Ku波段60W AlGaN/GaN功率管  

Ku-band 60W AlGaN/GaN Internally Matched Power HEMT

作　　者：钟世昌[1,2] 陈堂胜[1,2] 钱锋[1] 陈辰[1,2] 高涛[1] 

机构地区：[1]南京电子器件研究所,南京210016 [2]单片集成电路及模块电路国家重点实验室,南京210016

出　　处：《固体电子学研究与进展》2014年第4期350-353,共4页Research & Progress of SSE

基　　金：南京电子器件研究所单片电路设计部

摘　　要：针对Ku波段60W氮化镓内匹配功率管,开展了内匹配电路的设计、合成以及内匹配电路的测试等研究工作,实现了GaN功率HEMT在Ku波段60W输出功率的内匹配电路,并使整个电路的输入、输出电路阻抗提升至50Ω。该功率管采用南京电子器件研究所研制的两个10.8mm栅宽管芯进行合成,最终研制的GaN Ku波段内匹配功率管在28V漏电压、1ms周期、10%占空比及14.0~14.5GHz频带内输出功率大于60W,最高功率输出66W,带内功率增益大于6dB,最大功率附加效率33.1%,充分显示了GaN功率器件在Ku波段应用的性能优势。The paper researches the Ku- band 60 W AIGaN/GaN internal matching technology. Using two 10.8 mm GaN power HEMT transistors made by Nanjing Electric Devices Institute,the internally matched transistor demonstrates an pulse output power of more than 60 W with a power gain of over 6 dB across the band of 14.0~14.5 GHz, at operating drain bias voltage of 28 V. And the maximum pulse output power of 66 W with PAE of 33.1% under Was of 28 V at 14.0 GHz is tested. It fully shows the advantages of the GaN power device.

关 键 词：氮化镓功率管 KU波段 内匹配 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]