陈新宇

作品数：46被引量：75H指数：5
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供职机构：南京电子器件研究所更多>>
发文主题：砷化镓GAAS开关GAAS_MMIC微波单片集成电路更多>>
发文领域：电子电信电气工程自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《固体电子学研究与进展》《通讯世界》《Journal of Semiconductors》《微波学报》更多>>
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双模式高集成负电荷泵电路设计
《固体电子学研究与进展》2020年第1期53-59,共7页李亚军 李晓鹏 张有涛 刘洁 陈新宇 杨磊 
提出了一种新颖的双模式高集成开关电容电荷泵。该电荷泵集成高频振荡器、电平移位、逻辑驱动以及4个功率MOSFET开关。与传统电荷泵相比,该电路可以工作在单电源以及双电源两种模式。单电源模式下,输出电压为-VCC;双电源模式下,输出电压...
关键词：负电荷泵 双模式 高集成 开关电容 
一款用于5 G功率放大器的分段线性温度补偿偏置电路被引量：1
《固体电子学研究与进展》2019年第3期207-213,共7页李亚军 李晓鹏 张有涛 蒋东铭 陈新宇 杨磊 
新一代宽带无线移动通信网络科技重大专项资助项目(2017ZX03001023)
实现了一款用于功率放大器的具有温度补偿特性的偏置电路,首先通过正温度系数(PTAT)电流与负温度系数(NTAT)电流对功率放大器所需的偏置电流进行线性温度补偿,然后在线性补偿的基础上引入分段设计,实现分段线性温度补偿,保证全温范围内...
关键词：偏置电路 功率放大器 温度补偿 分段线性温度补偿 电流舵 
基于InP DHBT工艺的32.2 GHz超高速全加器
《固体电子学研究与进展》2019年第2期97-101,共5页李晓鹏 王志功 张有涛 张敏 程伟 张翼 陈新宇 
介绍了一种基于0.7μm磷化铟(InP)双异质结双极型晶体管(DHBT)工艺的超高速全加器,将加法运算与数据同步锁存融合设计来提高计算速度,采用多数决定运算法则设计单层晶体管并联型进位电路来降低功耗。测试结果表明,全加器的最高时钟频率...
关键词：全加器 双异质结双极型晶体管 磷化铟 超高速电路 电流模逻辑 
K波段低噪声放大器芯片被引量：1
《通讯世界》2015年第7期74-75,共2页艾萱 徐光 郑远 陈新宇 前锋 杨磊 
设计一款K波段低噪声放大器芯片，采用0．15μmPHEMT工艺，工作频段：22～23GHz，增益大于17dB，噪声系数小于2．4dB，1dB功率压缩点大于7dBm，输入／输出电压驻波比小于2，偏置电压5V，静态工作电流12mA，具有极低功耗。
关键词：低噪声放大器 砷化镓 赝配高电子迁移率场效应晶体管 微波单片集成电路 
用于数字相控阵雷达收发组件的0.7~4.0GHz SOI CMOS有源下混频器
《固体电子学研究与进展》2015年第2期145-149,160,共6页陈亮 陈新宇 张有涛 杨磊 
基于0.18μm SOI CMOS工艺设计了一款用于数字相控阵雷达的宽带有源下混频器。该混频器集成了射频、本振放大器、Gilbert混频电路、中频放大器以及ESD保护电路。该芯片可以直接差分输出,亦可经过片外balun合成单端信号后输出。射频和本...
关键词：绝缘体硅互补型金属氧化物半导体 有源混频器 宽带 
用于雷达T/R组件的SOI CMOS工艺射频芯片被引量：1
《固体电子学研究与进展》2015年第2期F0003-F0003,共1页陈亮 陈新宇 张有涛 杨磊 
南京电子器件研究所国博电子有限公司基于0．18umSOICMOS工艺研制了多款用于相控阵雷达的射频芯片，包括1-1．7GHz有源下混频器、0．7～4GHz有源下混频器、X波段6位移相器和X波段5位衰减器，芯片照片见图1。下混频器集成了射频、本振放...
关键词：相控阵雷达 射频芯片 T/R组件 CMOS工艺 南京电子器件研究所 SOI ESD保护电路 中频放大器 
应用于WLAN InGaP/GaAs HBT线性功率放大器被引量：3
《固体电子学研究与进展》2015年第1期46-51,共6页何旭 郑远 朱彦青 陈新宇 杨磊 
设计了一款基于2μm InGaP/GaAs HBT工艺的移动通信用高线性功率放大器,应用于移动终端WLAN 802.11b/g/n 2.4-2.5GHz。整个放大器芯片由三级放大电路构成,芯片面积为1.9mm×1.7mm。在VCC=Vbias=＋5V、VReg=VPdown=＋2.85V双电源供电条件...
关键词：无线局域网 线性功率放大器 异质结双极型晶体管 误差矢量幅度 
4 bit相位量化ADC设计与实现被引量：1
《固体电子学研究与进展》2014年第3期206-210,共5页张敏 张有涛 李晓鹏 陈新宇 杨磊 
分析了应用于DRFM系统的4bit相位ADC原理并介绍了一种4bit相位ADC电路结构,该电路采用类似于幅度ADC的Flash拓扑在标准半导体工艺下设计并实现,芯片面积2.3mm×1.7mm,功耗620mW,数字输出满足LVDS电平标准。测试结果显示该ADC瞬时带宽高...
关键词：模数转换器 相位量化 数字射频存储器 瞬时带宽 
0.5dB噪声系数高线性有源偏置低噪声放大器被引量：10
《固体电子学研究与进展》2014年第3期211-215,共5页吴健 郑远 艾宣 顾晓瑀 朱彦青 陈新宇 杨磊 钱峰 
设计了一种宽带、噪声系数仅为0.48dB的有源偏置超低噪声放大器。低噪声放大器采用0.5μm GaAs E-PHEMT工艺研制,2.0mm×2.0mm×0.75mm 8-pin双侧引脚扁平无铅封装,具有低噪声、高增益、高线性等特点,是GSM/CDMA基站应用上理想的一款低...
关键词：低噪声放大器 高线性 有源偏置 高增益 
基于GaAs HBT工艺的12位1GS/s多奈奎斯特域数模转换器
《固体电子学研究与进展》2014年第3期201-205,215,共6页李晓鹏 王志功 张有涛 张敏 陈新宇 杨磊 
介绍一种基于1μm GaAs HBT工艺的12位1GS/s多奈奎斯特域数模转换器(DAC)。使用信号归零技术将DAC的有效输出带宽拓展到第三奈奎斯特频域。该DAC在第一至第三奈奎斯特频域内具有平坦的输出功率和较好的SFDR。测试结果表明,与传统DAC相比...
关键词：数模转换器 多奈奎斯特 归零 
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