基于硅基埋置异构集成工艺的V波段收发芯片  

V-band Transceiver Chip-let Using Si Fan-out Heterogenous Integration Technology

作　　者：张洪泽 焦宗磊 袁克强 刘尧 潘晓枫[1,2] 郁元卫 黄旼[1] 朱健 ZHANG Hongze;JIAO Zonglei;YUAN Keqiang;LIU Yao;PAN Xiaofeng;YU Yuanwei;HUANG Min;ZHU Jian(Nanjing Electronic Devices Istute Nnjing,210016,CHN;National Key Laboratory of Solid-state Microwave Devices andCircuits,Nanjing,210016,CHN)

机构地区：[1]南京电子器件研究所,南京210016 [2]固态微波器件与电路全国重点实验室,南京210016

出　　处：《固体电子学研究与进展》2023年第6期F0003-F0003,共1页Research & Progress of SSE

摘　　要：南京电子器件研究所结合自主的硅基埋置异构集成工艺和InP HBT工艺,设计制造了国内首款基于硅基埋置异构集成工艺的V波段收发芯片(如图1所示)。该芯片内部集成六倍频器、混频器、滤波器、放大器、伪码调制器等,采用球栅阵列封装(Ball grid array,BGA)接口,具有集成度高。

关 键 词：球栅阵列封装 收发芯片 V波段 倍频器 混频器 HBT工艺 异构集成 伪码调制 

分 类 号：TN40[电子电信—微电子学与固体电子学]