ZN扩散

作品数：18被引量：49H指数：4
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Zn扩散对InGaAs/InP单光子雪崩光电二极管雪崩击穿概率的影响
《光子学报》2023年第6期184-194,共11页郭可飞 尹飞 刘立宇 乔凯 李鸣 汪韬 房梦岩 吉超 屈有山 田进寿 王兴 
国家自然科学基金(No.62075236);中国科学院青年创新促进会(No.2020397);陕西省青年科技新星(No.2021SR5061)。
对InGaAs/InP单光子雪崩光电二极管进行结构设计与数值仿真,得到相应的电学与光学参数。针对雪崩击穿概率对器件光子探测效率的影响,研究了两次Zn扩散深度差、Zn扩散横向扩散因子、Zn掺杂浓度以及温度参数与器件雪崩击穿概率的关系。研...
关键词：雪崩光电二极管 INGAAS/INP ZN扩散 单光子探测 雪崩击穿概率 
高性能Zn扩散掺镁LN晶体脊形波导器件的研究被引量：2
《人工晶体学报》2022年第11期1823-1829,共7页陈中舆 程静欣 陈怀熹 冯新凯 张新彬 梁万国 
中国福建光电信息科学与技术创新实验室(闽都实验室)自主部署项目(2021ZZ104);国防基础科研项目(JCKY2022210 C007)。
将铌酸锂(LiNbO_(3),LN)晶体制作成波导型结构能够进一步提高器件的集成度,已经广泛应用于电光调制器、频率变换、声光调Q等光电器件中,在光纤通信、光电传感、激光雷达、航天航空等领域具有重要的应用前景。传统的Ti扩散法制作的LN波...
关键词：掺镁铌酸锂晶体 光波导 波导器件 ZN扩散 高功率密度 传输损耗 
非故意掺杂吸收层InP/InGaAs异质结探测器研究被引量：1
《红外与激光工程》2021年第11期62-69,共8页曹嘉晟 李淘 王红真 于春蕾 杨波 马英杰 邵秀梅 李雪 龚海梅 
中国科学院重点部署项目(ZDRW-CN-2019-3);中国科学院联合基金(6141A01170106);上海市级科技重大专项(2019SHZDZX01);国家自然科学基金(62075229)。
为了获得低噪声铟镓砷(InGaAs)焦平面,需要采用高质量的非故意掺杂InGaAs(u-InGaAs)吸收层进行探测器的制备。采用闭管扩散方式,实现了Zn元素在u-InGaAs吸收层晶格匹配InP/In0.53Ga0.47As异质结构材料中的P型掺杂,利用扫描电容显微技术(...
关键词：ZN扩散 结深 少子扩散长度 INGAAS 
倍增层厚度对In0.53Ga0.47As/InP雪崩二极管器件特性的影响被引量：8
《光学学报》2020年第18期10-14,共5页王航 袁正兵 谭明 顾宇强 吴渊渊 肖清泉 陆书龙 
国家重点研发计划(2018YFB2003305);国家自然科学基金(61534008,61774165,61704186);江苏省重点研发计划(BE2018005);中国科学院科技服务网络计划项目(KFJ-STS-ZDTP-086);纳米所自有资金项目(Y8AAQ11003)。
利用Zn扩散方法制备了倍增层厚度为1.5,1.0,0.8μm的In0.53Ga0.47As/InP雪崩光电二极管(APDs),研究了该器件特性。随着倍增层厚度的增加,器件的贯穿电压和击穿电压均呈现增大趋势。基于Silvaco模拟计算了APD器件的倍增层厚度对电场强度...
关键词：探测器 雪崩光电二极管 贯穿电压 击穿电压 分子束外延 ZN扩散 
InGaAs光电探测器的高频特性研究被引量：1
《新型工业化》2020年第2期12-18,共7页王迪 牛萍娟 刘宏伟 刘超 
对PIN型光电探测器的结构进行了细致的分析,在器件等效电路的基础上分别划分出各个层的等效电容(包括势垒电容和扩散电容),并根据此结构利用仿真软件进行建模仿真工作得出初步结果,据此进一步分析出由于生长材料时温度过高所带来的本征...
关键词：PIN光电探测器 ZN扩散 等效电容 高频特性 
高可靠性瓦级660nm半导体激光器研制被引量：8
《中国激光》2018年第5期7-11,共5页朱振 张新 肖成峰 李沛旭 孙素娟 夏伟 徐现刚 
国家重点研发计划(2017YFB0404901)
利用Zn扩散形成非吸收窗口的技术,制备了大功率660nm半导体激光器。在芯片窗口区用选择性扩Zn方式,使得窗口区有源层发光波长蓝移了61nm,有效降低了腔面的光吸收。制备的激光器芯片有源区条宽为150μm,腔长为1000μm,p面朝下用AuSn焊料...
关键词：激光器 瓦级激光器 ZN扩散 半导体激光器 风冷 
In0.53Ga0.47As/InP雪崩光电二极管响应及电学特性被引量：4
《光子学报》2018年第3期107-112,共6页袁正兵 肖清泉 杨文献 肖梦 吴渊渊 谭明 代盼 李雪飞 谢泉 陆书龙 
江苏省科技支撑计划(No.BE2016085); 中国科学院重点前沿科学研究项目(No.QYZDB-SSW-JSC014)资助
通过分子束外延生长和开管式Zn扩散方法,制备了低暗电流、宽响应范围的In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP雪崩光电二极管.在0.95倍雪崩击穿电压下,器件暗电流小于10nA;-5V偏压下电容密度低至1.43×10^(-8) F/cm^2.在1 310nm红外光照及30V反向偏...
关键词：雪崩光电二极管 低暗电流 宽响应范围 分子束外延 ZN扩散 
大功率660nm半导体激光器的电流电压特性
《半导体技术》2014年第9期661-665,共5页朱振 李沛旭 张新 王钢 徐现刚 
国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2013CB632801)
利用Zn扩散形成非吸收窗口技术,制备了大功率红光660 nm半导体激光器。对封装后的器件进行电流电压(I-V)特性测试。由于材料本身串联电阻的影响,半导体激光器的I-V曲线不再符合理想二极管I-V特性方程。通过数据拟合,得到半导体激光器的...
关键词：半导体激光器 ZN扩散 电流电压特性 理想二极管 寄生效应 
Cu,Zn离子注入SiO_2纳米颗粒合成及氧气氛围下的热稳定性研究被引量：1
《物理学报》2014年第7期383-390,共8页许蓉 贾光一 刘昌龙 
国家自然科学基金(批准号:11175129,11175235);天津市自然科学基金(批准号:12JCZDJC26900)资助的课题~~
通过45 keV,1.0×1017cm-2的Cu离子注入SiO2基底合成了嵌入式的Cu纳米颗粒,采用不同剂量的50 keV Zn离子对Cu纳米颗粒进行后续辐照,详细研究了Zn离子后续辐照对Cu纳米颗粒结构、光学性质的影响及其氧气气氛下的热演变规律.研究结果表明...
关键词：双离子注入 Cu—Zn合金纳米颗粒 热稳定性 Zn扩散 
退火对Zn扩散的影响及其在InGaAs探测器中的应用被引量：4
《红外与激光工程》2012年第2期279-283,共5页邓洪海 魏鹏 朱耀明 李淘 夏辉 邵秀梅 李雪 缪国庆 张永刚 龚海梅 
国家自然科学基金重点资助项目(61007067)
采用闭管扩散方式,对不同结构的异质结外延材料In0.81Al0.19As/In0.81Ga0.19As、InAs0.6P0.4/In0.8Ga0.2As、InP/In0.53Ga0.47As实现了Zn元素的P型掺杂,采用扫描电容显微技术(SCM)和二次离子质谱(SIMS)研究了在芯片制备中高温快速热退火...
关键词：快速热退火 ZN扩散 结深 INGAAS 
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