云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- INP/INGAAS

INP/INGAAS: 作品数：57被引量：56H指数：3; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：李献杰刘新宇曾庆明蔡道民任晓敏更多>>; 相关机构：中国科学院中国电子科技集团第十三研究所中国科学院微电子研究所西安电子科技大学更多>>; 相关期刊：《半导体技术》《光电子技术》《应用物理前沿（中英文版）》《Chinese Physics Letters》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>

基于InP/InGaAs肖特基二极管的高灵敏太赫兹探测器: 《太赫兹科学与电子信息学报》2025年第1期40-43,共4页周静涛金智苏永波史敬元丁武昌张大勇杨枫刘桐; InP/InGaAs肖特基二极管(SBDs)探测器因其高电子迁移率和低势垒材料特性,具有非常高的电压响应灵敏度,广泛用于高灵敏太赫兹波探测技术中。为进一步降低器件寄生效应,提升其高频性能,本文提出一种无衬底单台面T型结新型结构的肖特基器件...; 关键词：太赫兹检测器肖特基二极管(SBDs) T型结无衬底单台面

短波红外单光子探测器的发展(特邀)被引量：3: 《红外与激光工程》2023年第3期27-42,共16页史衍丽李云雪白容刘辰叶海峰黄润宇侯泽鹏马旭赵伟林张家鑫王伟付全; 量子保密通信关键技术研究与开发(2018ZI002);云南贵金属实验室科技计划项目(YPML-2022050220)。; InP/InGaAs短波红外单光子探测器(SPAD)是目前制备技术较为成熟且获得广泛应用的单光子探测器,通过半导体热电制冷(TEC)即可达到的工作温度(-40℃左右),具有体积小、成本低,方便安装和携带的应用优势;另外,基于常规半导体二极管的芯片...; 关键词：短波红外单光子探测器 INP/INGAAS 高温高速单光子焦平面

一种InP/InGaAs PIN光电探测器芯片的设计与制作被引量：3: 《电子质量》2022年第7期44-47,共4页赵媛媛武传龙高鹏飞; In Ga As/In P PIN型光电探测器具有低暗电流、高灵敏度和响应速度快的特性,且能够吸收1-1.7μm红外波段光辐射,因此广泛应用于光纤通信系统。该文设计了一种平面型In Ga As/In P PIN光电探测器芯片,重点介绍了该芯片的外延结构与芯片...; 关键词：INGAAS/INP PIN 外延工艺

非故意掺杂吸收层InP/InGaAs异质结探测器研究被引量：1: 《红外与激光工程》2021年第11期62-69,共8页曹嘉晟李淘王红真于春蕾杨波马英杰邵秀梅李雪龚海梅; 中国科学院重点部署项目(ZDRW-CN-2019-3);中国科学院联合基金(6141A01170106);上海市级科技重大专项(2019SHZDZX01);国家自然科学基金(62075229)。; 为了获得低噪声铟镓砷(InGaAs)焦平面,需要采用高质量的非故意掺杂InGaAs(u-InGaAs)吸收层进行探测器的制备。采用闭管扩散方式,实现了Zn元素在u-InGaAs吸收层晶格匹配InP/In0.53Ga0.47As异质结构材料中的P型掺杂,利用扫描电容显微技术(...; 关键词：ZN扩散结深少子扩散长度 INGAAS

InP/InGaAs探测器氮化硅钝化膜的ICPCVD生长技术被引量：1: 《红外技术》2019年第6期511-514,共4页龚燕妮杨文运杨绍培范明国褚祝军; 云南省基础研究重大项目(2016FC002); 采用ICPCVD工艺对InP/InGaAs探测器进行SiNx薄膜钝化,讨论了不同气体比例、射频功率和反应压力对SiNx薄膜应力和致密性的影响。初步得到了低应力、良好致密性的SiNx薄膜沉积工艺。利用此工艺制作的InP/InGaAs探测器在偏压为-10mV的暗电...; 关键词：InP/InGaAs探测器 ICPCVD 氮化硅

Temperature dependence simulation and characterization for InP/InGaAs avalanche photodiodes: 《Frontiers of Optoelectronics》2018年第4期400-406,共7页Yanli ZHAO Junjie TU Jingjing XIANG Ke WEN Jing XU Yang TIAN Qiang LI Yuchong TIAN Runqi WANG Wenyang LI Mingwei GUO Zhifeng LIU Qi TANG; the National Hi-Tech Research and Development Program of China (No.2008AA1Z207);Natural Science Foundation of Hubei Province,China (No.2010CDB01606);Fundamental Research Funds for the Central Universities (HUST: 2016YXMS027);Huawei Innovation Research Program (Nos. YJCB2010032NW,YB2012120133,YB2014010026and YB2016040002);and Scientific Research Foundation for the Returned Overseas Chinese Scholars.

InP/InGaAs探测器对伪装目标成像研究被引量：1: 《红外技术》2017年第10期873-879,共7页向梦邵文斌史衍丽; 云南省科技厅基础研究重点基金项目(2015FA040); 高性能InP/InGaAs宽光谱探测器将前截止波长延伸到0.9mm之前,实现可见/短波双波段探测,大大丰富了探测目标的信息量,提高对目标的识别率。本文采用InP/InGaAs宽光谱探测器相机,通过设置一系列伪装实验,对比不同伪装目标的可见光波图像...; 关键词：短波红外可见光 InP/InGaAs探测器伪装

Simulated study on the InP/InGaAs DHBT under proton irradiation: 《Journal of Semiconductors》2016年第11期50-53,共4页刘敏张玉明吕红亮张义门; Project supported by the National Basic Research Program of China(No.2010CB327505);Advance Research project of China(No.51308xxxx06);Advance Research Foundation of China(No.9140A08xxxx11DZ111); A 3D model simulation of InP/InGaAs/InP DHBT is reported in this paper. A comprehensive set of built-in physical models are described, including Stratton＇s hydrodynamic model, high-fields mobility model and thermioni...; 关键词：heterojunction bipolar transistors proton irradiation INP/INGAAS cutoff frequency

用于超高速数字集成电路的0.5um InP/InGaAs双异质结晶体管被引量：2: 《红外与毫米波学报》2016年第3期263-266,共4页牛斌程伟张有涛王元陆海燕常龙谢俊领; supported by National Natural Science Foundation of China(61474101,61504125); 报道了用于超高速数字集成电路的0.5μm发射级线宽的InP/InGaAs DBHT器件,及其100 GHz的静态分频器,其工作频率达到国内领先.并详细分析了器件CB结电容对影响高速数字应用的影响,其中Ccb/Ic达到0.4 ps/V,揭示其静态分频器具有工作在150 ...; 关键词：磷化铟双异质结晶体管静态分频器

台面型InP/InGaAs雪崩光电二极管刻蚀工艺研究: 《应用物理前沿（中英文版）》2016年第1期1-7,共7页夏伟邓军牟桐杜玉杰; 对比了ICP刻蚀和湿法腐蚀制备台面型InP/InGaAs雪崩光电二极管(APD)时侧壁、表面形貌的不同,以及对暗电流和击穿电压的影响。在Cl2/Ar2/CH4条件下感应耦合等离子体(ICP)刻蚀InP会出现表面粗糙,对其原因进行了探究。并主要对ICP的刻蚀时...; 关键词：雪崩光电二极管(APD) INP/INGAAS ICP 台面型暗电流

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