高涛

作品数：3被引量：28H指数：3
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供职机构：南京电子器件研究所更多>>
发文主题：功率管内匹配氮化镓KU波段ALGAN/GAN更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《电子与封装》《固体电子学研究与进展》更多>>
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Ku波段60W AlGaN/GaN功率管被引量：10
《固体电子学研究与进展》2014年第4期350-353,共4页钟世昌 陈堂胜 钱锋 陈辰 高涛 
南京电子器件研究所单片电路设计部
针对Ku波段60W氮化镓内匹配功率管,开展了内匹配电路的设计、合成以及内匹配电路的测试等研究工作,实现了GaN功率HEMT在Ku波段60W输出功率的内匹配电路,并使整个电路的输入、输出电路阻抗提升至50Ω。该功率管采用南京电子器件研究所研...
关键词：氮化镓功率管 KU波段 内匹配 
八胞合成X波段140W AlGaN/GaN HEMT的研究与应用被引量：11
《固体电子学研究与进展》2011年第5期442-444,493,共4页钟世昌 陈堂胜 张斌 任春江 陈辰 高涛 
主要研究第三代半导体AlGaN/GaN功率管内匹配问题。采用8个2.5 mm GaN功率芯片设计、合成以及内匹配电路的测试,在漏极电压40 V,脉冲占空比10%,脉宽100μs的条件下进行功率匹配,实现了GaN功率HEMT在X波段8 GHz 140 W功率输出的内匹配电...
关键词：氮化镓 功率管 内匹配 
Ku波段20W AlGaN/GaN功率管内匹配技术研究被引量：8
《电子与封装》2010年第6期23-25,38,共4页孙春妹 钟世昌 陈堂胜 任春江 焦刚 陈辰 高涛 
文章的主要目的是研究第三代半导体AlGaN/GaN功率管内匹配问题。以设计Ku波段20WGaN器件为例,研究了内匹配电路的设计、合成以及内匹配电路的测试,实现了GaN功率HEMT在Ku波段20W连续波输出功率的内匹配电路,并使整个电路的输入、输出电...
关键词：GAN 功率管 内匹配 
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