静态分频器

作品数：19被引量：15H指数：2
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基于InP DHBT工艺的DC^45 GHz 1∶8低相噪静态分频器
《固体电子学研究与进展》2020年第4期247-251,共5页张敏 孟桥 张有涛 张翼 程伟 李晓鹏 
国家自然科学基金资助项目(61804081)。
采用0.7μm InP DHBT工艺设计并实现了一款超宽带1∶8静态分频器芯片,内部分频采用电流模式逻辑结构实现,针对InP DHBT器件的高频特点对内部各电路进行了合理优化,实现了整个工作带宽内的宽输入功率范围和高输出信号平坦度。测试结果显...
关键词：静态分频器 磷化铟 超宽带 低相噪 
基于InP DHBT的宽带高带宽利用率的ECL静态分频器
《微波学报》2020年第S01期152-155,共4页甄文祥 苏永波 丁芃 丁武昌 杨枫 金智 
本文提出了一种由0.8μm的InPDHBT工艺制作的宽带2:1静态ECL分频器电路,提出的分频器电路依据双发射极ECL电路结构进行搭建。经过对电路参数的理论分析和相关计算,该电路中关键开关器件的最大截止频率(ft)的利用率提高到了0.967。该电...
关键词：静态分频器 ECL 双发射极 InP DHBT 带宽利用率 
用于超高速数字集成电路的0.5um InP/InGaAs双异质结晶体管被引量：2
《红外与毫米波学报》2016年第3期263-266,共4页牛斌 程伟 张有涛 王元 陆海燕 常龙 谢俊领 
supported by National Natural Science Foundation of China(61474101,61504125)
报道了用于超高速数字集成电路的0.5μm发射级线宽的InP/InGaAs DBHT器件,及其100 GHz的静态分频器,其工作频率达到国内领先.并详细分析了器件CB结电容对影响高速数字应用的影响,其中Ccb/Ic达到0.4 ps/V,揭示其静态分频器具有工作在150 ...
关键词：磷化铟 双异质结晶体管 静态分频器 
基于InP HBT工艺的100 GHz静态及动态分频器被引量：1
《固体电子学研究与进展》2015年第4期F0003-F0003,共1页程伟 张有涛 王元 陆海燕 常龙 谢俊领 
南京电子器件研究所基于76．2mm（3英寸）InP HBT圆片工艺，研制出最高工作频率达100GHz的静态分频器以及动态分频器。图1为静态分频器测试结果，此电路可在2～100GHz范围内实现二分频。图2为动态分频器测试结果，此电路可在75～100GHz...
关键词：动态分频器 静态分频器 HBT工艺 INP 南京电子器件研究所 工作频率 二分频 测试 
基于InP HBT工艺的超高速静态及动态分频器被引量：1
《固体电子学研究与进展》2014年第6期F0003-F0003,共1页程伟 张有涛 王元 陆海燕 赵岩 杨乃彬 
磷化铟异质结双极型晶体管（InP HBT）具有超高速、高器件一致性、高击穿等优点，在超高速数模混合电路应用方面具有独特优势。南京电子器件研究所基于76．2mm InP HBT圆片工艺，研制出60GHz静态分频器以及92GHz动态分频器。图1为静态...
关键词：动态分频器 HBT工艺 静态分频器 超高速 INP 南京电子器件研究所 异质结双极型晶体管 电路应用 
中科院微电子研究所研制成功40GHz静态分频器
《半导体信息》2009年第4期17-18,共2页江兴 
关键词：静态分频器 超高速数字电路 微电子 DHBT 研究所 
中科院微电子研究所研制成功40GHz静态分频器
《今日电子》2009年第2期25-25,共1页王丽英 
近日，中科院微电子研究所四室InPHBT小组研制成功基于In P／InGaAs DHBT工艺的静态分频器，测试结果表明此分频器可在大干40GHg频率下正常工作，在电源供电为-5V的情况下，功耗为650mW，芯片尺寸为1．2mm×0．6mm。这是国内第一款基于...
关键词：静态分频器 电子研究所 中科院 INP/INGAAS HBT工艺 高速数字电路 电源供电 芯片尺寸 
10.5GHz1:2静态分频器设计与实现被引量：1
《固体电子学研究与进展》2008年第4期516-519,共4页张敏 张有涛 陈新宇 
采用0.18μm CMOS工艺设计并实现了1∶2静态分频器。设计中为达到高速率和高灵敏度,对传统的SCFL结构D触发器进行了拓扑及版图优化。测试结果表明,电源电压为1.8V时,该分频器最高工作频率高于10.5GHz,最低工作频率低于2.5MHz(受测试条...
关键词：分频器 触发器 互补金属氧化物半导体 集成电路 
一种BiCMOS 11-GHz低功耗静态分频器被引量：1
《微电子学》2006年第3期363-365,369,共4页王永禄 杨毓军 
介绍了一种超高速、低功耗÷8静态分频器。该电路采用0．35μmB iCMOS工艺制作，晶体管fT达21GHz（Vce=1V）。该分频器在-5V电源电压下功耗为52．5mW，最高工作频率达到11GHz；在-55℃和85℃温度时，最高频率仍能达到10．2GHz；输入功率...
关键词：静态分频器 触发器 放大器 BICMOS 
27.5GHz 0.2μm PHEMT1∶4静态分频器
《Journal of Semiconductors》2005年第7期1418-1423,共6页丁敬峰 王志功 杨守军 王贵 朱恩 熊明珍 
国家高技术研究发展计划资助项目(批准号:2002AA312230和2003AA31G030)~~
描述了一种能运用于未来光传输系统SONETOC768的超高速1∶4静态分频器,其工作频率超过27GHz.该电路采用栅长为0.2μm,截止频率约为60GHz的砷化镓赝晶高电子迁移率晶体管工艺制作,采用共面波导作为电感实现了宽带阻抗匹配.通过采用推拉...
关键词：分频器 锁存器 GAAS 共面波导 
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