徐光

作品数：1被引量：1H指数：1
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供职机构：南京电子器件研究所更多>>
发文主题：K波段芯片微波单片集成电路砷化镓低噪声放大器更多>>
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K波段低噪声放大器芯片被引量：1
《通讯世界》2015年第7期74-75,共2页艾萱 徐光 郑远 陈新宇 前锋 杨磊 
设计一款K波段低噪声放大器芯片，采用0．15μmPHEMT工艺，工作频段：22～23GHz，增益大于17dB，噪声系数小于2．4dB，1dB功率压缩点大于7dBm，输入／输出电压驻波比小于2，偏置电压5V，静态工作电流12mA，具有极低功耗。
关键词：低噪声放大器 砷化镓 赝配高电子迁移率场效应晶体管 微波单片集成电路 
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