叶育红

作品数：4被引量：6H指数：2
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供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
发文主题：多通道HBT硅芯片硅基功率放大器更多>>
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发文期刊：《固体电子学研究与进展》《电子与封装》更多>>
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晶圆级异构集成3D芯片互连技术研究被引量：2
《固体电子学研究与进展》2023年第3期F0003-F0003,共1页田飞飞 凌显宝 张君直 叶育红 蔡传涛 赵磊 陶洪琪 
南京电子器件研究所基于芯片微凸点制备工艺和倒装互连工艺,进行了GaAs,GaN等晶圆级异构集成3D芯片互连工艺的研究,实现了芯片与芯片堆叠(Die to die,D2D)到芯片与圆片堆叠(Die to wafer,D2W)的技术性突破。芯粒间采用耐腐蚀、抗氧化、...
关键词：晶圆级 金凸点 芯片堆叠 圆片 异构集成 倒装互连 互连技术 3D芯片 
金层和银层铟基焊料钎焊界面组织性能研究被引量：3
《电子与封装》2017年第4期12-15,23,共5页杨东升 张悦 田艳红 叶育红 
对In40Pb60的铟基近共晶钎料钎焊金属基板钎焊界面(即Cu/Ni/Au/InPb/Ag/Ni/Al结构)进行研究。分析钎焊界面焊点处显微结构及各层成分及厚度,对钎焊焊点进行高温老化,利用SEM对焊点钎料成分与界面形成的金属间化合物进行检测,并进行剪切...
关键词：In基焊料 金属间化合物 剪切性能 可靠性 
BST薄膜对GaN衬底的传输特性影响
《电子与封装》2012年第5期31-34,共4页叶育红 周骏 沈亚 李辉 
钛酸锶钡(BST)薄膜是一种重要的铁电薄膜,应用广泛,是高新技术研究的前沿和热点之一。文章重点讨论了不同结构的BST薄膜对GaN传输线的传输特性影响,分析了不同的BST薄膜材料参数对传输性能的影响。实验证明,未电镀的传输线空洞较多,直...
关键词：钛酸锶钡 氮化镓 传输特性 
多通道小型化三维封装T/R组件被引量：1
《固体电子学研究与进展》2011年第4期F0003-F0003,共1页沈亚 周骏 沈亮 叶育红 李朝阳 孙春妹 张维 
南京电子器件研究所最近研制出一款用于有源相控阵雷达用的多通道T／R组件，该组件采用三维封装技术，利用LTCC多层基板可实现微波电路的三维信号传输的特点，采用LTCC基板封装一体化设计方法，提高组件的集成度，减小组件的体积和重量...
关键词：T/R组件 三维封装 多通道 小型化 南京电子器件研究所 LTCC基板 有源相控阵雷达 封装技术 
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