PIN光电探测器

作品数：46被引量：126H指数：6
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1064nm连续激光辐照硅基PIN探测器输出电流恢复时间的实验研究
《长春理工大学学报（自然科学版）》2022年第4期7-11,共5页梁超 魏智 金光勇 王頔 麻健雄 
吉林省教育厅科学技术研究项目(XQNJJ-2018-07);吉林省自然科学基金(YDZJ202201ZYTS296)。
光电探测器是激光及其应用系统中非常重要的一部分,当硅基PIN光电探测器受到激光辐照时,光电探测器的光电性能下降,其造成的损伤效果可以采用光电探测器的电学性能表征。对此,开展1064 nm连续激光辐照硅基PIN探测器输出电流恢复时间的...
关键词：1064nm连续激光 PIN光电探测器 输出电流 恢复时间 
一种InP/InGaAs PIN光电探测器芯片的设计与制作被引量：3
《电子质量》2022年第7期44-47,共4页赵媛媛 武传龙 高鹏飞 
In Ga As/In P PIN型光电探测器具有低暗电流、高灵敏度和响应速度快的特性,且能够吸收1-1.7μm红外波段光辐射,因此广泛应用于光纤通信系统。该文设计了一种平面型In Ga As/In P PIN光电探测器芯片,重点介绍了该芯片的外延结构与芯片...
关键词：INGAAS/INP PIN 外延 工艺 
基于热效应的长脉冲激光对硅基PIN恢复时间影响的研究
《长春理工大学学报（自然科学版）》2022年第3期21-27,共7页李辛垒 魏智 高乐 金光勇 
吉林省教育厅科学技术项目(JJKH20200731KJ)。
研究了长脉冲激光对硅基PIN光电探测器输出信号的恢复时间影响机制,基于热效应,建立了长脉冲激光对硅基PIN光电探测器恢复时间的模型。实验测量了不同偏压、脉宽和能量密度下硅基PIN探测器的恢复时间,得到了恢复时间的变化规律。结果表...
关键词：长脉冲激光 硅基PIN光电探测器 恢复时间 
硅基锗PIN光电探测器的研究进展被引量：6
《半导体光电》2022年第2期261-266,共6页刘智 成步文 
国家重点研发计划项目(2017YFA0206404,2020YFB2206103)。
随着硅基锗薄膜外延技术的突破,基于硅基锗材料的光电子器件快速发展,其中以硅基锗光电探测器最为突出。由于锗可以实现近红外通信波段的光吸收,而且完全兼容硅的CMOS工艺,硅基锗探测器几乎成为硅基光探测的唯一选择。文章主要介绍了面...
关键词：硅基锗探测器 面入射 波导耦合 
基于黑硅微结构的全硅PIN光电探测器被引量：4
《光电工程》2021年第5期40-45,共6页郑泽宇 罗谦 徐开凯 刘钟远 朱坤峰 
国家重点研发计划资助项目(2018YFE0181500);科技部资助项目(2018YFB2201203);四川省杰出青年科学基金项目(2020JDJQ0022);四川省科学技术厅资助项目(2019YFG0091);四川省科学技术厅资助项目(2020ZHCG0008)。
本文报道了一种基于黑硅微结构的全硅PIN光电探测器。该器件结合了黑硅结构宽光谱高吸收的特性,以及PIN光电探测器高量子效率高响应速度的特点,通过在传统硅PIN光电探测器结构的基础上增加黑硅微结构层,在不影响响应速度的条件下,提高...
关键词：全硅PIN光电探测器 黑硅 量子效率 光响应度 响应速度 暗电流 
InGaAs光电探测器的高频特性研究被引量：1
《新型工业化》2020年第2期12-18,共7页王迪 牛萍娟 刘宏伟 刘超 
对PIN型光电探测器的结构进行了细致的分析,在器件等效电路的基础上分别划分出各个层的等效电容(包括势垒电容和扩散电容),并根据此结构利用仿真软件进行建模仿真工作得出初步结果,据此进一步分析出由于生长材料时温度过高所带来的本征...
关键词：PIN光电探测器 ZN扩散 等效电容 高频特性 
PIN光电探测器的建模与仿真分析被引量：1
《应用光学》2019年第5期723-730,共8页张辉 柯程虎 刘昭辉 
国家自然科学资助基金项目(51507140);陕西省重点研发计划(2017ZDXM-GY-003);陕西省自然科学基金(2017JM5100);西安市科技计划(2017080CG/RC043)
为了优化PIN光电探测器响应特性,首先依据载流子速率方程,并考虑芯片寄生参量和封装寄生参量,建立光电探测器的等效电路模型。然后仿真分析了反偏电压、I区宽度、光敏面、芯片寄生电阻和电容、封装寄生电阻、电容和电感对光电探测器脉...
关键词：PIN光电探测器 等效模型 速率方程 响应特性 
倒金字塔结构的黑硅PIN光电探测器的研究被引量：1
《光电子．激光》2018年第12期1270-1274,共5页王锦 陶科 李国峰 梁科 蔡宏琨 
南开大学2018年自制实验教学仪器项目(18NKZZYQ02).
由于晶体硅间接带隙的本质,光的吸收系数较低,影响了硅基光电探测器的量子效率。倒金字塔结构被证明是能够使得单晶硅片的光吸收效率接近Yablonovitch limit的有效陷光结构。本论文采用金属催化腐蚀技术在单晶硅上制备具有随机分布的倒...
关键词：PIN光电探测器 倒金字塔 金属催化腐蚀 表面陷光 
高性能波导集成型锗pin光电探测器的制备被引量：3
《微纳电子技术》2018年第5期305-311,共7页刘道群 李志华 冯俊波 唐波 张鹏 王桂磊 
国家科技重大专项(2017ZX02315004)
采用CMOS兼容工艺,在绝缘体上硅（SOI）晶圆片上制备了高性能波导集成型锗pin光电探测器。该光电探测器锗区长度为15μm,宽度分别为1,2,3,4和5μm。光波导与探测器间的光耦合为倏逝波耦合。为了进一步提高探测器的性能,在结构设计上采...
关键词：光电探测器 波导集成 选择性外延 锗(Ge) PIN 绝缘体上硅(SOI) 
Si基PIN光电探测器电场隔离结构对暗电流的影响被引量：4
《半导体光电》2017年第6期802-805,共4页丰亚洁 何晓颖 刘巧莉 王华强 李冲 胡宗海 郭霞 
国家自然科学基金项目(61335004;61675046;61505003);国家"973"计划项目(2016YFB0400603);国家"863"计划项目(2015AA017101)
对Si基PIN光电探测器的电场隔离结构进行了研究,讨论了电场隔离结构的作用以及其与暗电流的关系,并进行了仿真模拟与测试分析。电场隔离结构主要将有源区和边缘隔离从而降低暗电流,结合仿真模拟结果和实验测试结果,分析得到电场隔离结...
关键词：Si基光电探测器 电场隔离结构 暗电流 
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