中科院微电子研究所研制成功40GHz静态分频器  

作　　者：王丽英 

出　　处：《今日电子》2009年第2期25-25,共1页Electronic Products

摘　　要：近日，中科院微电子研究所四室InPHBT小组研制成功基于In P／InGaAs DHBT工艺的静态分频器，测试结果表明此分频器可在大干40GHg频率下正常工作，在电源供电为-5V的情况下，功耗为650mW，芯片尺寸为1．2mm×0．6mm。这是国内第一款基于InP／InGaAs DHBT工艺的可在毫米波段工作的超高速数字电路。

关 键 词：静态分频器 电子研究所 中科院 INP/INGAAS HBT工艺 高速数字电路 电源供电 芯片尺寸 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学] TN-24