孙春妹

作品数：3被引量：9H指数：1
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供职机构：南京电子器件研究所更多>>
发文主题：GAN内匹配KU波段ALGAN/GAN功率管更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《固体电子学研究与进展》《电子技术（上海）》《电子与封装》更多>>
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2.3-2.5GHz自偏置20W GaN功率放大器的设计与实现
《电子技术（上海）》2018年第10期78-80,共3页孙春妹 王召义 刘伟 钟世昌 
文章介绍了一种单电源S波段10W GaN内匹配功率放大器。器件基于3.6mm GaN HEMT管芯,采用内匹配技术对其进行输入输出匹配,利用单电源的自偏置结构给器件提供瞬态保护。放大器工作频率范围2.3GHz～2.5GHz,在32V漏电压、连续波测试条件下...
关键词：氮化镓 内匹配 单电源 S波段 
多通道小型化三维封装T/R组件被引量：1
《固体电子学研究与进展》2011年第4期F0003-F0003,共1页沈亚 周骏 沈亮 叶育红 李朝阳 孙春妹 张维 
南京电子器件研究所最近研制出一款用于有源相控阵雷达用的多通道T／R组件，该组件采用三维封装技术，利用LTCC多层基板可实现微波电路的三维信号传输的特点，采用LTCC基板封装一体化设计方法，提高组件的集成度，减小组件的体积和重量...
关键词：T/R组件 三维封装 多通道 小型化 南京电子器件研究所 LTCC基板 有源相控阵雷达 封装技术 
Ku波段20W AlGaN/GaN功率管内匹配技术研究被引量：8
《电子与封装》2010年第6期23-25,38,共4页孙春妹 钟世昌 陈堂胜 任春江 焦刚 陈辰 高涛 
文章的主要目的是研究第三代半导体AlGaN/GaN功率管内匹配问题。以设计Ku波段20WGaN器件为例,研究了内匹配电路的设计、合成以及内匹配电路的测试,实现了GaN功率HEMT在Ku波段20W连续波输出功率的内匹配电路,并使整个电路的输入、输出电...
关键词：GAN 功率管 内匹配 
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