端加入输出缓冲放大器,进一步提高倍频输出功率。常温25℃状态下,...
关键词：磷化铟 高谐波抑制 W波段倍频器MMIC 
基于InP HBT工艺的50 Gb/s 1:4量化降速电路
《电子技术应用》2020年第6期45-50,共6页周浩 张有涛 
基于南京电子器件研究所的0.7μm InP HBT工艺设计了一种数据转换速率达到50 Gb/s的1:4量化降速芯片。该芯片同时将前端高速高灵敏度比较器与一个1:4分接器集成到单芯片中,能够直接一次性实现对2~18 GHz带宽的模拟输入信号的可靠接收和...
关键词：高速电路 比较器 分接器 树型结构 InP HBT 高灵敏度 
基于HBT工艺的高功率低相位噪声QVCO
《微电子学》2020年第1期95-100,共6页曹军 蔡运城 赵君鹏 吴凯翔 高海军 
国家自然科学基金资助项目(61871161,61827806).
基于Sanan 2μm GaAs HBT工艺,提出了一种差分Colpitts结构的高功率低相位噪声正交压控振荡器(QVCO)。该QVCO采用四只环形连接的二极管,通过二次谐波反相作用,迫使压控振荡器基波正交。该QVCO比传统串并联晶体管耦合电路具有更高的输出...
关键词：异质结双极晶体管 正交压控振荡器 高功率 低相位噪声 
101.6 mm(4英寸)0.7μm InP HBT工艺及其应用被引量：3
《固体电子学研究与进展》2019年第4期301-305,共5页戴鹏飞 李征 戴姜平 常龙 姚靖懿 程伟 任春江 
报道了采用多层布线的101.6mm(4英寸)0.7μm InP HBT圆片工艺.器件工艺中台面均采用湿法腐蚀工艺,结合自对准光刻和BCB互联平坦化工艺,并集成了金属薄膜电阻和MIM电容.研制得到的0.7μm InPHBT器件电流增益截止频率(fT)为330GHz,最大振...
关键词：磷化铟异质结双极晶体管 制造工艺 高集成度 多层布线 
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