陶洪琪

作品数：42被引量：84H指数：5
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供职机构：南京电子器件研究所更多>>
发文主题：GAN功率放大器MMIC氮化镓单片微波集成电路更多>>
发文领域：电子电信航空宇航科学技术更多>>
发文期刊：《通信电源技术》《固体电子学研究与进展》《空间电子技术》《西安电子科技大学学报》更多>>
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基于GaN HEMT的80GHz~140GHz超宽带功率放大器
《空间电子技术》2024年第4期99-104,共6页刘仁福 王维波 陶洪琪 郭方金 骆晨杰 商德春 张亦斌 吴少兵 
为满足毫米波通信等应用领域对超宽带功率放大器的需求,文章采用南京电子器件研究所50 nm GaN HEMT工艺研制了一款覆盖W、F波段的超宽带功率放大器。首先,使用模型对实验数据进行拟合外推,得到宽带范围内管芯的功率阻抗;其次,采用LC结...
关键词：氮化镓 超宽带 功率放大器 
一种基于GaAs pHEMT工艺的18~40 GHz六位高精度数控移相器
《固体电子学研究与进展》2024年第3期213-218,共6页张天羽 韩群飞 陶洪琪 
江苏省“双创博士”资助项目(JSSCBS20222172)。
基于0.15μm GaAs pHEMT工艺研制了一款工作频率为18~40 GHz的高精度六位数控移相器芯片。其中5.625°、11.25°和22.5°移相位采用了改进型的串并联电容移相结构,该结构可通过增加串联电感改善移相精度;45°和90°移相位采用了磁耦合...
关键词：移相器 毫米波 超宽带 全通网络 砷化镓 
应用于收发链路多模块级联的优化设计方法
《电子技术应用》2024年第5期77-83,共7页余秋实 郭润楠 陈昊 庄园 梁云 闫昱君 吴霞 葛逢春 王维波 陶洪琪 
为解决波束赋形芯片中子电路模块由于寄生效应而导致的级联失配问题提出了一种优化设计方法。该设计方法通过主动引入相邻器件阻抗牵引效应,并使其与级联阻抗失配相抵消从而实现阻抗“预失配”的设计方案。对“预失配”的技术原理以及...
关键词：多模块级联 X/Ku波段 砷化镓赝配高电子迁移率晶体管 单片微波集成电路 相控阵收发芯片 
0.6~18.0 GHz超宽带低噪声放大器MMIC
《固体电子学研究与进展》2024年第2期125-130,共6页郝翔 王维波 闫俊达 袁巍 韩方彬 陶洪琪 
基于0.15μm GaAs E-pHEMT工艺设计并制备了一款0.6~18.0 GHz的低噪声放大器单片微波集成电路。该放大器使用一级共源共栅结构,通过负反馈实现宽带的匹配设计。同时在共栅晶体管栅极增加到地电容,共源管和共栅管漏极增加峰化电感,以提...
关键词：超宽带 低噪声放大器 共源共栅 单片微波集成电路 砷化镓 
晶圆级异构集成3D芯片互连技术研究被引量：2
《固体电子学研究与进展》2023年第3期F0003-F0003,共1页田飞飞 凌显宝 张君直 叶育红 蔡传涛 赵磊 陶洪琪 
南京电子器件研究所基于芯片微凸点制备工艺和倒装互连工艺,进行了GaAs,GaN等晶圆级异构集成3D芯片互连工艺的研究,实现了芯片与芯片堆叠(Die to die,D2D)到芯片与圆片堆叠(Die to wafer,D2W)的技术性突破。芯粒间采用耐腐蚀、抗氧化、...
关键词：晶圆级 金凸点 芯片堆叠 圆片 异构集成 倒装互连 互连技术 3D芯片 
星载高可靠性Ku波段GaN功率放大器芯片被引量：1
《固体电子学研究与进展》2023年第1期16-20,共5页肖玮 金辉 余旭明 陶洪琪 
基于星载高可靠性的应用背景,采用0.20μm GaN HEMT工艺研制了一款12 V工作电压的Ku频段功率放大器芯片。利用电热结合的分析方法,确定了管芯结构及工作电压。基于Load-pull测试获得GaN HEMT管芯的最佳输出功率和最佳效率阻抗,设计了一...
关键词：GAN KU波段 功率放大器 高可靠性 低压稳定 
一体化匹配网络的Q波段Doherty功率放大器MMIC设计
《固体电子学研究与进展》2023年第1期21-26,共6页彭晨睿 郭润楠 陶洪琪 余旭明 
国家重点研发计划资助项目(2019YFB2203703)。
提出了一种毫米波Doherty放大器一体化匹配网络的设计方法。该匹配网络将功率合成、阻抗变换和相位调节功能一体化,结合兰格耦合器,去除了传统Doherty功放结构中输出和输入四分之一波长线。采用0.15μm GaN工艺研制了一款Doherty放大器M...
关键词：DOHERTY功率放大器 单片微波集成电路 氮化镓 负载调制 
基于双栅长GaN集成工艺的Ku波段收发芯片被引量：1
《固体电子学研究与进展》2022年第6期429-434,472,共7页孔令峥 彭龙新 陶洪琪 张亦斌 闫俊达 王维波 韩方彬 
国家重点研发计划资助项目(2019YFB2203703);国家重点研发计划资助项目(2021YFB3602403)。
研制了一款Ku波段GaN收发多功能芯片。芯片集成了接收通道的低噪声放大器和发射通道的功率放大器,使用单刀双掷开关实现通道间切换。该芯片采用两种不同栅长集成的GaN HEMT工艺。低噪声放大器使用0.10μm低压低噪声工艺,功率放大器和开...
关键词：多功能芯片 氮化镓 双栅长 单片微波集成电路 收发 KU波段 
超宽带硅基三维集成四通道收发微模组被引量：1
《固体电子学研究与进展》2022年第4期F0003-F0003,共1页陶洪琪 张君直 张皓 蔡传涛 黄旼 张洪泽 焦宗磊 朱健 
南京电子器件研究所大力推进射频组件芯片化技术发展,在国内首先提出了五层硅基晶圆级堆叠架构(图1),在8英寸硅晶圆上,通过基于TSV射频转接板的三维集成先进工艺技术,制备出首款2~18 GHz硅基三维集成四通道收发微模组,模组大小为17 mm×...
关键词：三维集成 收发组件 发射电流 超宽带 连续波 晶圆级 硅晶圆 模组 
X波段氮化镓高效率功率放大器MMIC
《通信电源技术》2022年第9期13-15,共3页李文龙 陶洪琪 余旭明 
基于0.25μm栅长的GaN高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor,HEMT)工艺,采用三级放大拓扑电路结构,研制出了一款X波段宽带GaN高效率功率放大器芯片。使用LoadPull测试方法得到了GaN HEMT管芯的最佳输出效率和最佳输出...
关键词：GAN X波段 功率放大器 高效率 
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