3D芯片

作品数：70被引量：33H指数：3
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IC可测性与3D芯片测试技术的分析
《电子技术（上海）》2023年第7期6-8,共3页张峰 袁欣欣 李拓 苏康 杜雅楠 刘凯 满宏涛 邹晓峰 
阐述系统级芯片SoC的可测性技术DFT,在系统测试中发挥着极其重要的作用。DFT技术主要包括扫描测试和内建自测试BIST,探讨测试数据压缩技术、低功耗测试技术、并发在线测试中的DFT测试技术,以及3D IC测试技术的原理、存在的问题和发展前...
关键词：集成电路测试 系统级芯片 扫描测试 测试数据压缩 
晶圆级异构集成3D芯片互连技术研究被引量：2
《固体电子学研究与进展》2023年第3期F0003-F0003,共1页田飞飞 凌显宝 张君直 叶育红 蔡传涛 赵磊 陶洪琪 
南京电子器件研究所基于芯片微凸点制备工艺和倒装互连工艺,进行了GaAs,GaN等晶圆级异构集成3D芯片互连工艺的研究,实现了芯片与芯片堆叠(Die to die,D2D)到芯片与圆片堆叠(Die to wafer,D2W)的技术性突破。芯粒间采用耐腐蚀、抗氧化、...
关键词：晶圆级 金凸点 芯片堆叠 圆片 异构集成 倒装互连 互连技术 3D芯片 
银牛发布3D芯片及模组
《电子产品世界》2021年第12期5-5,共1页
3D芯片的引领者Inuitive的母公司——银牛微电子宣布,面向机器人行业重磅推出旗下全新产品"3D机器视觉模组C158"。该产品基于银牛(Inuitive)NU4000芯片设计,高度集成3D深度感知、高精度姿态跟踪、SLAM实时定位建图引擎与强大的AI算力于...
关键词：机器视觉 深度感知 模组 全新产品 实时定位 姿态跟踪 3D 微电子 
2.5D/3D芯片-封装-系统协同仿真技术研究被引量：9
《电子与封装》2021年第10期30-39,共10页褚正浩 张书强 候明刚 
2.5D/3D芯片包含Interposer/硅穿孔(Through Silicon Via,TSV)等复杂结构,通过多物理场仿真可以提前对2.5D/3D芯片的设计进行信号完整性(Signal Integrity,SI)、电源完整性(Power Integrity,PI)及可靠性优化。总结了目前2.5D/3D芯片仿...
关键词：2.5D/3D芯片 芯片-封装-系统 多物理场 仿真 ANSYS 
3D芯片热管理技术的专利分析
《电视技术》2020年第5期51-54,共4页白若鸽 章放 
本文以专利为切入点,探索3D芯片热管理技术的竞争态势和研发方向。以经过遴选的中国专利文摘数据库中的3D芯片热管理相关技术专利为研究对象,从专利的申请状况、申请人的重要技术点、技术研发趋势等方面,研究中国3D芯片热管理技术的专...
关键词：3D芯片 热管理 专利分布 
基于边沿延时翻转的绑定前硅通孔测试方法被引量：3
《电子学报》2019年第11期2278-2283,共6页倪天明 常郝 卞景昌 易茂祥 梁华国 黄正峰 
国家自然科学基金(No.61904001,No.61874156,No.61704001);安徽省自然科学基金(No.1908085QF272,No.1808085QF196;安徽省教育厅高校自然科学研究重点项目(No.KJ2019A0163,No.KJ2016A001);安徽工程大学科研启动基金(No.2018YQQ007)
硅通孔(Through-Silicon Via,TSV)在制造过程中发生开路和短路等故障会严重影响3D芯片的可靠性和良率,因此对绑定前的TSV进行故障测试是十分必要的.现有的绑定前TSV测试方法仍存在故障覆盖不完全、面积开销大和测试时间大等问题.为解决...
关键词：3D芯片 硅通孔测试 开路故障 短路故障 
英特尔推出3D芯片制造技术
《中国战略新兴产业》2019年第1期22-22,共1页
随着在芯片的平面中塞入晶体管的难度越来越大,我们已接近摩尔定律的终点,唯一的选择就是从垂直分布领域突破,也就是从三维层面来设计芯片。英特尔公司日前宣布,他们设计开发了一款业内首创的3D逻辑芯片封装技术——Foveros。该技术首...
关键词：英特尔公司 逻辑芯片 制造技术 3D 摩尔定律 垂直分布 封装技术 晶体管 
考虑温度因素的3D芯片TSV容错结构设计被引量：2
《微电子学》2017年第6期797-801,805,共6页张玲 梅军进 王伟征 
国家自然科学基金资助项目(61472123,61303042);湖北省自然科学基金资助项目(2014CFC1091);湖北理工学院创新人才项目(13xjz05c);湖北理工学院优秀青年科技创新团队项目(13xtz10);湖北教育厅科研项目基金资助项目(B2014026)
相比于2D芯片,3D芯片具有更高的功率密度和更低的热导率。针对散热问题,多层3D芯片一般采用具有较高热导率的铜填充硅通孔(TSV)。为提高3D芯片的成品率,在温度条件限制下,对3D芯片进行TSV的容错结构设计非常重要。分析了带有TSV的3D芯...
关键词：堆叠3D芯片 TSV 容错结构 
比利时和德国合作开发先进3D芯片测试系统
《现代材料动态》2017年第11期11-11,共1页郑诗颖 
比利时微电子研究中心（IMEC）和德国CascadeMicrotech公司宣布己成功开发先进三维芯片全自动pre-bond测试系统。该新系统能够通过带有大量间距40μm的微型凸起芯片的300ram的晶圆探测并测试芯片。IMEC由于开发此种新工具而荣获2017全...
关键词：测试系统 3D芯片 合作开发 比利时 德国 三维芯片 工程影响 仪器仪表 
MIT携手斯坦福打造集成处理器和内存的3D芯片
《世界电子元器件》2017年第7期3-3,共1页
为了追赶摩尔定律,麻省理工与斯坦福两所大学的计算机科学家和电气工程师们,携手开发出了一种集成了内存和处理器、并采用碳纳米管线来连接的3D计算芯片。该团队制造了一台小规模的碳纳米管(CNT)计算机,它能够运行程序、简单的多任务操...
关键词：内存 MIT 斯坦福 芯片 
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